公开(公告)号：CN105632954B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201510690155.7

申请日：2015-10-22

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： N·霍伊克 ,  F·奥托 ,  C·施泰宁格

IPC分类号： H01L21/603

CPC分类号： H01L21/4825 ,  H01L21/4842 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27005 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2744 ,  H01L2224/27442 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29295 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29373 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83208 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种用于制造半导体芯片(1)和金属层(21)之间的材料配合的连接的方法。对此提供半导体芯片(1)、具有芯片装配部段(21c)的金属层(21)以及包含金属粉的连接剂(3)。金属粉在烧结过程中进行烧结。在此，在预定的烧结持续时间期间不间断地满足的要求是，连接剂(3)布置在半导体芯片(1)和金属层(21)之间并且连续地从半导体芯片(1)延伸直到金属化层(21)，半导体芯片(1)和金属层(21)在处在高于最小压力的压力区域中相互挤压，连接剂(3)保持在处在高于最小温度的温度区域中，并且声学信号(SUS)耦合到连接剂(3)。

公开(公告)号：CN104867863B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201510067672.9

申请日：2015-02-09

申请人： 西门子公司

发明人： 米夏埃尔·莱佩纳特 ,  龙尼·维尔纳

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/75 ,  H01L24/77 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/4005 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/41051 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/75983 ,  H01L2224/773 ,  H01L2224/77328 ,  H01L2224/77983 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/84138 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92255 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/06 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84

摘要： 本发明涉及一种用于制造电子模块(L)、特别是功率电子模块的方法(S1‑S8)，所述方法包括至少一个半导体芯片(3，4)与至少一个引线框架(1)的触点接通，其中，半导体芯片(3，4)在其上侧(7)上并且在其下侧(6)上分别具有至少一个电接口(8，9)，并且至少一个引线框架(1)直接触点接通(S5)所述侧之一的所述接口(8，9)。一种电子模块(L)借助于所述方法(S1‑S8)来制造。本发明特别是能够应用在功率电子模块上。

公开(公告)号：CN104160490B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201380012394.6

申请日：2013-02-26

申请人： 纳美仕股份有限公司

发明人： 小林诚 ,  佐佐木幸司

IPC分类号： H01L21/52 ,  B22F1/00 ,  B22F7/08 ,  B22F9/24 ,  H01B5/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： B23K35/3006 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/0044 ,  B22F3/10 ,  B22F9/24 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/365 ,  B82Y30/00 ,  C22C5/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13499 ,  H01L2224/165 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明的银微粒烧结体是用于接合半导体装置的部件的接合构件用银微粒烧结体，银微粒烧结体的蠕变活化能是块体银的晶格扩散活化能的0.4～0.75倍。

公开(公告)号：CN105637595B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201480056727.X

申请日：2014-10-06

申请人： 同和电子科技有限公司

发明人： 栗田哲 ,  远藤圭一 ,  三好宏昌

IPC分类号： H01B5/02 ,  B22F1/00 ,  B22F3/10 ,  B22F5/10 ,  B22F9/00 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L21/52 ,  B22F1/02

CPC分类号： H01L24/27 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/0074 ,  B22F5/006 ,  B22F2999/00 ,  B23K35/3006 ,  B23K2103/12 ,  B23K2103/56 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/277 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  B22F3/22

摘要： 本发明提供采用3MPa以下的低加压力得到高接合强度的接合用银片。该银片是粒径1～250nm的银粒子通过烧结而一体化的银片，升温至满足270≤TA

公开(公告)号：CN108063096A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201711129294.8

申请日：2017-11-15

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网公司

发明人： 王亮 ,  武伟 ,  林仲康 ,  田丽纷 ,  韩荣刚 ,  唐新灵 ,  石浩 ,  张朋 ,  李现兵 ,  张喆

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L29/739 ,  H01L23/488 ,  H01L23/373

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L29/7393 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105

摘要： 本发明提供的一种半导体功率器件子模组及其生产方法及压接式IGBT模块，所述半导体功率器件子模组的生产方法包括如下步骤：S1.在钼片的镀银面上沉积AgSn薄膜焊膏；S2.将芯片通过卡具贴装在所述AgSn薄膜焊膏表面，形成待烧结结构。本发明提供的半导体功率器件子模组的生产方法，在钼片上首先沉积AgSn，AgSn具有很强导热能力，可以确保整个子模组的传热能力。

公开(公告)号：CN103262172B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201180060085.7

申请日：2011-11-02

申请人： 阿尔发装配解决方案有限公司

发明人： O·卡萨列夫 ,  B·思恩赫 ,  莫斌 ,  M·T·玛克兹 ,  M·鲍瑞赫达

IPC分类号： H01B1/02 ,  H01B1/22 ,  H05K3/12

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29399 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H05K1/097 ,  H05K3/3436 ,  Y10T156/1062 ,  Y10T428/26 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014

摘要： 适用于多片和单片部件的芯片附着的方法可以包括将烧结印制在基片上或者印制在芯片的背面上。印制可以包括模板印制，丝网印制或者分配印制。在被切割成小方块之前，焊膏可以被印制到整个晶片的背面上，或者可以被印制到单个的芯片的背面上。烧结的薄层也可以是焊接或者传输到晶片、芯片或者基片上的。后烧结步骤可以提高生产量。

公开(公告)号：CN107731696A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710822772.7

申请日：2017-09-13

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 武伟 ,  韩荣刚 ,  林仲康 ,  石浩 ,  田丽纷 ,  张喆 ,  李现兵 ,  张朋

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/331 ,  H01L21/67 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/492 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/67253 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/492 ,  H01L24/83 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7393 ,  H01L2224/8384

摘要： 本发明提供了一种功率芯片封装方法和结构，所述方法包括：将第一金属垫片、功率芯片和第二金属垫片放置在塑封模具内；将塑封材料升温化为液态；加压使液态塑封材料注入所述塑封模具；将所述态塑封材料在所述塑封模具中固化，形成塑封外壳后退掉所述塑封模具，得到塑封好的功率芯片子模组。该方案通过将第一金属垫片、功率芯片和第二金属垫片在塑封模具中进行塑封，简化了装配工序、降低了人为装配的误差，减少了各个零部件之间的接触热阻，并且提高了子模组装配过程中的均一性，有效保证了大规模芯片并联对误差精度的要求，提高了器件的可靠性。省去了传统的银片和绝缘框架，减少了生产工序，大幅提高了生产效率并且降低了器件的生产成本。

公开(公告)号：CN102683301B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201210068095.1

申请日：2012-03-15

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A.克里斯特曼 ,  P.琼斯

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/473 ,  H01L23/043 ,  H01L23/24 ,  H01L23/296 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/83205

摘要： 本发明涉及包括底座的半导体器件。一种半导体装置包括半导体芯片和耦接到半导体芯片的底座。该底座包括上部分和下部分。上部分具有与下部分的侧壁相交的底表面。该半导体装置包括耦接到底座的冷却元件。冷却元件具有与底座的上部分的底表面直接接触的第一表面、与底座的下部分的侧壁直接接触的第二表面、以及与第一表面平行并且与底座的下部分的底表面对准的第三表面。

公开(公告)号：CN104704618B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201380052142.6

申请日：2013-10-07

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 西元修司 ,  长友义幸 ,  长瀬敏之

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L24/32 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/597 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83539 ,  H01L2224/83595 ,  H01L2224/83695 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明所涉及的半导体装置(1)具备：由导电性材料构成的电路层(12)；及搭载于电路层(12)上的半导体元件(3)，在电路层(12)的一面形成有气孔率设在5％以上且55％以下的范围内的基底层(31)，在该基底层(31)之上形成有由接合材料的烧成体构成的接合层(38)，所述接合材料包含金属粒子及金属氧化物粒子中的至少一方或双方及有机物，电路层(12)和半导体元件(3)经由基底层(31)及接合层(38)而接合。

公开(公告)号：CN104428889B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201280074595.4

申请日：2012-07-11

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 寺井护 ,  井高志织 ,  中木义幸 ,  末广善幸

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/562 ,  H01L24/36 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L29/417 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/84

摘要： 在半导体基板上形成多个电力控制用半导体元件，在划分相邻的半导体元件的带状的切割区域相交叉的交叉区域中，形成覆盖交叉区域的应力缓冲树脂层(7)，切割交叉区域而切断应力缓冲树脂层(7)来将半导体元件单片化。由此，获得在使用了SiC等化合物半导体基板的半导体元件中与密封树脂的粘接力高、不易由于动作时的热应力而引起密封树脂的裂痕、剥离的半导体装置。