公开(公告)号：CN118335261A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410589739.4

申请日：2024-05-13

Applicant: 宁夏东方钽业股份有限公司 ,  西安理工大学

Inventor： 王爱娟 ,  李兆博 ,  葛栋梁 ,  齐萌 ,  汪凯 ,  赵佩 ,  王佳乐

IPC: G16C60/00 ,  G16C10/00 ,  G06F30/20 ,  G06F119/14

Abstract: 本申请涉及钽材料加工技术领域，公开了一种纯钽材料轧制过程的分子动力学模拟方法及系统。所述纯钽材料轧制过程的分子动力学模拟方法，包括：S1，构建初始晶胞模型，基于初始晶胞模型建立多晶模型；S2，对所述多晶模型进行优化；S3，基于优化后的多晶模型，选取预采用的轧制系综和轧制模拟参数构建轧制模型，模拟轧制过程，获取轧制模拟结果。本申请通过建立初始晶胞模型和多晶模型，并引入轧制所需的条件构建轧制模型进行模拟轧制，研究纳米多晶纯钽在轧制过程中的实时变化，获取每个状态的微观结构演化和位错结构，研究轧制过程中位错运动、原子迁移及晶体取向演变，确定位错运动对晶体取向演变的影响规律。本申请有助于理解钽材内部位错的演化过程，并基于模拟结果对钽材料进行改进；可针对性的提高钽材的性能，缩短了试验周期，降低了试验成本。

公开(公告)号：CN115493584A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211171023.X

申请日：2022-09-22

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 王璐 ,  罗丽燕 ,  张爽 ,  王佳乐

IPC: G01C21/02 ,  G01C21/20 ,  G06F17/15

Abstract: 本发明公开的基于EWT的脉冲星信号去噪方法，具体为：S1、获取脉冲星累积脉冲轮廓x(t)，其中t表示时间变量；S2、对脉冲星累积脉冲轮廓x(t)进行EWT分解；S3、对{emfm(t),m＝1,2,…,M}共M个EMF进行FFT；S4、计算频域特征集合{EMAm,m＝1,2,…,M}；S5、确定高频EMF分量的起始层数K；S6、将第M层EMF分量emfM(t)作为噪声直接剔除；S7、利用小波阈值方法对emfK(t)～emfM‑1(t)进行降噪处理，降噪结果记作S8、利用Savitzky‑Golay平滑滤波方法对emf1(t)～emfK‑1(t)这些低频EMF分量进行降噪处理，降噪结果记作S9、得到去噪后的脉冲星信号该方法能够有效提高脉冲星累积轮廓的信噪比，改善脉冲星累积轮廓的质量。