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    光伏装置
    6.
    发明授权
    光伏装置 有权 转让

    公开(公告)号：CN103608932B

    公开(公告)日：2016-08-17

    申请号：CN201280029397.6

    申请日：2012-03-21

    申请人： 松下知识产权经营株式会社

    发明人： 矢野步 ,  大钟章义

    IPC分类号： H01L31/0747

    CPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/548

    摘要： 本发明提供一种光伏装置，其具备半导体基板（10）、形成在半导体基板（10）的表面上的i型非晶质层（12i）、形成在i型非晶质层（12i）上的p型非晶质层（12p）、形成在半导体基板（10）的背面上的i型非晶质层（16i）、和形成在i型非晶质层（16i）上的n型非晶质层（16n），在i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）中，具有从与半导体基板（10）的界面附近沿着膜厚方向浓度台阶状地减少的氧浓度分布，i型非晶质层（16i）的台阶状部分中的氧浓度比i型非晶质层（16i）的台阶状部分中的氧浓度高。

    多结光电器件及其生产工艺
    7.
    发明授权
    多结光电器件及其生产工艺 失效

    公开(公告)号：CN103238218B

    公开(公告)日：2016-07-27

    申请号：CN201180037153.8

    申请日：2011-06-23

    申请人： 洛桑联邦理工学院(EPFL)

    发明人： P·库奥尼 ,  M·德斯佩斯 ,  G·帕拉斯甘德乐 ,  C·巴立夫

    IPC分类号： H01L31/0368 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/076 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/02363 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/03687 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1816 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/548

    摘要： 本发明涉及一种多结光电器件，其包括按顺序排列的基底（4），第一导电层（2），至少两个基本的光电器件（6，10；），其中所述基本的光电器件中的至少一个（6）由微晶硅构成，以及第二导电层（8）。所述第一导电层（2）具有面向所述微晶硅基本光电器件的表面（2b），使得：所述表面（2b）具有大于100nm的横向特征尺寸（D），以及大于40nm的均方根粗糙度（Rrms），所述表面（2b）包括倾斜的基本表面，其使得a50大于20°，其中a50是第一导电层（2）的50%表面的基本表面具有等于或少于这个角度的倾角的角度，以及所述表面（2b）包括在两个基本表面之间形成并具有小于100nm曲率半径的凹部。并且，所述微晶硅基本光电器件（6）包括在其入射光侧的由至少一种硅合金SiMx构成的p?型层，其中所述M是O、C、N，并且x>0.1，所述p?型层包括硅晶粒。

    叠层型光电转换装置的制造方法
    9.
    发明授权
    叠层型光电转换装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN103733356B

    公开(公告)日：2016-05-11

    申请号：CN201280039241.6

    申请日：2012-08-10

    申请人： 株式会社钟化

    发明人： 松田高洋 ,  大谷哲史 ,  后藤雅博

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/20

    CPC分类号： H01L31/202 ,  H01L31/056 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明涉及一种具有前方光电转换单元(3)和后方光电转换单元(4)的叠层型光电转换装置的制造方法。前方光电转换单元的逆导电型层(33)的与后方光电转换单元(4)相接的一侧，是在含有硅和氧的非晶体合金中混合存在有硅结晶相的硅复合层。在本发明中，前方光电转换单元的硅复合层形成后，不取出至大气中，而是在同一制膜室内，形成后方光电转换单元(4)的晶体的一导电型层(41)以及晶体硅类光电转换层(42)。晶体硅类光电转换层(42)的形成开始时的功率密度，优选为前方光电转换单元的硅复合层形成时的功率密度的0.1倍以上且小于1倍的范围。