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公开(公告)号：CN104891574A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510227472.5
申请日：2015-05-06
申请人： 天津大学
IPC分类号： C01G41/02
摘要： 本发明公开了一种金掺杂多孔硅基氧化钨纳米棒复合结构的制备方法，在水热法将多孔硅与氧化钨纳米棒复合形成新的复合结构气敏材料的基础上加入金溅射的步骤，所制得氧化钨纳米棒具有巨大的比表面积和气体扩散通道以及较大的表面活性，可提供大量的吸附位置和扩散通道，从而有利于克服基于氧化钨纳米结构气敏材料工作温度较高的缺陷，在提高气敏传感器的气敏性能方面具有重要的研究价值。该方法具有设备简单、操作方便、可重复性好、成本低廉等优点，同时这一材料将在降低气敏传感器工作温度、提高传感器的灵敏度方面提供很大的研究空间。
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公开(公告)号：CN104634825A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510044250.X
申请日：2015-01-28
申请人： 天津大学
IPC分类号： G01N27/00
摘要： 本发明结合有序多孔硅可室温检测氮氧化物的优势，公开了一种结构新颖、制作工艺简单的用于室温的多孔硅基氧化钨复合结构气敏元件的制备方法，采用水热法将有序多孔硅与一维氧化钨纳米结构复合形成新的复合结构气敏材料，其具有巨大的比表面积和较大的表面活性，可提供大量的吸附位置和扩散通道，从而克服了基于一维氧化钨纳米结构气敏材料工作温度较高的缺陷，制备出一种可在室温条件下有效检测氮氧化物的多孔硅基氧化钨复合结构气敏传感器元件。
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公开(公告)号：CN108788405A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810643483.5
申请日：2018-06-21
申请人： 天津大学
CPC分类号： B23K9/167 , B23K9/0052 , B23K9/235
摘要： 本发明公开奥氏体耐热钢的钨极氩弧焊接方法，奥氏体耐热钢22Cr25NiWCoCu(UNSS31035)的无缝钢管进行焊接，焊接接头采用单边30°V型坡口并清理，采焊前先用钨极氩弧焊点焊固定位置，组合配对，再使用钨极氩弧焊进行单面焊双面成型，焊前不预热，焊后不热处理，同时采用全氩气保护。本发明的奥氏体耐热钢钢管道焊接工艺减少焊接应力与变形，可以降低焊接接头的脆性，抑制热裂纹的发生，实现对焊接接头塑性和韧性的改善提升，从而综合提高管道焊接后的力学性能。
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公开(公告)号：CN104181206B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410394351.5
申请日：2014-08-12
申请人： 天津大学
IPC分类号： G01N27/04
摘要： 本发明公开了一种金掺杂多孔硅/氧化钒纳米棒气敏材料的制备方法：首先将p型单面抛光的单晶硅基片清洗干净，采用双槽电化学腐蚀法在其抛光表面制备多孔硅层，再在多孔硅表面溅射形成金属钒薄膜；再将其置于离子溅射仪的真空室中，采用金为靶材，在多孔硅/金属钒薄膜表面沉积金薄膜，溅射电流5mA，溅射时间10s～30s；再于550～650℃热处理，制得金掺杂多孔硅/氧化钒纳米棒气敏材料。本发明的工艺方法简单，重复性好，参数易于控制，在室温下对低浓度二氧化氮气体具有较好的气敏特性。
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公开(公告)号：CN104181206A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410394351.5
申请日：2014-08-12
申请人： 天津大学
IPC分类号： G01N27/04
摘要： 本发明公开了一种金掺杂多孔硅/氧化钒纳米棒气敏材料的制备方法：首先将p型单面抛光的单晶硅基片清洗干净，采用双槽电化学腐蚀法在其抛光表面制备多孔硅层，再在多孔硅表面溅射形成金属钒薄膜；再将其置于离子溅射仪的真空室中，采用金为靶材，在多孔硅/金属钒薄膜表面沉积金薄膜，溅射电流5mA，溅射时间10s～30s；再于550～650℃热处理，制得金掺杂多孔硅/氧化钒纳米棒气敏材料。本发明的工艺方法简单，重复性好，参数易于控制，在室温下对低浓度二氧化氮气体具有较好的气敏特性。
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公开(公告)号：CN104634824A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510043589.8
申请日：2015-01-28
申请人： 天津大学
IPC分类号： G01N27/00
摘要： 本发明公开了一种多孔硅基氧化钨纳米棒复合结构气敏传感器的制备方法，采用水热法在有序多孔硅上原位生长氧化钨纳米棒，提供了一种可低成本控制多孔硅基氧化钨纳米棒形貌以及气敏性能的方法。水热法操作较为简单，所需控制的工艺条件少，且对环境无污染。并且，所制备的多孔硅基氧化钨纳米棒复合结构气敏传感器元件具有较大的比表面积和表面活性，可提供较多的气体吸附位置和气体扩散通道，可在室温下检测超低浓度的氮氧化物气体，具有高灵敏度、良好选择性的优点。同时，该气敏元件体积小，使用方便，具有重要的实践和研究意义。
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公开(公告)号：CN104237314A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410393815.0
申请日：2014-08-12
申请人： 天津大学
IPC分类号： G01N27/00
摘要： 本发明公开了一种高灵敏度室温二氧化氮气敏材料的制备方法：先将p型单面抛光的单晶硅基片清洗干净，采用双槽电化学腐蚀法在单晶硅基片抛光表面制备多孔硅层，再在多孔硅表面溅射形成金属钨薄膜；采用两步生长法，先将具有金属钨薄膜的多孔硅基片于600～700℃热处理温，金属钨薄膜生长为钨纳米线，再于300～500℃二次热处理，制得高灵敏度室温二氧化氮气敏材料。本发明工艺方法简单，重复性好，参数易于控制，制品在室温下对低浓度的二氧化氮气体具有较高的灵敏度和响应/恢复特性以及良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN103760309A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410033915.2
申请日：2014-01-23
申请人： 天津大学
摘要： 本发明公开了一种多孔硅基氧化钒纳米棒复合结构的制备方法，先将p型单面抛光的单晶硅基片放入清洗液中清洗，再采用双槽电化学腐蚀法在清洗过的硅基片抛光表面制备多孔硅层，再以金属钒作为靶材，在多孔硅表面溅射形成金属钒薄膜，再将溅射有金属钒薄膜的多孔硅基片置于马弗炉中于550～650℃热处理，制得多孔硅基氧化钒纳米棒复合结构。本发明工艺方法简单，重复性好，参数易于控制，在室温下对NO2气体具有较好的气敏特性。
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