公开(公告)号：CN118973371A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411445981.0

申请日：2024-10-16

Applicant: 宁波大学 ,  中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 李志恒 ,  姚雄 ,  解忍杰 ,  曹彦伟 ,  肖绍铸 ,  王宏伟

IPC: H10N60/01 ,  H10N60/10 ,  H10N60/85 ,  C30B33/12 ,  C30B25/18 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明涉及一种非原位生长拓扑超导异质结的方法，本发明利用分子束外延室内中的氩离子对因跨设备转移而暴露过空气的单晶TiN薄膜进行氩离子刻蚀，氩离子经过阳极电场的加速，与单晶TiN薄膜表面发生碰撞，从而将单晶TiN薄膜表面的杂质原子和灰尘去除，解决了跨设备原位生长需要增加高成本和导致薄膜表面污染的问题，同时，相对于高温退火技术，本发明的刻蚀方法能够大大降低生长时间，还能避免污染超真空视窗，以及避免影响设备使用寿命，然后在接近的单晶TiN薄膜表面在超真空下，在单晶TiN薄膜上外延生长出单晶Bi2Se3薄膜，获得TiN/Bi2Se3拓扑超导异质结。

公开(公告)号：CN116008329A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202111232163.9

申请日：2021-10-22

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 杨秀富 ,  贺云鹏 ,  肖绍铸 ,  何少龙

IPC: G01N23/2273

Abstract: 本发明公开了一种对角分辨光电子能谱测试样品加压的样品托，包括：设有承载球约束单元的主体部件，所述承载球约束单元上设有与其相匹配的承载球，所述承载球上设置样品台，所述样品台的两端部上方分别压接有几字形加压部件，所述几字形加压部件的两侧翼板通过连接件固定于所述主体部件上。本发明通过稳定的加压模块的设计，保证了样品处于超高真空环境和狭小空间下应变的稳定性，设计简单，操作方便，满足了ARPES实验的高效率需求。

公开(公告)号：CN211318270U

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201922235015.7

申请日：2019-12-13

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 刘威 ,  肖绍铸 ,  何少龙

IPC: G01N23/2273

Abstract: 本实用新型公开了一种自旋探测器。所述自旋探测器包括至少一个探测单元，所述探测单元包括自旋发光二极管以及光电放大转换器，光电放大转换器与自旋发光二极管相匹配并至少用于捕获自旋发光二极管产生的偏振光并将捕获的偏振光形成电信号。本实用新型提供的自旋发光二极管和与其配合的光电放大转换器可作为微尺寸基本探测单元制成集成阵列，由于众多的微尺寸探测单元的使用，自旋光电子被探测的效率大大提高，从而可以在相对非常短的时间内实现高质量自旋角分辨光电子能谱的采集，显著提高电子能谱的采集效率，进而可以大大提高昂贵设备的利用率。

公开(公告)号：CN215644381U

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202121730654.1

申请日：2021-07-28

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 杨秀富 ,  肖绍铸 ,  何少龙

IPC: H01J37/06 ,  H01J37/12

Abstract: 本实用新型公开了一种基于拓扑绝缘体的自旋极化电子源，包括：圆偏振光生成部件、设有玻璃视窗的真空壳体和设于真空壳体内的拓扑绝缘体及静电透镜；所述圆偏振光生成部件生成左旋或右旋的圆偏振光，所述圆偏振光通过玻璃视窗进入真空壳体内，斜照射于所述拓扑绝缘体的表面激发自旋极化电子，所述静电透镜的光轴与拓扑绝缘体表面圆偏振光入射点处的法线方向重合，所述自旋极化电子通过静电透镜得到自旋极化电子束。本实用新型的自旋极化电子源结构简单，满足高效率获得束斑较小的自旋极化电子束的实验需求。