公开(公告)号：CN100505124C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200410089821.3

申请日：2004-11-01

Applicant: 学校法人早稻田大学 ,  冲电气工业株式会社 ,  东京応化工业株式会社

Inventor： 逢坂哲弥 ,  小岩一郎 ,  桥本晃 ,  佐藤善美

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/008 ,  H01G4/1227 ,  H01G13/006 ,  H05K1/162 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2203/016 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  Y10T29/49169

Abstract: 本发明提供不损害高密度组装衬底的电特性和尺寸特性，可内置在衬底内、并且具有充分的电容的薄膜电容器、薄膜电容器内置型高密度组装衬底、以及薄膜电容器的制造方法。制造下述结构的薄膜电容器，作为半导体布线板的内置用无源部件使用：至少具有高介电层和从上下夹住它的上部电极层和下部电极层而构成，上述上部和下部电极层的触点部引出到上述上部电极之上，上述高介电层的膜厚为200nm-50nm。

公开(公告)号：CN1612273A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410089821.3

申请日：2004-11-01

Applicant: 学校法人早稻田大学 ,  冲电气工业株式会社 ,  东京応化工业株式会社

Inventor： 逢坂哲弥 ,  小岩一郎 ,  桥本晃 ,  佐藤善美

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/008 ,  H01G4/1227 ,  H01G13/006 ,  H05K1/162 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2203/016 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  Y10T29/49169

Abstract: 本发明提供不损害高密度组装衬底的电特性和尺寸特性，可内置在衬底内、并且具有充分的电容的薄膜电容器、薄膜电容器内置型高密度组装衬底、以及薄膜电容器的制造方法。制造下述结构的薄膜电容器，作为半导体布线板的内置用无源部件使用：至少具有高介电层和从上下夹住它的上部电极层和下部电极层而构成，上述上部和下部电极层的触点部引出到上述上部电极之上，上述高介电层的膜厚为200nm－50nm。