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公开(公告)号：CN103684336B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201310392017.1
申请日：2013-09-02
申请人： 安华高科技通用IP(新加坡)公司
IPC分类号： H03H9/17
摘要： 本申请案涉及一种包含具有内埋式温度补偿层的电极的谐振器装置。声学谐振器包含衬底和安置在所述衬底上方的第一复合电极。所述第一复合电极包含第一和第二导电层以及安置在所述第一与第二导电层之间的第一温度补偿层。所述第二导电层在所述第一温度补偿层的至少一侧上形成与所述第一导电层的第一电接触，且所述第一电接触使所述第一温度补偿层的第一电容组件电短路。
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公开(公告)号：CN107134988A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710104039.1
申请日：2017-02-24
申请人： 安华高科技通用IP(新加坡)公司
发明人： 理查德·C·鲁比 , 斯蒂芬·罗伊·吉尔伯特 , 约翰·D·拉森三世
CPC分类号： H03H9/02866 , H03H9/02559 , H03H9/02574 , H03H9/02622 , H03H9/64 , H03H9/25
摘要： 本发明涉及表面声波saw谐振器。一种设备包含：硅Si衬底，其具有第一表面及第二表面，所述硅衬底在室温下具有大于约1000Ω‑cm且小于约15000Ω‑cm的电阻率；及压电层，其安置在所述衬底上方且具有第一表面及第二表面。所述压电层可具有在约0.5μm到约30.0μm的范围内的厚度且基本上不含铁Fe。
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公开(公告)号：CN103795369A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310472514.2
申请日：2013-10-11
申请人： 安华高科技通用IP(新加坡)公司
CPC分类号： H03H9/175 , H03H3/04 , H03H9/02102 , H03H9/02149 , H03H9/131 , H03H9/173 , H03H2003/021 , H03H2003/025
摘要： 本发明涉及一种具有低微调敏感度的温度补偿谐振器装置及制造所述装置的方法。温度补偿体声波BAW谐振器装置具有低微调敏感度以用于提供精确谐振频率。所述BAW谐振器装置包含：第一电极，其沉积在衬底上；压电层，其沉积在所述第一电极上；第二电极，其沉积在所述压电层上；及镜对，其沉积在所述第二电极上。所述第一电极及所述第二电极中的至少一者包含电极层及温度补偿层，所述温度补偿层经配置以补偿至少所述压电层的温度系数。
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公开(公告)号：CN107404302A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710256865.8
申请日：2017-04-19
申请人： 安华高科技通用IP(新加坡)公司
发明人： 达里乌斯·布拉卡 , 苏雷什·斯里达朗 , 斯蒂芬·罗伊·吉尔伯特 , 理查德·C·鲁比
CPC分类号： H03H9/64 , H01L41/047 , H01L41/107 , H03H9/02551 , H03H9/02559 , H03H9/02574 , H03H9/02866 , H03H9/25 , H03H9/02661 , H03H9/02724 , H03H9/02834 , H03H9/14544
摘要： 本发明涉及具有用于抑制假信号响应的吸收层的复合表面声波SAW装置。所述SAW装置包含：基底衬底；压电材料层；至少一个叉指电极对，其安置于所述压电材料层上；及声波抑制层，其安置于所述压电材料层与所述基底衬底之间，所述声波抑制层经配置以抑制在从所述压电材料层到所述基底衬底的方向上传播的声波。
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公开(公告)号：CN103684336A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310392017.1
申请日：2013-09-02
申请人： 安华高科技通用IP(新加坡)公司
IPC分类号： H03H9/17
摘要： 本发明案涉及一种包含具有内埋式温度补偿层的电极的谐振器装置。声学谐振器包含衬底和安置在所述衬底上方的第一复合电极。所述第一复合电极包含第一和第二导电层以及安置在所述第一与第二导电层之间的第一温度补偿层。所述第二导电层在所述第一温度补偿层的至少一侧上形成与所述第一导电层的第一电接触，且所述第一电接触使所述第一温度补偿层的第一电容组件电短路。
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