公开(公告)号：CN101512754B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200780028495.7

申请日：2007-07-27

申请人： 奈米系统股份有限公司

发明人： M·L·纳拉波鲁 ,  刘超 ,  段镶锋 ,  陈建 ,  J·W·帕斯 ,  K·C·克鲁登 ,  S·兰甘纳坦

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L27/10 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L21/28008 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/782 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/855 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891

摘要： 提供了一种用来形成纳米结构阵列或对其进行图案化的方法。所述方法包括在包含纳米结构缔合基团的涂层上形成阵列，在旋涂电介质中形成阵列，沉积纳米结构之后进行溶剂退火，使用光刻胶进行图案化，以及/或者使用促进阵列形成的器件。还提供了用来形成纳米结构阵列的相关的器件，其为包括纳米结构阵列的器件(例如存储器件)。还提供了保护纳米结构，使其免于在高温处理过程中熔合的方法。

公开(公告)号：CN101512754A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780028495.7

申请日：2007-07-27

申请人： 奈米系统股份有限公司

发明人： M·L·纳拉波鲁 ,  刘超 ,  段镶锋 ,  陈建 ,  J·W·帕斯 ,  K·C·克鲁登 ,  S·兰甘纳坦

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L27/10 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L21/28008 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/782 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/855 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891

摘要： 提供了一种用来形成纳米结构阵列或对其进行图案化的方法。所述方法包括在包含纳米结构缔合基团的涂层上形成阵列，在旋涂电介质中形成阵列，沉积纳米结构之后进行溶剂退火，使用光刻胶进行图案化，以及/或者使用促进阵列形成的器件。还提供了用来形成纳米结构阵列的相关的器件，其为包括纳米结构阵列的器件(例如存储器件)。还提供了保护纳米结构，使其免于在高温处理过程中熔合的方法。