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公开(公告)号：CN114686832A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210322102.X
申请日：2022-03-30
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备减摩耐磨TiAlN/TiAlCN多层复合薄膜的方法，包括以下步骤：将预处理后的基体烘干，放置于磁控溅射与过滤阴极电弧复合的多激发源等离子体镀膜装置的旋转样品台上；将真空室抽真空并通入氩气，采用离子源对基体表面进行溅射清洗；分别以高纯金属硅和铝作为射频和直流脉冲磁控溅射的溅射靶材，高纯钛和石墨片作为直流磁过滤和脉冲阴极电弧的蒸发靶材，通过调节金属靶溅射功率、石墨靶脉冲频率和脉冲数制备TiAlN/TiAlCN多层复合薄膜。本发明制备的TiAlN/TiAlCN多层复合薄膜元素含量可调、调制周期易控，具有高硬度、高结合强度、低摩擦系数和良好耐磨性能。
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公开(公告)号：CN113774344A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111019565.0
申请日：2021-09-01
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钛硅共掺杂非晶碳氮复合薄膜的制备方法，首先将基体材料用金刚石微粉超声预处理后固定在真空镀膜室的旋转样品台上，调节基体与溅射靶之间距离；将镀膜室抽至本底真空后通入惰性气体或氮气，对基体表面进行离子溅射清洗；然后以高纯铬或硅靶作为脉冲直流磁控溅射的阴极靶材，在基体表面制备铬或硅薄膜缓冲层；最后以高纯钛柱、硅柱和石墨盘镶嵌组成的复合靶作为射频磁控溅射的阴极靶材，同时通入氩气、甲烷和氮气，在缓冲层表面制备钛硅共掺杂的非晶碳氮复合薄膜。本发明实现了非晶碳氮薄膜中的钛硅含量可调、非晶碳氮相、氮化硅相以及纳米晶石墨相和氮化物相的结构可控，得到的复合薄膜具有高硬度、高模量和低磨损率。
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公开(公告)号：CN108746204B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201810711027.X
申请日：2018-07-03
Applicant: 太原理工大学
IPC: B21B1/38
Abstract: 本发明属于金属复合板的材料加工技术领域，具体涉及一种波纹界面双金属复合板连续叠轧方法。首先采用波纹辊将坯料轧制波纹形复合板，在复合板波谷处形成应力峰值，促进波谷处的结合，再采用平辊进行叠轧，进而在波纹复合板波峰处形成应力峰值，使波峰处达到较高强度结合，该工艺利用两次不同位置的应力峰值可实现复合板从局部到整个面的高强度结合。波纹复合板采用该叠轧工艺轧平过程中金属的延伸主要是靠波峰位置处金属的压下实现的，波谷处金属的流动很小，这样波纹复合板轧平过程中波谷处就不容易产生断裂，且波峰处金属的压下又会给另一侧复合板波谷处一个反向的挤压应力，从而进一步提高原波谷处的结合强度，得到板形好的双金属复合板。
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公开(公告)号：CN105132878A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510577451.6
申请日：2015-09-11
Applicant: 太原理工大学
IPC: C23C14/46
Abstract: 本发明公开了一种在硅表面制备钛/类金刚石纳米多层薄膜的方法。具体包括下列步骤：将预先化学清洗的单晶硅基片烘干，放置于阴极电弧装置的旋转样品台上；抽真空，通入氩气到真空室，通过离子源对硅基片表面进行溅射清洗；以高纯的金属钛和石墨作为靶材，采用直流和脉冲双激发源阴极等离子体放电技术，分别制备钛纳米功能层和类金刚石薄膜；根据需要进行后期真空退火处理。该方法制备工艺简单，可用于制备不同表面结构的类金刚石纳米多层复合薄膜。本发明制备的钛/类金刚石纳米多层薄膜具有高硬度、低应力和减摩耐磨损性能。
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公开(公告)号：CN113774344B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202111019565.0
申请日：2021-09-01
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钛硅共掺杂非晶碳氮复合薄膜的制备方法，首先将基体材料用金刚石微粉超声预处理后固定在真空镀膜室的旋转样品台上，调节基体与溅射靶之间距离；将镀膜室抽至本底真空后通入惰性气体或氮气，对基体表面进行离子溅射清洗；然后以高纯铬或硅靶作为脉冲直流磁控溅射的阴极靶材，在基体表面制备铬或硅薄膜缓冲层；最后以高纯钛柱、硅柱和石墨盘镶嵌组成的复合靶作为射频磁控溅射的阴极靶材，同时通入氩气、甲烷和氮气，在缓冲层表面制备钛硅共掺杂的非晶碳氮复合薄膜。本发明实现了非晶碳氮薄膜中的钛硅含量可调、非晶碳氮相、氮化硅相以及纳米晶石墨相和氮化物相的结构可控，得到的复合薄膜具有高硬度、高模量和低磨损率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111850484B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202010723691.3
申请日：2020-07-24
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备强韧化非晶碳基多相杂化薄膜的装置及方法。该装置为射频磁控溅射辅助直流和脉冲阴极电弧多激发源等离子体镀膜装置，制备方法包括：将预处理后的基体烘干，放置于多激发源等离子体镀膜装置的旋转样品台上；抽真空，通入氩气到真空室，采用离子源对基体表面进行溅射清洗；分别以高纯金属铝、钛和石墨片作为磁控溅射靶材、直流和脉冲阴极电弧的蒸发靶材，通入氩气和氮气，根据纳米晶和非晶相形成规律设计多相杂化薄膜结构，调节样品台转速，采用多激发源等离子体技术引入功能掺杂元素和梯度中间层制备非晶碳基多相杂化薄膜。本发明制备的非晶碳基多相杂化薄膜结构可调、相组成分布可控，具有高硬度、高粘附强度和强韧性。
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公开(公告)号：CN111939776B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010584794.6
申请日：2020-06-24
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明提供一种微波氟化PVA超疏水膜的制备方法，其采用PDFMAXMAAy作为改性剂对微波处理后的PVA进行氟化改性后再成膜，制得微波氟化PVA超疏水膜。本发明还提供一种微波氟化PVA超疏水膜。本发明改性剂PDFMAXMAAy的制备采用简单的活性自由基聚合反应，该方法相比现有的技术所需的操作步骤少，操作简便，成本低，易于控制，易于工业化生产；改性膜采用旋涂法制备而成，不破坏膜结构，膜保持持久的稳定性；将两者结合起来，操作简单，使用范围广。
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公开(公告)号：CN112126964B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202010971164.4
申请日：2020-09-16
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射类金刚石‑二氧化钛纳米管复合薄膜的制备方法。制备方法包括：在预处理后的抛光钛基片上采用阳极氧化方法制备二氧化钛纳米管薄膜，电解液采用乙二醇‑氟化铵体系；然后将制备有二氧化钛纳米管薄膜的钛基片固定在真空室样品台上，以高纯甲烷作为反应气体，氩气作为工作气体，高纯石墨为溅射靶材，采用射频磁控溅射技术在二氧化钛纳米管薄膜表面沉积类金刚石薄膜，制得类金刚石‑二氧化钛纳米管复合薄膜。该方法利用类金刚石薄膜低电子亲和势的优势和纳米管自身特殊的尖端效应，使得制备的类金刚石‑二氧化钛纳米管复合薄膜表面具有较低的电子发射势垒和良好的场发射性能，作为冷阴极材料应用于场发射显示器和真空微电子器件领域。
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公开(公告)号：CN111850484A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010723691.3
申请日：2020-07-24
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备强韧化非晶碳基多相杂化薄膜的装置及方法。该装置为射频磁控溅射辅助直流和脉冲阴极电弧多激发源等离子体镀膜装置，制备方法包括：将预处理后的基体烘干，放置于多激发源等离子体镀膜装置的旋转样品台上；抽真空，通入氩气到真空室，采用离子源对基体表面进行溅射清洗；分别以高纯金属铝、钛和石墨片作为磁控溅射靶材、直流和脉冲阴极电弧的蒸发靶材，通入氩气和氮气，根据纳米晶和非晶相形成规律设计多相杂化薄膜结构，调节样品台转速，采用多激发源等离子体技术引入功能掺杂元素和梯度中间层制备非晶碳基多相杂化薄膜。本发明制备的非晶碳基多相杂化薄膜结构可调、相组成分布可控，具有高硬度、高粘附强度和强韧性。
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公开(公告)号：CN108642444B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201810467437.4
申请日：2018-05-16
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高透明光致发光的氧化锌‑聚乙烯复合涂层的制备方法，属于功能薄膜材料技术领域。制备方法包括下列步骤：将无水醋酸锌与聚乙烯按一定质量比机械搅拌混合后，经模压制成蒸发靶材，然后把制作好的靶材和预先清洗好的抛光单晶硅和石英玻璃基片放在真空室中，抽真空后采用脉冲激光辅助低能电子束蒸发装置制备醋酸锌‑聚乙烯复合涂层；制备的样品在马弗炉中进行退火处理，得到氧化锌‑聚乙烯复合涂层。该方法制备的氧化锌‑聚乙烯复合涂层具有较强的紫外光发射和弱蓝光发射特性，作为有机‑无机复合涂层可用于高性能紫外探测器和光电器件。
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