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公开(公告)号：CN103780219B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201310446558.8
申请日：2013-09-25
申请人： 安华高科技通用IP(新加坡)公司
CPC分类号： H03H9/02118 , H03H9/131 , H03H9/173 , H03H9/175
摘要： 本申请案涉及一种具有带集成横向特征的复合电极的声共振器。一种体声波BAW共振器装置包含：底部电极，其在衬底上于腔及声反射器中的一者上方；压电层，其在所述底部电极上；及顶部电极，其在所述压电层上。在所述底部电极及所述顶部电极中的一者处的是具有集成横向特征的复合电极，所述集成横向特征布置于所述复合电极的平面顶部表面与底部表面之间且经配置以形成截止频率失配。
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公开(公告)号：CN104953976B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201510146470.3
申请日：2015-03-31
申请人： 安华高科技通用IP(新加坡)公司
发明人： 达里乌斯·布拉卡 , 斯特凡·巴德 , 亚历山大勒·施拉卡瓦 , 凯文·J·格伦纳
CPC分类号： H01L41/0477 , H03H9/02086 , H03H9/132 , H03H9/171 , H03H9/584
摘要： 本发明涉及一种包括声再分布层的声谐振器。一种声谐振器结构包括：压电层，其具有第一表面及第二表面；第一电极，其邻近于所述第一表面安置；及第二电极，其邻近于所述第二表面安置。所述第一电极包括：第一导电层，其邻近于所述压电层安置且具有第一声阻抗；及第二导电层，其安置于所述第一导电层的与所述压电层相对的侧上且具有大于所述第一声阻抗的第二声阻抗。所述第二电极可安置于衬底与所述压电层之间，且所述第二电极可包括：第三导电层，其邻近于所述压电层安置且具有第三声阻抗；及第四导电层，其安置于所述第三导电层的与所述压电层相对的侧上且具有大于所述第三声阻抗的第四声阻抗。
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公开(公告)号：CN105048986B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201510201346.2
申请日：2015-04-24
申请人： 安华高科技通用IP(新加坡)公司
CPC分类号： H03H9/02102 , H03H3/013 , H03H9/02086 , H03H9/132 , H03H9/173
摘要： 本申请案涉及一种具有空气环及温度补偿层的声谐振器装置。一种体声波BAW谐振器装置包含界定腔的衬底、形成于所述衬底及所述腔的至少一部分上方的底部电极、形成于所述底部电极上的压电层及形成于所述压电层上的顶部电极。空气翼及空气桥形成于所述压电层与所述顶部电极之间，所述空气翼具有界定所述BAW谐振器装置的作用区域的外边界的内边缘。所述BAW谐振器装置进一步包含温度补偿特征，所述温度补偿特征具有正温度系数以用于抵消所述压电层的负温度系数的至少一部分。所述温度补偿特征在所述作用区域外侧延伸达预定长度。
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公开(公告)号：CN107404302A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710256865.8
申请日：2017-04-19
申请人： 安华高科技通用IP(新加坡)公司
发明人： 达里乌斯·布拉卡 , 苏雷什·斯里达朗 , 斯蒂芬·罗伊·吉尔伯特 , 理查德·C·鲁比
CPC分类号： H03H9/64 , H01L41/047 , H01L41/107 , H03H9/02551 , H03H9/02559 , H03H9/02574 , H03H9/02866 , H03H9/25 , H03H9/02661 , H03H9/02724 , H03H9/02834 , H03H9/14544
摘要： 本发明涉及具有用于抑制假信号响应的吸收层的复合表面声波SAW装置。所述SAW装置包含：基底衬底；压电材料层；至少一个叉指电极对，其安置于所述压电材料层上；及声波抑制层，其安置于所述压电材料层与所述基底衬底之间，所述声波抑制层经配置以抑制在从所述压电材料层到所述基底衬底的方向上传播的声波。
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公开(公告)号：CN105048986A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510201346.2
申请日：2015-04-24
申请人： 安华高科技通用IP(新加坡)公司
CPC分类号： H03H9/02102 , H03H3/013 , H03H9/02086 , H03H9/132 , H03H9/173
摘要： 本申请案涉及一种具有空气环及温度补偿层的声谐振器装置。一种体声波BAW谐振器装置包含界定腔的衬底、形成于所述衬底及所述腔的至少一部分上方的底部电极、形成于所述底部电极上的压电层及形成于所述压电层上的顶部电极。空气翼及空气桥形成于所述压电层与所述顶部电极之间，所述空气翼具有界定所述BAW谐振器装置的作用区域的外边界的内边缘。所述BAW谐振器装置进一步包含温度补偿特征，所述温度补偿特征具有正温度系数以用于抵消所述压电层的负温度系数的至少一部分。所述温度补偿特征在所述作用区域外侧延伸达预定长度。
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公开(公告)号：CN104953976A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510146470.3
申请日：2015-03-31
申请人： 安华高科技通用IP(新加坡)公司
发明人： 达里乌斯·布拉卡 , 斯特凡·巴德 , 亚历山大勒·施拉卡瓦 , 凯文·J·格伦纳
CPC分类号： H01L41/0477 , H03H9/02086 , H03H9/132 , H03H9/171 , H03H9/584
摘要： 本发明涉及一种包括声再分布层的声谐振器。一种声谐振器结构包括：压电层，其具有第一表面及第二表面；第一电极，其邻近于所述第一表面安置；及第二电极，其邻近于所述第二表面安置。所述第一电极包括：第一导电层，其邻近于所述压电层安置且具有第一声阻抗；及第二导电层，其安置于所述第一导电层的与所述压电层相对的侧上且具有大于所述第一声阻抗的第二声阻抗。所述第二电极可安置于衬底与所述压电层之间，且所述第二电极可包括：第三导电层，其邻近于所述压电层安置且具有第三声阻抗；及第四导电层，其安置于所述第三导电层的与所述压电层相对的侧上且具有大于所述第三声阻抗的第四声阻抗。
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公开(公告)号：CN103780219A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310446558.8
申请日：2013-09-25
申请人： 安华高科技通用IP(新加坡)公司
CPC分类号： H03H9/02118 , H03H9/131 , H03H9/173 , H03H9/175
摘要： 本申请案涉及一种具有带集成横向特征的复合电极的声共振器。一种体声波BAW共振器装置包含：底部电极，其在衬底上于腔及声反射器中的一者上方；压电层，其在所述底部电极上；及顶部电极，其在所述压电层上。在所述底部电极及所述顶部电极中的一者处的是具有集成横向特征的复合电极，所述集成横向特征布置于所述复合电极的平面顶部表面与底部表面之间且经配置以形成截止频率失配。
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