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公开(公告)号:CN116434794B
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN202310410709.8
申请日:2023-04-18
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C7/06 , G11C7/08 , G11C11/419
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域,更具体的,涉及基于下交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路,以及基于该电路设计的灵敏放大器模块。本发明提供了基于下交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路,结构简洁明了,方便实现。本发明采用下交叉耦合部与输入电路部并联的结构,避免了VDD到地串联过多MOS管导致输出电压余量较小的问题,同时实现了核心的数据放大功能。本发明采用自关断位线部来根据输出节点A0、A1电压变化,自适应地切断非目标位线与相应输入电路部中间节点的连接,断开非目标位线对输出节点的影响,从而降低失调电压和放大延时。
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公开(公告)号:CN115964016A
公开(公告)日:2023-04-14
申请号:CN202310126689.1
申请日:2023-02-07
Applicant: 安徽大学
IPC: G06F7/527
Abstract: 本发明涉及集成电路设计技术领域,更具体的,涉及基于边沿传输延迟的存算单元电路,和采用该种单元电路构建的多比特时域的乘累加计算电路。本发明的存算单元电路包括两个SRAM存储部、延迟计算单元、位线联通开关。其中,两个SRAM存储部用于存储计算时需要的权重,并提供2bit权重作为乘数。延迟计算单元采用了由四个局部延时单元,每个局部延时单元可以计算2bit权重乘2bit输入,使延迟计算单元可以计算2bit权重乘8bit输入,以提高计算效率。此外,在局部延时单元中添加用于规范边沿信号的反相器,提高单元延迟和时域累加的准确性。
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公开(公告)号:CN116434794A
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN202310410709.8
申请日:2023-04-18
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C7/06 , G11C7/08 , G11C11/419
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域,更具体的,涉及基于下交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路,以及基于该电路设计的灵敏放大器模块。本发明提供了基于下交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路,结构简洁明了,方便实现。本发明采用下交叉耦合部与输入电路部并联的结构,避免了VDD到地串联过多MOS管导致输出电压余量较小的问题,同时实现了核心的数据放大功能。本发明采用自关断位线部来根据输出节点A0、A1电压变化,自适应地切断非目标位线与相应输入电路部中间节点的连接,断开非目标位线对输出节点的影响,从而降低失调电压和放大延时。
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