公开(公告)号：CN1173241A

公开(公告)日：1998-02-11

申请号：CN95197426.2

申请日：1995-12-01

申请人： 太平太阳有限公司

发明人： M·A·格林 ,  S·R·韦纳姆 ,  施正荣

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/036

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 一种半导体结构及其形成方法,所述结构中,支撑衬底或基片(12)为支撑上层的有源区提供机械力。淀积在衬底或基片(12)上的薄介质层(11)隔离所淀积的层与衬底,以防止光学、金属和/或化学穿透。然后淀积引晶层(13),适当处理引晶层可得到所要求的大晶粒。该层可以在淀积时结晶,或可以以非晶形式淀积,然后通过进一步的处理结晶。然后在引晶层上淀积极性交替变化的非晶硅层或硅合金层(14、15、16、17)的叠层,这些交替层中掺有n型或p型掺杂剂。然后进行固相结晶,获得在低温下持续加热这些层可获得的所要求的3μm或更大的晶粒。

公开(公告)号：CN1095205C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN95197426.2

申请日：1995-12-01

申请人： 太平太阳有限公司

发明人： M·A·格林 ,  S·R·韦纳姆 ,  施正荣

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/036

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 一种半导体结构及其形成方法，所述结构中，支撑衬底或基片(12)为支撑上层的有源区提供机械力。淀积在衬底或基片(12)上的薄介质层(11)隔离所淀积的层与衬底，以防止光学、金属和/或化学穿透。然后淀积引晶层(13)，适当处理引晶层可得到所要求的大晶粒。该层可以在淀积时结晶，或可以以非晶形式淀积，然后通过进一步的处理结晶。然后在引晶层上淀积极性交替变化的非晶硅层或硅合金层(14、15、16、17)的叠层，这些交替层中掺有n型或p型掺杂剂。然后进行固相结晶，获得在低温下持续加热这些层可获得的所要求的3μm或更大的晶粒。