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公开(公告)号：CN104319241A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410470189.0
申请日：2014-09-15
申请人： 天津大学
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/8384 , H01L24/05 , H01L24/03 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047
摘要： 本发明公开了一种无压烧结连接大功率GTO模块的方法；以钛为中间金属层，利用磁控溅射设备实现钼基板表面镀银，接着通过纳米银焊膏低温无压烧结实现芯片与基板大面积互连。对钼基板进行等离子清洗，实现表面清洁活化；通过磁控溅射设备依次镀钛和银，将试样在氮气或者惰性气体下进行热处理保证镀膜的稳定性。镀银膜的厚度可通过镀膜功率和镀膜时间来调节。钛作为金属过渡层可以克服由于银和钼互不固溶体造成的无法在钼上镀银的问题。烧结后的银接头具有高的导电性能(4.10×107S m‐1)和导热性能(240W K‐1m‐1)；烧结后的银接头可耐高温(
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公开(公告)号：CN103084814A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310020611.8
申请日：2013-01-18
申请人： 天津大学
IPC分类号： B23P15/28
摘要： 本发明涉及一种锋利刃口微刀具的制造方法，包括：利用聚焦离子束对微刀具毛坯进行粗加工，加工出刀具前刀面；利用车削或抛光方法去除刀具前刀面因离子束加工产生的纳米尺度非晶改性层，对刀具前刀面进行优化处理；将前刀面优化处理后的微刀具放进聚焦离子束真空样品室内，依据刃口形状和尺寸要求，利用聚焦离子束铣削精修，加工出微刀具的后刀面和侧刀面，实现锋利刃口刀具制造。本发明提出的方法精度高、可重复性强、适用于多种材料和不同刀具形状。
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公开(公告)号：CN103567619B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201310467634.3
申请日：2013-10-09
申请人： 天津大学
IPC分类号： B23K11/11 , B23K11/34 , B23K103/18
摘要： 本发明公布了一种铜‑铝异种金属的快速连接的方法，首先对铜、铝金属进行预处理，通过机械或化学方法去除金属表面的氧化膜；在金属铜表面涂上一层50um～90um的纳米银焊膏，60℃～80℃预热10min～15min；利用点焊设备实现异种金属的快速连接，压力720N～1200N，焊接电流取10kA～20kA，焊接时间取300ms～800ms。本发明创造性利用点焊设备实现了铜铝的连接，效率高，成本低，且连接界面好，力学性能好，可以很好地满足市场对铜铝接头的需求。此外，纳米银焊膏层可以有效防止铜铝金属间化合物的生成，改善接头力学性能。
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公开(公告)号：CN103074688A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310043955.0
申请日：2013-02-04
申请人： 天津大学
摘要： 本发明属于离子溅射加工技术领域，涉及一种有效恢复离子注入金刚石损伤的方法，将经过离子注入加工的金刚石材料放置在激光设备的样品台上，在激光器和样品台之间加入能量仪以检测激光的出射能量，调节激光的出射能量至100mW-3000mW，关闭激光器，取出能量仪，调节样品台使得金刚石材料处于激光出射透镜的焦距处，调节激光器的照射时间为5ms-5000ms，打开激光器进行恢复处理。本发明能显著降低金刚石表面损伤层的厚度。
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公开(公告)号：CN103567619A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310467634.3
申请日：2013-10-09
申请人： 天津大学
IPC分类号： B23K11/11 , B23K11/34 , B23K103/18
CPC分类号： B23K11/11 , B23K11/34 , B23K2103/18
摘要： 本发明公布了一种铜-铝异种金属的快速连接的方法，首先对铜、铝金属进行预处理，通过机械或化学方法去除金属表面的氧化膜；在金属铜表面涂上一层50um～90um的纳米银焊膏，60℃～80℃预热10min～15min；利用点焊设备实现异种金属的快速连接，压力720N～1200N，焊接电流取10kA～20kA，焊接时间取300ms～800ms。本发明创造性利用点焊设备实现了铜铝的连接，效率高，成本低，且连接界面好，力学性能好，可以很好地满足市场对铜铝接头的需求。此外，纳米银焊膏层可以有效防止铜铝金属间化合物的生成，改善接头力学性能。
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公开(公告)号：CN104319241B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410470189.0
申请日：2014-09-15
申请人： 天津大学
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/8384
摘要： 本发明公开了一种无压烧结连接大功率GTO模块的方法；以钛为中间金属层，利用磁控溅射设备实现钼基板表面镀银，接着通过纳米银焊膏低温无压烧结实现芯片与基板大面积互连。对钼基板进行等离子清洗，实现表面清洁活化；通过磁控溅射设备依次镀钛和银，将试样在氮气或者惰性气体下进行热处理保证镀膜的稳定性。镀银膜的厚度可通过镀膜功率和镀膜时间来调节。钛作为金属过渡层可以克服由于银和钼互不固溶体造成的无法在钼上镀银的问题。烧结后的银接头具有高的导电性能(4.10×107S m‐1)和导热性能(240W K‐1m‐1)；烧结后的银接头可耐高温(
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