一种金属和氮化硅陶瓷高温共烧复合基板的方法

    公开(公告)号:CN112552055A

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN202110048262.5

    申请日:2021-01-14

    摘要: 本发明公开了一种金属和氮化硅陶瓷高温共烧复合基板的方法,包括多层陶瓷、氮化硅陶瓷生坯膜和钨钼浆料,工艺包括高温烧结工艺、多层陶瓷生产工艺、丝网印刷工艺、叠压工艺、切片工艺和生产工艺,器件包括:排胶炉和气氛气压烧结炉,氮化硅陶瓷生坯膜生产工艺包括:氮化硅陶瓷粉、助烧剂氧化钇、粘结剂、流平剂和增塑剂,重量比为氧化钇占总重量的4%~7%、粘结剂占总重量的4%~8%、增塑剂和流平剂占总重量的5%~8%,其余为氮化硅陶瓷粉体,将上述材料混合成生胚膜放入氮气气氛中排胶,制得氮化硅陶瓷生坯膜;本发明一种金属和氮化硅陶瓷高温共烧复合基板的方法具有高温共烧出高热导的金属和氮化硅陶瓷、抗弯强度好的优点。

    一种氮化硅陶瓷桩的生产技术
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112661519A

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN202110118392.1

    申请日:2021-01-28

    摘要: 本发明公开了一种氮化硅陶瓷桩的生产技术,包括氮化硅87‑92%;氧化锌0.2‑0.8%;氧化镁0.1‑0.5%;氧化铝0.2‑1%;羟基磷灰石0.1‑0.3%;分散剂0.3‑0.8%;交联剂0.1‑0.5%;引发剂0.2‑0.5%;氮化硅、氧化锌、氧化镁、氧化铝、羟基磷灰石、分散剂、交联剂、引发剂,加入去离子水溶剂,在砂磨机中研磨至D50‑0.9um并混合均匀制成配方粉;料浆的制作:将配方粉加入到高温搅拌机中,依次加入PVB或PVA,石蜡、硬脂酸、流平剂等研磨成料浆;成型技术:将上述料浆采用热压铸成型法,制备出喂料——模具——热压铸成型;脱胶脱脂:按照5℃/min的升温速率,在脱胶炉中烧结至260℃‑‑320℃保温2—3h;再按照10℃/min的升温速率,在脱胶炉中烧结至320℃‑‑830℃保温1—3h;本发明具有耐人口腔唾液腐蚀性能强和适合性较高的优点。

    一种流延成型制备高纯氧化镁陶瓷承烧板生坯的方法

    公开(公告)号:CN112624741A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202110089880.4

    申请日:2021-01-22

    摘要: 本发明公开了一种流延成型制备高纯氧化镁陶瓷承烧板生坯的方法,包括复合材料的配方,氧化镁陶瓷采用高纯度轻质氧化镁为原料,高纯度的氧化钇、氧化铝以及氧化钛的一种或多种混合为添加剂制备而成,其中氧化镁纯度>99wt%,添加剂组成成分如下:0‑3wt%的分散剂、0‑15wt%的助溶剂,配制流延浆料:将研磨后的氧化镁粉体、烧结助剂氧化钇、氧化铝、氧化钛按比例加入到球磨罐中,再依次加入增塑剂、分散剂、高纯乙醇溶剂和有机胶,球磨12~80小时;本发明具有选用了增塑剂和高效粘结剂,优化了流延成型工艺参数,控制好陈腐处理时的黏度、流延机的刮刀高度、流延速度、干燥室温度等工艺参数,使得流延成型膜可控和满足需要,提高了生产效率和降低了生产成本的优点。

    一种氮化硅导电陶瓷生产后降温设备及其工艺

    公开(公告)号:CN116007393A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202211601212.6

    申请日:2022-12-13

    摘要: 本发明公开了一种氮化硅导电陶瓷生产后降温设备,包括没水箱:所述没水箱的内腔固定安装有第一链网输送机,所述没水箱的右侧设置有风冷组件,所述水冷组件包括水循环组件和翻涌组件,所述水循环组件包括固定安装在没水箱正表面和背表面左侧的循环泵,所述循环泵的进水端连通有进水管,所述进水管远离循环泵的一端贯穿至没水箱的内腔。本发明通过没水箱和第一链网输送机的配合使用,对氮化硅陶瓷进行没水冷却降温,通过水冷组件的设置,增强冷却液与氮化硅陶瓷接触充分性,同时可对冷却液进行循坏过滤,最终通过风冷组件的设置,对氮化硅陶瓷进行风冷降温,即可达到加工效率高、加工即时性强和降温速率快的目的。

    一种氮化硅陶瓷牙齿的制备方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113105247A

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN202110319097.2

    申请日:2021-03-25

    摘要: 本发明公开了一种氮化硅陶瓷牙齿的制备方法,原材料分为氮化硅粉体、超纯水、高纯氧化锌、氧化钇、氧化铝、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、分散剂0~1%和消泡剂0~0.15%,(1)磨粉:先称取所需氮化硅陶瓷粉体适量,将氮化硅陶瓷粉体装入砂磨机中,向砂磨机中注入超纯水,(2)配方:a相93%以上的氮化硅陶瓷粉体,粒径D50—0.8um占总重量的80‑‑‑92%;高纯氧化锌、氧化钇或氧化铝为助溶剂,粒径均为D50—0.5um;本发明一种氮化硅陶瓷牙齿的制备方法具有牙根无金属成分,自我感觉舒适,缩短了患者术后的适应期、硬度和强度高,患者无需顾忌耐磨性、生物相容性好,优于各种金属或其它非金属材料的优点。

    一种金属和氮化硅陶瓷高温共烧复合基板的方法

    公开(公告)号:CN112608155A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011599178.4

    申请日:2020-12-30

    摘要: 本发明公开了一种金属和氮化硅陶瓷高温共烧复合基板的方法,包括多层陶瓷、氮化硅陶瓷生坯膜和钨钼浆料,工艺包括高温烧结工艺、多层陶瓷生产工艺、丝网印刷工艺、叠压工艺、切片工艺和生产工艺,器件包括:排胶炉和气氛气压烧结炉,氮化硅陶瓷生坯膜生产工艺包括:氮化硅陶瓷粉、助烧剂氧化钇、粘结剂、流平剂和增塑剂,重量比为氧化钇占总重量的4%~7%、粘结剂占总重量的4%~8%、增塑剂和流平剂占总重量的5%~8%,其余为氮化硅陶瓷粉体,将上述材料混合成生胚膜放入氮气气氛中排胶,制得氮化硅陶瓷生坯膜;本发明一种金属和氮化硅陶瓷高温共烧复合基板的方法具有高温共烧出高热导的金属和氮化硅陶瓷、抗弯强度好的优点。

    一种流延成型制备高纯氧化镁陶瓷承烧板生坯的方法

    公开(公告)号:CN112624741B

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202110089880.4

    申请日:2021-01-22

    摘要: 本发明公开了一种流延成型制备高纯氧化镁陶瓷承烧板生坯的方法,包括复合材料的配方,氧化镁陶瓷采用高纯度轻质氧化镁为原料,高纯度的氧化钇、氧化铝以及氧化钛的一种或多种混合为添加剂制备而成,其中氧化镁纯度>99wt%,添加剂组成成分如下:0‑3wt%的分散剂、0‑15wt%的助溶剂,配制流延浆料:将研磨后的氧化镁粉体、烧结助剂氧化钇、氧化铝、氧化钛按比例加入到球磨罐中,再依次加入增塑剂、分散剂、高纯乙醇溶剂和有机胶,球磨12~80小时;本发明具有选用了增塑剂和高效粘结剂,优化了流延成型工艺参数,控制好陈腐处理时的黏度、流延机的刮刀高度、流延速度、干燥室温度等工艺参数,使得流延成型膜可控和满足需要,提高了生产效率和降低了生产成本的优点。

    一种制备高纯石英粉体的生产工艺

    公开(公告)号:CN111285376A

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN202010294529.4

    申请日:2020-04-15

    摘要: 本发明公开了一种制备高纯石英粉体的生产工艺,包括以下步骤:(1)依次采用破碎、研磨、选择性浮选、磁选、超声波分散的工艺对石英原料进行预处理,其中所述的研磨操作所使用的研磨介质与耐磨材料均选择氮化硅陶瓷磨介环、氮化硅陶瓷磨介球、氮化硅陶瓷搅拌棒或氮化硅陶瓷研磨桶壁;(2)将步骤(1)预处理过的石英原料置于含HCl蒸汽或HCl和N2的混合蒸汽中,将碱金属杂质扩散到处理过的石英晶体的表面,得到纯化的石英晶体;(3)回收纯化的石英粉体。在对石英原料进行研磨的操作中,本申请采用氮化硅陶瓷原料作为研磨介质,对石英粉体纯度的提高具有重要的作用,从而使得机械办法生产高纯石英粉体成为可能,极大地降低了生产成本。

    一种用于氮化硅陶瓷基板倒角研磨装置

    公开(公告)号:CN220312840U

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202321503530.9

    申请日:2023-06-14

    摘要: 本实用新型涉及一种用于氮化硅陶瓷基板倒角研磨装置,属于研磨技术领域。其主要解决容易因基板尺寸研磨倒角时存在研磨精度不合格的问题,提出如下技术方案。包括工作台,所述工作台的顶部通过轴承转动连接有多个传动辊,所述工作台的两侧固定连接有工作架,所述工作架的表面固定连接有两个连接块,两个所述连接块之间通过轴承转动连接有双向螺纹杆,所述连接块的一侧固定连接有伺服电机。本实用新型通过双向螺纹杆、伺服电机、移动块和研磨电机之间的配合下,使其可以根据不同尺寸大小的基板进行调节研磨倒角,从而有效的避免因基板尺寸研磨倒角时精度不合格问题,进而增强了基板研磨倒角研磨时的的质量。