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公开(公告)号：CN117894876A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311871314.4
申请日：2023-12-29
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L31/0216
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种光敏二极管及其制备方法，其制备步骤包括：在衬底处生长第一氧化层和第二氧化层；刻蚀第一氧化层并做P型掺杂扩散形成深掺区；刻蚀第一氧化层并做P型掺杂扩散形成浅掺区，浅掺区的掺杂浓度低于深掺区；刻蚀第一氧化层和第二氧化层形成第三开口；由第三开口和衬底下端进行N型掺杂扩散；在第一氧化层和衬底上端设置介质层，介质层具有第四开口；在介质层上设置正电极，正电极通过第四开口连接深掺区；第一氧化层包括第一部分和第二部分，第一部分相较于第二部分更靠近正电极，第一部分的宽度大于第二部分的宽度。借此设置，可以有效提升光敏二极管的抗静电击穿能力，提高光敏二极管的品质。
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公开(公告)号：CN115458647A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211343672.3
申请日：2022-10-31
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本申请提供一种垂直LED芯片结构及其制造方法及发光装置，在将外延结构键合至衬底之后，首先刻蚀外延结构形成第一台面，形成第一台面之后，在第一台面处继续刻蚀外延结构直至将外延结构刻穿暴露反射层，形成第二台面。第二台面的宽度小于第一台面的宽度，第一台面和第二台面具有高低差，该结构可有效降低大角度光在外延结构内的内部反射，降低对光的二次吸收，提升侧光出光率。在形成有第一台面和第二台面的结构表面形成保护层，该保护层在第二台面处覆盖裸露的反射层，对外延结构及反射层起到保护作用，能够保护外延结构的侧壁以及反射层不受衬底背面研磨后处理液的侵蚀，保证外延结构的完整度，提高芯片的可靠度。
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公开(公告)号：CN209626251U
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201920651244.4
申请日：2019-05-08
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 一种半导体发光元件，其包括第一导电类型半导体层、第一导电类型半导体层上的第一电极，第一电极包括用于外部打线的主焊盘电极，主焊盘电极包括与第一导电类型半导体层接触的欧姆接触层和打线层；第一导电类型半导体层下侧的发光层和第二导电类型半导体层；主焊盘电极垂直下方的第二导电类型半导体层下侧具有电流阻挡层；电流阻挡层下侧具有第二电极，所述的打线层的表面形成有规则的高低差，所述的欧姆接触层与第一导电类型半导体层之间的面为平整面。打线层表面侧的台阶设计或多个图形的设计可促进打线力在打线层中横向的分散，减弱打线力垂直向下传输至半导体发光序列下侧的绝缘层上，从而避免位于第一电极的主焊盘电极下方的绝缘层脱落。
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公开(公告)号：CN207636924U
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201720514406.0
申请日：2017-05-10
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本实用新型提出一种易于保护使用区的光罩版，其在晶圆曝光区域的外周形成易于识别的环状识别区域，如此在手拿过程中可以避免接触到晶圆曝光区域，具体技术方案为：一种易于保护使用区的光罩版，包括晶圆曝光区域和环状识别区域，所述环状识别区域位于所述晶圆曝光区域的外周，所述环状识别区具有足够的宽度以达到肉眼辨识，所述环状识别区域至所述光罩版的边沿之间的区域为手持区域。
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