公开(公告)号：CN118973371A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411445981.0

申请日：2024-10-16

Applicant: 宁波大学 ,  中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 李志恒 ,  姚雄 ,  解忍杰 ,  曹彦伟 ,  肖绍铸 ,  王宏伟

IPC: H10N60/01 ,  H10N60/10 ,  H10N60/85 ,  C30B33/12 ,  C30B25/18 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明涉及一种非原位生长拓扑超导异质结的方法，本发明利用分子束外延室内中的氩离子对因跨设备转移而暴露过空气的单晶TiN薄膜进行氩离子刻蚀，氩离子经过阳极电场的加速，与单晶TiN薄膜表面发生碰撞，从而将单晶TiN薄膜表面的杂质原子和灰尘去除，解决了跨设备原位生长需要增加高成本和导致薄膜表面污染的问题，同时，相对于高温退火技术，本发明的刻蚀方法能够大大降低生长时间，还能避免污染超真空视窗，以及避免影响设备使用寿命，然后在接近的单晶TiN薄膜表面在超真空下，在单晶TiN薄膜上外延生长出单晶Bi2Se3薄膜，获得TiN/Bi2Se3拓扑超导异质结。