一种五氧化二钽晶须及其制备方法

    公开(公告)号:CN111850686B

    公开(公告)日:2021-08-31

    申请号:CN202010710830.9

    申请日:2020-07-22

    摘要: 本申请涉及金属化学冶炼技术领域,尤其涉及一种五氧化二钽晶须及其制备方法。本申请提供的五氧化二钽晶须及其制备方法,以钽酸溶液为前驱体溶液,制备五氧化二钽晶须,利用该前驱体溶液在一定的水热条件和分散剂作用下,可以调节反应溶液的表面张力,使五氧化二钽取向结晶,从而控制五氧化二钽以纤维结构生长,获得独特的一维取向结构形貌,进而提高五氧化二钽的比表面积和活性结点。通过本申请中五氧化二钽晶须制备方法制得的一维取向结构形貌的五氧化二钽晶须,具有较大的比表面积,且活性高,同时具有良好的孔隙度,尤其适用于作为光催化剂、镁蒸汽还原五氧化二钽制备金属钽粉、高介电材料等领域的使用。

    高纯氟钽酸钾的制备方法

    公开(公告)号:CN108910949B

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN201810786881.2

    申请日:2018-07-18

    IPC分类号: C01G35/00

    摘要: 本发明涉及一种高纯氟钽酸钾的制备方法。其特点是,包括如下步骤:(1)分解:将钽铌矿物加入至氢氟酸和硫酸中分解;(2)矿浆萃取:利用MIBK溶剂或者仲辛醇溶剂进行逆流萃取,将氟铌酸和氟钽酸萃取至溶剂中;(3)酸洗:采用硫酸溶液逆流与步骤(2)萃取后得到的溶剂接触;(4)反铌提钽:利用硫酸溶液与得到的溶剂在萃取槽逆流萃取,提取氟铌酸至水相中,形成氟铌酸水溶液;(5)反钽:将剩余有机溶液在另一个萃取槽中,利用纯水将氟钽酸有机溶液反萃取至纯水中,形成氟钽酸水溶液;(6)合成:(7)冷却结晶。本发明提供了一种分段反萃取和分段结晶方法制备出高纯度氟钽酸钾的方法,可以有效去除氟钽酸钾中的杂质。

    一种五氧化二钽晶须及其制备方法

    公开(公告)号:CN111850686A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202010710830.9

    申请日:2020-07-22

    摘要: 本申请涉及金属化学冶炼技术领域,尤其涉及一种五氧化二钽晶须及其制备方法。本申请提供的五氧化二钽晶须及其制备方法,以钽酸溶液为前驱体溶液,制备五氧化二钽晶须,利用该前驱体溶液在一定的水热条件和分散剂作用下,可以调节反应溶液的表面张力,使五氧化二钽取向结晶,从而控制五氧化二钽以纤维结构生长,获得独特的一维取向结构形貌,进而提高五氧化二钽的比表面积和活性结点。通过本申请中五氧化二钽晶须制备方法制得的一维取向结构形貌的五氧化二钽晶须,具有较大的比表面积,且活性高,同时具有良好的孔隙度,尤其适用于作为光催化剂、镁蒸汽还原五氧化二钽制备金属钽粉、高介电材料等领域的使用。

    一种钽电容器用电子级硝酸锰的制备方法

    公开(公告)号:CN102583564A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210078589.8

    申请日:2012-03-23

    IPC分类号: C01G45/08

    摘要: 本发明涉及一种钽电容器电子级硝酸锰的制备方法,其工艺步骤为:a.将经破碎、洗涤后的金属锰加入到稀硝酸中,边加边搅拌,至金属锰完全溶解,后静置10~40分钟,b.将上述溶液粗过滤后用稀硝酸调pH值为2~4,c.将调酸后的溶液真空加热浓缩至所需比重,后用稀硝酸调pH值2~5,冷却,精密过滤后得到硝酸锰溶液产品。本发明能够工业化批量生产液态硝酸锰产品,达到钽电容器用电子级产品使用标准。通过本发明生产的电子级硝酸锰产生的二氧化锰的纯度高、晶体结构好、化学活性好,得到的二氧化锰层均匀、致密、颗粒细、附着牢固、电阻率小、使用的单耗低;而且产生二氧化锰的铁、钙、铅、钾、镁等化学杂质含量都比较低,适合于作为高纯催化剂、氧化剂、吸附剂等。

    一种高纯钽锭及其制备方法

    公开(公告)号:CN111893325B

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202010604800.X

    申请日:2020-06-29

    IPC分类号: C22B34/24 C22B9/22

    摘要: 本发明涉及一种高纯钽锭及其制备方法。其特点是,包括如下步骤:(1)将高熔点金属杂质含量较低的钽粉成型;(2)在真空下高温烧结制得钽棒、钽条或者钽块,采用同样纯度的钽丝制备真空电子束熔炼用的熔炼电极;(3)采用真空电子束熔炼炉进行至少两次熔炼,要求第一次熔炼采用水平进料或者垂直进料方式,在第二次或者第二次以后的熔炼均采用垂直进料方式;在进行第二次或者第二次以后的电极熔炼时要求电极旋转,控制旋转速度为0.3‑0.8r/min。通过熔炼的工艺控制,其熔炼的钽铸锭纯度高,尤其间隙杂质元素C、O、N、H较低,其铸锭硬度低,气孔、疏松、缩孔等缺陷少,适于压力加工制备钽靶材等高端加工材。

    一种辐照监督管用高纯度铌片用高纯氧化铌的制备方法

    公开(公告)号:CN112010348B

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202010958800.X

    申请日:2020-09-14

    IPC分类号: C01G33/00

    摘要: 本申请提供了一种辐照监督管用高纯度铌片用高纯氧化铌的制备方法,在制备过程中,采用多次酸洗和萃取结合工艺,针对性的去除了高纯氧化铌中的钽、钨、钼杂质,同时对高纯氧化铌中的其他金属杂质亦有去除效果,有效避免了传统工艺对钽、钨、钼无法深度去除的缺点,制备出一种纯度高、化学杂质水平均优于行业标准的高纯度氧化铌,解决了传统制备高纯度的氧化铌方法中,对于制备过程中存在的钽、钨、钼没有采取针对性较强的特殊方法进行处理,导致制备的氧化铌杂质偏高,生产的高纯氧化铌无法满足超导、电子军工材料等据特殊条件的使用要求的问题。

    一种高纯钽锭及其制备方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111893325A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN202010604800.X

    申请日:2020-06-29

    IPC分类号: C22B34/24 C22B9/22

    摘要: 本发明涉及一种高纯钽锭及其制备方法。其特点是,包括如下步骤:(1)将高熔点金属杂质含量较低的钽粉成型;(2)在真空下高温烧结制得钽棒、钽条或者钽块,采用同样纯度的钽丝制备真空电子束熔炼用的熔炼电极;(3)采用真空电子束熔炼炉进行至少两次熔炼,要求第一次熔炼采用水平进料或者垂直进料方式,在第二次或者第二次以后的熔炼均采用垂直进料方式;在进行第二次或者第二次以后的电极熔炼时要求电极旋转,控制旋转速度为0.3-0.8r/min。通过熔炼的工艺控制,其熔炼的钽铸锭纯度高,尤其间隙杂质元素C、O、N、H较低,其铸锭硬度低,气孔、疏松、缩孔等缺陷少,适于压力加工制备钽靶材等高端加工材。