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公开(公告)号：CN103708812A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310681363.1
申请日：2013-12-12
申请人： 宁夏东方钽业股份有限公司 , 国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种溅射用IGZO氧化物靶材的制备方法。其特点是，包括如下步骤：（1）将原料In2O3、Ga2O3和ZnO按原子比1:0.5～1.5:0.5～1.5比例混合；（2）将得到的混合料湿法球磨12-18h；（3）将球磨后的混合料装入模具中，保持压力1MPa～2MPa，保压时间1小时～3小时；（4）将得到的胚块在10℃～20℃时干燥5-7天；（5）将胚块在1200℃～1450℃烧结，保温180～300min，冷却后即可得到溅射用IGZO氧化物靶材。本发明提供了一种成本低廉，质量等各方面能满足要求的制取IGZO靶胚的制备方法，可以制备形状复杂、尺寸大、密度均匀的IGZO基氧化物坯体。
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公开(公告)号：CN105177513A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510228169.7
申请日：2015-05-07
申请人： 宁夏东方钽业股份有限公司 , 国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心
CPC分类号： Y02P10/295
摘要： 本发明涉及半导体用高纯钽靶材的粉末冶金制备方法，尤其是一种用粉末冶金法制备高性能钽靶材的方法。其特点是，包括如下步骤：(1)将要烧结的钽粉末装入模具中；(2)将模具放入电火花烧结炉中对粉末进行放电等离子烧结；(3)烧结结束后，冷却至不超过160℃后出炉，脱模；(4)对得到的钽靶坯机械加工成所需尺寸即可。采用本发明的方法可以得到粒度均匀、无织构的内部组织，提高靶材性能，本发明方法还具有烧结温度低，可快速烧结出致密钽靶材，靶材内部晶粒均匀细小，无择优取向等特点。
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公开(公告)号：CN105133020A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510512843.4
申请日：2015-08-20
申请人： 宁夏东方钽业股份有限公司 , 国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心
摘要： 一种粉末合成法制备钽、铌及其合金单晶的方法，制备过程主要包括：将钽铌及其合金粉末装入模具中；将模具装入电火花烧结炉中施加一定的压力，对粉末进行电火花烧结；烧结完后，炉温降至100℃以下出炉，取出烧结块去除表皮即为钽铌及其合金单晶。该方法具有工艺流程短、操作简单、单晶制备速度快等优点。
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公开(公告)号：CN102557115B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201110455121.1
申请日：2011-12-31
申请人： 西北稀有金属材料研究院 , 国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心
发明人： 王东新 , 钟景明 , 孙本双 , 李彬 , 扈百直 , 刘孝宁 , 罗文 , 张红梅 , 刘秉宁 , 征卫星 , 李海军 , 刘卫国 , 马春红 , 岳坤 , 吴红 , 郑金凤 , 马晓波 , 赵世乾 , 徐娟 , 马建保
摘要： 本发明提供了一种锡掺杂氧化铟球形纳米粉体的制备方法，该方法包括如下步骤：(1)称取水溶性铟盐并将其溶入去离子水中，再加入作为掺杂剂的锡盐，并在室温下充分搅拌后得到混合溶液，(2)向所述混合物溶液中加入氨水或铵盐调整pH＝9-11，生成前驱体，(3)将所述前驱体移入反应釜内，在260-360摄氏度的温度下进行水热合成反应3-120小时得到反应产物，和(4)将反应产物在反应釜内冷却至室温，然后用去离子水清洗反应产物并烘干之后，即可得到纳米粒径的球形锡掺杂氧化铟粉体。本发明所制备的纳米锡掺杂氧化铟粉体的形貌为球形，平均粒径在20-400nm。
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公开(公告)号：CN101830498A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200910118196.3
申请日：2009-03-11
申请人： 西北稀有金属材料研究院 , 国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心
IPC分类号： C01G19/02 , C01G15/00 , C04B35/01 , C04B35/457 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种ITO粉末的制备方法，包括步骤：a)在铟锡溶液中加入浓度为10重量％～30重量％的碱性水溶液得到铟锡氢氧化物沉淀溶液，在加入碱性水溶液的过程中，控制初始沉淀溶液的温度在18℃～30℃；b)分离沉淀溶液中的沉淀物和液体；c)洗涤分离后得到的沉淀物；d)煅烧沉淀物得到ITO粉末。按照本发明，在铟锡溶液中加入碱性水溶液时，碱性水溶液浓度和沉淀温度对于粉末的烧结性能具有重要的影响，选择适当的碱性水溶液浓度和沉淀温度有助于提高ITO粉末的烧结性能，利用本发明提供的ITO粉末制备的ITO烧结体的密度至少为7.08g/cm3、体电阻率低于1.90×10-4Ω·cm，烧结体的最大晶粒尺寸低于10μm。
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公开(公告)号：CN102557115A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110455121.1
申请日：2011-12-31
申请人： 西北稀有金属材料研究院 , 国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心
发明人： 王东新 , 钟景明 , 孙本双 , 李彬 , 扈百直 , 刘孝宁 , 罗文 , 张红梅 , 刘秉宁 , 征卫星 , 李海军 , 刘卫国 , 马春红 , 岳坤 , 吴红 , 郑金凤 , 马晓波 , 赵世乾 , 徐娟 , 马建保
摘要： 本发明提供了一种锡掺杂氧化铟球形纳米粉体的制备方法，该方法包括如下步骤：(1)称取水溶性铟盐并将其溶入去离子水中，再加入作为掺杂剂的锡盐，并在室温下充分搅拌后得到混合溶液，(2)向所述混合物溶液中加入氨水或铵盐调整pH＝9-11，生成前驱体，(3)将所述前驱体移入反应釜内，在260-360摄氏度的温度下进行水热合成反应3-120小时得到反应产物，和(4)将反应产物在反应釜内冷却至室温，然后用去离子水清洗反应产物并烘干之后，即可得到纳米粒径的球形锡掺杂氧化铟粉体。本发明所制备的纳米锡掺杂氧化铟粉体的形貌为球形，平均粒径在20-400nm。
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公开(公告)号：CN101575203B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200910117332.7
申请日：2009-06-19
申请人： 西北稀有金属材料研究院 , 国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心
IPC分类号： C23C14/08 , C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/34 , C23C14/35
摘要： 本发明是一种ITO溅射靶材的制备方法，原料由In2O3及SnO2组成，两者的质量百分比为90∶10，其工艺过程按以下步骤完成：ITO粉末预烧结；ITO粉末失氧处理；真空热压；毛坯的机械加工。其中，真空热压的条件为：在真空条件下，950～1100℃保温2～3h，保压压力9～15MPa。本发明采用氧化锡和氧化铟为原料，通过失氧等工艺保证了产品一流的质量，同时，同等质量下生产的周期较短，节约了生产成本。
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公开(公告)号：CN202763986U
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201220331534.9
申请日：2012-07-10
申请人： 国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心 , 西北稀有金属材料研究院
IPC分类号： B28B7/00
摘要： 本实用新型涉及一种大尺寸陶瓷靶材的压力注浆成型模具，其特点是：包括一中空模框(1)，在该中空模框(1)上开有压力注浆口(2)，而在该中空模框(1)上相对的两端均开口，在该两个开口处分别固定有陶瓷微孔板(3)从而将开口处密封，而在该两块陶瓷微孔板(3)外表面上分别安装有上模板(4)和下模板(5)。本实用新型模具可连续注浆，提高产品的生产效率，提高了陶瓷素坯的均匀性和密度，其中注浆后的素坯表面平整、光滑无裂纹，烧结体不易出现碎裂、密度不均匀的现象，能应用于不同尺寸的陶瓷平面靶材，尤其是大尺寸陶瓷平面靶材，工艺流程简单，适合高效率、机械化的大规模生产。
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公开(公告)号：CN103146974A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310102061.4
申请日：2013-03-27
申请人： 宁夏东方钽业股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种靶材用钼铌合金板的制备方法。其特点是，包括如下步骤：首先将钼粉和铌粉按照5～15：85～95的质量比混合得到混合粉，将该混合粉压成合金坯，然后进行烧结，烧结过程中通入氢气进行保护，当烧结温度到1000℃保温2～3小时，再升温到1700℃保温2～3小时，然后升温到1950℃保温8～10小时，最终烧结成合金坯状，再经过1200～1400℃高温煅造后在1500～1600℃下轧制成板材即可。本发明提供了一种成本低廉，质量等各方面能满足要求的靶材用钼铌合金板的新方法，产品主要应用于平板显示器等领域。
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公开(公告)号：CN103146974B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310102061.4
申请日：2013-03-27
申请人： 宁夏东方钽业股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种靶材用钼铌合金板的制备方法。其特点是，包括如下步骤：首先将钼粉和铌粉按照5～15：85～95的质量比混合得到混合粉，将该混合粉压成合金坯，然后进行烧结，烧结过程中通入氢气进行保护，当烧结温度到1000℃保温2～3小时，再升温到1700℃保温2～3小时，然后升温到1950℃保温8～10小时，最终烧结成合金坯状，再经过1200～1400℃高温煅造后在1500～1600℃下轧制成板材即可。本发明提供了一种成本低廉，质量等各方面能满足要求的靶材用钼铌合金板的新方法，产品主要应用于平板显示器等领域。
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