-
公开(公告)号：CN116587446A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310362077.2
申请日：2023-04-03
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 一种碲锌镉探测器的加工工艺包括步骤：S1，切片：将CZT晶棒定向切割出晶片；S2，确定单晶区域：将晶片表面腐蚀以使晶片显露出单晶区域，单晶区域中腐蚀后发亮的面是111(A)面而相反的背面是111(B)面；S3，标记单晶区域：用马克笔在111(A)面上画线标记显露出的单晶区域；S4，水射流切割：采用水射流切割从画线标记的晶片上切割单晶区域并取出单晶区域；S5，碲锌镉探测器尺寸规划并切割出方块：依据取出的单晶区域的面积大小，进行碲锌镉探测器尺寸规划，并基于规划的尺寸切割形成用于制作碲锌镉探测器的方块；S6，打标：采用激光在方块的侧面进行打标，打标的编码规则是晶片号‑加工日期‑个数，字体的正方向是111(A)面；S7，制作电极：在111(A)面和111(B)上制作电极。
-
公开(公告)号：CN116206952A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310344222.4
申请日：2023-04-03
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 一种CZT晶体下料工艺包括步骤：S1，将CZT晶棒定向切割出晶片；S2，腐蚀显露出单晶区域；S3，用马克笔在111(A)面上画线标记显露出的单晶区域；S4，将晶片固定在底板上；S5，摄像头拍照；S6，摄像头与水射流切割设备数据传输，生成CAD图形；S7，步骤S3的画线的边中选取一条边作为特征边，测量特征边的实际尺寸；S8，使CAD图形与步骤S3的画线标记的单晶区域比例为1:1；S9，确定射流切割设备的水射流的进刀点和出刀点；S10，模拟切割下料，在无切割水喷射的情况下，射流切割设备的喷口沿CAD图形模拟切割，通过肉眼观察喷口运动的路线是否与马克笔画线标记的单晶区域的轮廓是一致；S11，实际切割下料；S12，从底板上拆下；S13，清洗和检查。
-
公开(公告)号：CN115534145A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211259226.4
申请日：2022-10-14
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种超厚碲锌镉晶体的切割方法，包括：S1、取碲锌镉晶圆和两片载片，进行洁净处理后，以熔化的石蜡作为粘结剂，按照载片‑晶圆‑载片制成三明治组合结构；S2、将三明治组合结构固定于UV膜上，UV膜通过吸附固定于工作台上，用刀片沿着厚度方向进行多次分步切割，完成对晶圆的切割，获得所需尺寸的晶圆。该切割方法所切割的产品的崩边明显降低，垂直度提高，且表面质量好，产品的成品率和原料利用率都有效提高。
-
公开(公告)号：CN220279285U
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202321328221.2
申请日：2023-05-29
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 本实用新型属于半导体探测器领域，公开了一种圆柱型晶体研磨抛光装置。包括壳体、设置在壳体上的研磨组件和晶体夹具；研磨组件包括研磨抛光盘和驱动研磨抛光盘旋转的旋转电机；晶体夹具包括容纳盘和限位盘，容纳盘上设置装配孔和沿装配孔周边设置的容纳孔，容纳孔为贯穿容纳盘、上大下小通孔结构，容纳孔用于容纳圆柱型晶体；研磨组件还包括内孔磨棒，内孔磨棒沿研磨抛光盘的旋转半径方向设置。本实用新型结构简单、可工业适用。针对圆柱型晶体的圆柱面以及盲孔的研磨和抛光定向开发，可保证加工后曲面去除效率、曲面的圆柱度等关键指标以及晶体加工安全的前提下达到表面纳米级的粗糙度指标，弥补国内技术空白。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.034 秒)
