公开(公告)号：CN103687977B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280032640.X

申请日：2012-06-29

申请人： 宇部材料工业株式会社 ,  日本钨株式会社

发明人： 佐野聪 ,  西村芳宽 ,  渡边高行 ,  加藤裕三 ,  植木明 ,  味富晋三 ,  高巢正信 ,  原勇介 ,  田中敬章

IPC分类号： C23C14/34 ,  C04B35/04 ,  G11B5/851

CPC分类号： H01J37/3429 ,  C04B35/053 ,  C04B35/5607 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/5626 ,  C04B35/58014 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/851 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426

摘要： 本发明提供一种溅射用MgO靶材，即使在使用MgO作为溅射用靶材的情况下，也能够在形成MgO膜时使成膜速度高速化。本发明的溅射用MgO靶材以MgO和导电性物质作为主要成分，其特征在于，所述导电性物质在通过DC溅射法与MgO一起成膜时，能够为所形成的MgO膜赋予取向性。

公开(公告)号：CN103687977A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280032640.X

申请日：2012-06-29

申请人： 宇部材料工业株式会社 ,  日本钨株式会社

发明人： 佐野聪 ,  西村芳宽 ,  渡边高行 ,  加藤裕三 ,  植木明 ,  味富晋三 ,  高巢正信 ,  原勇介 ,  田中敬章

IPC分类号： C23C14/34 ,  C04B35/04 ,  G11B5/851

CPC分类号： H01J37/3429 ,  C04B35/053 ,  C04B35/5607 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/5626 ,  C04B35/58014 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/851 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426

摘要： 本发明提供一种溅射用MgO靶材，即使在使用MgO作为溅射用靶材的情况下，也能够在形成MgO膜时使成膜速度高速化。本发明的溅射用MgO靶材以MgO和导电性物质作为主要成分，其特征在于，所述导电性物质在通过DC溅射法与MgO一起成膜时，能够为所形成的MgO膜赋予取向性。