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公开(公告)号：CN115097209A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210703687.X
申请日：2022-06-21
申请人： 宁夏中晶半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于P型轻掺(掺硼)单晶硅片电阻率测试前的预处理方法包括以下步骤：当P型轻掺(掺硼)单晶硅晶体高温退火急速冷却后，单晶硅片的表面会形成铁硼金属复合层，对单晶硅片表面的铁硼金属复合层进行打磨，来去除单晶硅片表面的铁硼金属复合层；将单晶硅片表面的铁硼金属复合层磨掉后，将单晶硅片放置在恒温箱内，并对单晶硅片恒温4‑8h进行恒温处理。本发明具备检测稳定的优点，解决了目前电阻率测试前预处理工艺，在对P型轻掺(掺硼)单晶硅测试时波动大且测试不稳定，测试波动大于5％，无法测试出准确电阻率的问题。
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公开(公告)号：CN115058767A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210603691.9
申请日：2022-05-30
申请人： 宁夏中晶半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于MCZ法拉制重掺锑单晶的加掺方法和装置，该方法包括以下步骤：事先在连杆的底部分别套设上单晶硅片和下单晶硅片，限位凸起对下单晶硅片和上单晶硅片的底部进行支撑，在将钟罩套设在连杆上，上单晶硅片和下单晶硅片对钟罩的底部进行封闭，使锑金属原料能够储存在储存腔的内腔，单晶硅在坩埚内部融化后，根据单晶硅液的量，来对需要添加的锑金属重量进行计算。本发明具备便于加料进行掺杂的优点，解决了目前的锑单晶加掺方法在伞盖上部铺设金属小料来进行加掺，但是籽晶在坩埚内生长为伞盖状耗时较长，生长过程中容易产生埚内结晶现象，伞盖太小无法完全盛放掺杂金属的问题。
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公开(公告)号：CN117265670A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311304801.2
申请日：2023-10-10
申请人： 宁夏中晶半导体材料有限公司
摘要： 本发明涉及单晶硅棒表面氮化硅去除技术领域，具体为一种去除单晶硅棒表面氮化硅的方法，包括如下步骤：取900‑1000克的氢氧化钠溶解于10000毫升纯水中；将母合金硅片放置于步骤一得到的氢氧化钠溶液中浸泡5‑8分钟后取出冲洗干净；将步骤二冲洗干净的母合金硅片用氢氟酸：硝酸＝1:8‑10的混合液进行正常清洗5‑8分钟后取出，纯水冲洗干净。与现有技术相比，本发明具备如下有益效果：本发明的去除单晶硅棒表面氮化硅的方法能将硅棒表面的氮化硅去除干净。
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公开(公告)号：CN115044965A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210846425.9
申请日：2022-07-19
申请人： 宁夏中晶半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于CZ法拉晶的加掺装置及其使用方法，包括重锤和吊绳，所述吊绳安装于重锤的顶部，所述重锤的表面固定套设有套环，所述套环的表面固定连接有连杆，所述连杆的一端固定安装有加掺杯，所述加掺杯的内壁活动连接有硅片，所述加掺杯的底部固定连接有支撑架，所述支撑架表面分别活动套设有第一下料板和第二下料板，所述第一下料板的底部固定镶嵌有铁氧磁块，所述第二下料板的底部固定镶嵌有铁块。本发明具备加掺稳定的优点，解决了目前的加掺方法首先用时较长，耗费人工及电耗等生产成本，其次该方法加掺不稳定，结晶硅片受热容易炸裂，造成掺杂剂被氩气吹拂至炉筒内，无法有效补充掺杂剂的问题。
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公开(公告)号：CN114875495B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202210525353.8
申请日：2022-05-18
申请人： 宁夏中晶半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种确定111晶向单晶硅晶线的方法，包括以下步骤：事先配置化学腐蚀试剂，在将晶棒尾段放置在化学腐蚀试剂进行腐蚀，使得单晶表面出现凹坑，化学腐蚀试剂的配比方法，将氢氧化钠和纯水倒入反应釜内部，进行混合搅拌，使氢氧化钠和纯水混合生成碱溶液；把制备的碱溶液倒入到容器的内部，在容器的底部放置镂空圆环，把容器放置在电炉的顶部，控制电炉通电，电炉对容器进行加热，容器对内部的碱溶液进行加热。本发明具备高效便捷的优点，解决了目前的确定单晶硅晶线的方法，不便于对单晶硅的晶线进行快速确定，确定流程复杂，增加了单晶硅的加工成本的问题。
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公开(公告)号：CN114952458B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202210546117.4
申请日：2022-05-19
申请人： 宁夏中晶半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种调整晶棒正晶向滚磨加工的装置和方法，包括机体和工作台，所述工作台顶部的左侧通过螺栓安装有安装座，所述安装座的顶部通过螺栓分别固定安装有减速器和轴承座，所述减速器的左侧通过螺栓固定连接有第一电机，所述减速器的输出轴固定连接有转杆，所述工作台顶部的右侧滑动连接有固定座。本发明具备调整晶向的优点，解决了目前的晶棒在进行正晶向滚磨加工前，不便于对晶棒的晶向偏离度进行调整，容易导致加工完毕的晶棒出现晶向超标的情况，晶向超标后无法调整晶棒的晶向，容易导致产品报废，在进行后续切片时需要再次调整晶向，会造成晶棒的切片成品率低、椭圆形和翘曲度大等问题。
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公开(公告)号：CN115044965B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210846425.9
申请日：2022-07-19
申请人： 宁夏中晶半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于CZ法拉晶的加掺装置及其使用方法，包括重锤和吊绳，所述吊绳安装于重锤的顶部，所述重锤的表面固定套设有套环，所述套环的表面固定连接有连杆，所述连杆的一端固定安装有加掺杯，所述加掺杯的内壁活动连接有硅片，所述加掺杯的底部固定连接有支撑架，所述支撑架表面分别活动套设有第一下料板和第二下料板，所述第一下料板的底部固定镶嵌有铁氧磁块，所述第二下料板的底部固定镶嵌有铁块。本发明具备加掺稳定的优点，解决了目前的加掺方法首先用时较长，耗费人工及电耗等生产成本，其次该方法加掺不稳定，结晶硅片受热容易炸裂，造成掺杂剂被氩气吹拂至炉筒内，无法有效补充掺杂剂的问题。
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公开(公告)号：CN111154565A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911419536.6
申请日：2019-12-31
申请人： 宁夏中晶半导体材料有限公司
摘要： 一种硅料清洗剂,包括了清洗剂SX1和清洗剂SX2两部分；所述清洗剂SX1由柠檬酸、乙酸、甜菜碱和高纯水配置组成，质量比为柠檬酸0.5-1份、乙酸0.2-0.5份、甜菜碱0.5-1.0份、余量为高纯水；所述清洗剂SX2由氢氟酸配置去离子水制成，质量比为氢氟酸5份、余量为去离子水。有益效果在于：所使用的酸均为弱酸，不会对操作人员产生危害，安全性高；在对硅料的清洗过程中不会产生氮氧化物，对硅料表面伤害小，对环境不会产生污染，清洗后的废液酸性弱，容易处理。
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公开(公告)号：CN115058767B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202210603691.9
申请日：2022-05-30
申请人： 宁夏中晶半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于MCZ法拉制重掺锑单晶的加掺方法和装置，该方法包括以下步骤：事先在连杆的底部分别套设上单晶硅片和下单晶硅片，限位凸起对下单晶硅片和上单晶硅片的底部进行支撑，在将钟罩套设在连杆上，上单晶硅片和下单晶硅片对钟罩的底部进行封闭，使锑金属原料能够储存在储存腔的内腔，单晶硅在坩埚内部融化后，根据单晶硅液的量，来对需要添加的锑金属重量进行计算。本发明具备便于加料进行掺杂的优点，解决了目前的锑单晶加掺方法在伞盖上部铺设金属小料来进行加掺，但是籽晶在坩埚内生长为伞盖状耗时较长，生长过程中容易产生埚内结晶现象，伞盖太小无法完全盛放掺杂金属的问题。
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公开(公告)号：CN114952458A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210546117.4
申请日：2022-05-19
申请人： 宁夏中晶半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种调整晶棒正晶向滚磨加工的装置和方法，包括机体和工作台，所述工作台顶部的左侧通过螺栓安装有安装座，所述安装座的顶部通过螺栓分别固定安装有减速器和轴承座，所述减速器的左侧通过螺栓固定连接有第一电机，所述减速器的输出轴固定连接有转杆，所述工作台顶部的右侧滑动连接有固定座。本发明具备调整晶向的优点，解决了目前的晶棒在进行正晶向滚磨加工前，不便于对晶棒的晶向偏离度进行调整，容易导致加工完毕的晶棒出现晶向超标的情况，晶向超标后无法调整晶棒的晶向，容易导致产品报废，在进行后续切片时需要再次调整晶向，会造成晶棒的切片成品率低、椭圆形和翘曲度大等问题。
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