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公开(公告)号：CN108677144A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810556974.6
申请日：2018-06-01
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明公开了一种制备铝氮共掺类金刚石复合薄膜的方法。采用离子源辅助阴极电弧沉积技术，配置两个不同特性的双激发源阴极电弧镀膜装置，其中一个为直流电弧蒸发阴极源，用于安装铝靶材，另一个为脉冲电弧蒸发阴极源，用于安装石墨靶；沉积过程中以氮气作为反应气体，利用离子源将氮气(N2)电离为离子氮(N+)，通过旋转工件，使安装在直流电弧蒸发阴极源和脉冲电弧蒸发阴极源的铝靶和石墨靶，实现在工件表面的溅射沉积，获得成分可控的铝氮共掺类金刚石复合薄膜。本发明中，N以离子形式掺入，促使类金刚石复合薄膜中形成硬质氮化铝（AlN）和金属Al纳米晶颗粒；具有表面光滑、高硬度、高韧性、低应力的优点。
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公开(公告)号：CN106011745B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201610422751.1
申请日：2016-06-15
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明公开了一种在硅表面制备非晶碳氮薄膜的装置及方法。该装置为离子源辅助脉冲阴极电弧装置，制备方法包括下列步骤：将预先化学清洗的硅基片烘干，放置在旋转样品台上；抽真空，通入氩气到真空室，采用离子溅射源对硅基片表面进行物理清洗；以高纯石墨作为脉冲电弧的阴极靶材，调节脉冲放电频率，同时通入氮气，打开离子源，分别制备原子化和离子化氮掺杂的非晶碳氮薄膜。本发明实现了非晶碳氮薄膜中的碳/氮原子和碳氮键/碳碳键的含量可调、碳氮键合类型和类石墨氮/类吡啶氮的结构可控。
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公开(公告)号：CN108677144B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201810556974.6
申请日：2018-06-01
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明公开了一种制备铝氮共掺类金刚石复合薄膜的方法。采用离子源辅助阴极电弧沉积技术，配置两个不同特性的双激发源阴极电弧镀膜装置，其中一个为直流电弧蒸发阴极源，用于安装铝靶材，另一个为脉冲电弧蒸发阴极源，用于安装石墨靶；沉积过程中以氮气作为反应气体，利用离子源将氮气(N2)电离为离子氮(N+)，通过旋转工件，使安装在直流电弧蒸发阴极源和脉冲电弧蒸发阴极源的的铝靶和石墨靶，实现在工件表面的溅射沉积，获得成分可控的铝氮共掺类金刚石复合薄膜。本发明中，N以离子形式掺入，促使类金刚石复合薄膜中形成硬质氮化铝（AlN）和金属Al纳米晶颗粒；具有表面光滑、高硬度、高韧性、低应力的优点。
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公开(公告)号：CN106011745A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610422751.1
申请日：2016-06-15
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明公开了一种在硅表面制备非晶碳氮薄膜的装置及方法。该装置为离子源辅助脉冲阴极电弧装置，制备方法包括下列步骤：将预先化学清洗的硅基片烘干，放置在旋转样品台上；抽真空，通入氩气到真空室，采用离子溅射源对硅基片表面进行物理清洗；以高纯石墨作为脉冲电弧的阴极靶材，调节脉冲放电频率，同时通入氮气，打开离子源，分别制备原子化和离子化氮掺杂的非晶碳氮薄膜。本发明实现了非晶碳氮薄膜中的碳/氮原子和碳氮键/碳碳键的含量可调、碳氮键合类型和类石墨氮/类吡啶氮的结构可控。
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