-
公开(公告)号：CN117572288A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202410050334.3
申请日：2024-01-15
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/52
Abstract: 本发明提供一种短路故障检测电路与检测方法，检测电路包括：差分信号采集单元，对栅极电阻上的电压信号进行差分采样；短路状态判断单元，其输入端与差分信号采集单元的输出端相连接，用于将检测信号与参考电压进行比较，超过设定阈值时输出故障信号；短路信号保持单元，其输入端与短路状态判断单元的输出端相连，用于对故障信号的保持并传输短路信号给短路处理单元；短路处理单元，其输入端与所述故障保持单元的输出端相连，用于故障信号的处理，判定短路工况。本发明解决了传统SiC MOSFET在高压端口采集故障信号导致的噪声干扰、信号失真以及绝缘耐压和安全等问题，具有检测速度快、精准度高、可靠性高的优点。
-
公开(公告)号：CN116990655B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311244635.1
申请日：2023-09-26
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供一种基于漏‑源电压变化率的晶体管短路检测电路和方法，包括：RC缓冲电路、峰值检测电路和短路判断电路；RC缓冲电路检测所述晶体管的漏‑源电压变化率后输出一与漏‑源电压变化率成正比的监测电压信号至峰值检测电路；峰值检测电路检测并输出监测电压信号至短路判断电路；短路判断电路将监测电压信号进行放大后与一参考电压进行对比，根据比较结果判断晶体管是否发生短路。本发明通过检测晶体管的漏‑源电压变化率来判断晶体管是否短路，无需外接多余的积分电路和高压二极管，也无需考虑多余的消隐时间，减少了短路检测的响应时
-
公开(公告)号：CN116990655A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311244635.1
申请日：2023-09-26
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供一种基于漏‑源电压变化率的晶体管短路检测电路和方法，包括：RC缓冲电路、峰值检测电路和短路判断电路；RC缓冲电路检测所述晶体管的漏‑源电压变化率后输出一与漏‑源电压变化率成正比的监测电压信号至峰值检测电路；峰值检测电路检测并输出监测电压信号至短路判断电路；短路判断电路将监测电压信号进行放大后与一参考电压进行对比，根据比较结果判断晶体管是否发生短路。本发明通过检测晶体管的漏‑源电压变化率来判断晶体管是否短路，无需外接多余的积分电路和高压二极管，也无需考虑多余的消隐时间，减少了短路检测的响应时间且电路结构简单，设计成本低。
-
公开(公告)号：CN118444122B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410903381.8
申请日：2024-07-08
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET栅氧老化状态在线监测电路与方法，通过漏源电压检测单元和信号判定单元实时监测栅极电压和漏源电压的变化，得到关于栅极电压变化的第二比较信号和关于漏源电压变化的第一比较信号，并将两个比较信号进行逻辑运算，根据逻辑运算结果的高电平持续时间得出两个能够体现SiC MOSFET栅氧层状况的参数，准确评估SiC MOSFET栅氧层的健康状况，有效提高SiC MOSFET的可靠性和使用寿命。且仅需一个电路即可实现两个时间参数的检测，具备电路结构简单，制备成本低的优点。
-
公开(公告)号：CN118444121B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410881384.6
申请日：2024-07-03
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26 , G05B19/042
Abstract: 本发明涉及功率半导体器件结温检测技术领域，特别涉及一种基于开关延时的功率器件结温检测方法及电路。本发明的基于开关延时的功率器件结温检测方法，构建了分别基于功率器件的开通延时和关断延时的两个线性结温估算模型；计算多种工况下两个线性结温估算模型的估算结温与实际结温之间的平均绝对误差，并建立误差查找表；检测功率器件的实时数据，根据误差查找表选择平均绝对误差较小的模型估算出实时的结温。本发明通过基于开通延时和关断延时的检测数据分别构建了两个线性结温估算模型，利用平均绝对误差动态选择最佳测温参数，能够提高测温精度，另通过动态模型选择策略，有效避免不同负载条件下单一模型的误差过大问题，确保实时、准确估算功率器件的结温。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118444121A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410881384.6
申请日：2024-07-03
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26 , G05B19/042
Abstract: 本发明涉及功率半导体器件结温检测技术领域，特别涉及一种基于开关延时的功率器件结温检测方法及电路。本发明的基于开关延时的功率器件结温检测方法，构建了分别基于功率器件的开通延时和关断延时的两个线性结温估算模型；计算多种工况下两个线性结温估算模型的估算结温与实际结温之间的平均绝对误差，并建立误差查找表；检测功率器件的实时数据，根据误差查找表选择平均绝对误差较小的模型估算出实时的结温。本发明通过基于开通延时和关断延时的检测数据分别构建了两个线性结温估算模型，利用平均绝对误差动态选择最佳测温参数，能够提高测温精度，另通过动态模型选择策略，有效避免不同负载条件下单一模型的误差过大问题，确保实时、准确估算功率器件的结温。
-
公开(公告)号：CN118275850B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410704907.X
申请日：2024-06-03
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种消除负载干扰的功率半导体器件结温监测模型建立方法，该方法采用多元线性回归与矩阵运算相结合的方式，建立一个仅反映温敏电参数与结温之间映射关系的数学模型，消除了负载条件对结温测量的影响，避免了传统方法中因负载变化带来的测量误差。此外，本发明提供的结温模型结合了多个温敏电参数实现对于结温的监测，多个参数综合反应了功率半导体器件在不同工作条件下的热特性，进一步提高了结温监测的准确性。
-
公开(公告)号：CN118444122A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410903381.8
申请日：2024-07-08
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET栅氧老化状态在线监测电路与方法，通过漏源电压检测单元和信号判定单元实时监测栅极电压和漏源电压的变化，得到关于栅极电压变化的第二比较信号和关于漏源电压变化的第一比较信号，并将两个比较信号进行逻辑运算，根据逻辑运算结果的高电平持续时间得出两个能够体现SiC MOSFET栅氧层状况的参数，准确评估SiC MOSFET栅氧层的健康状况，有效提高SiC MOSFET的可靠性和使用寿命。且仅需一个电路即可实现两个时间参数的检测，具备电路结构简单，制备成本低的优点。
-
公开(公告)号：CN118275850A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410704907.X
申请日：2024-06-03
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种消除负载干扰的功率半导体器件结温监测模型建立方法，该方法采用多元线性回归与矩阵运算相结合的方式，建立一个仅反映温敏电参数与结温之间映射关系的数学模型，消除了负载条件对结温测量的影响，避免了传统方法中因负载变化带来的测量误差。此外，本发明提供的结温模型结合了多个温敏电参数实现对于结温的监测，多个参数综合反应了功率半导体器件在不同工作条件下的热特性，进一步提高了结温监测的准确性。
-
公开(公告)号：CN117572288B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410050334.3
申请日：2024-01-15
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/52
Abstract: 本发明提供一种短路故障检测电路与检测方法，检测电路包括：差分信号采集单元，对栅极电阻上的电压信号进行差分采样；短路状态判断单元，其输入端与差分信号采集单元的输出端相连接，用于将检测信号与参考电压进行比较，超过设定阈值时输出故障信号；短路信号保持单元，其输入端与短路状态判断单元的输出端相连，用于对故障信号的保持并传输短路信号给短路处理单元；短路处理单元，其输入端与所述故障保持单元的输出端相连，用于故障信号的处理，判定短路工况。本发明解决了传统SiC MOSFET在高压端口采集故障信号导致的噪声干扰、信号失真以及绝缘耐压和安全等问题，具有检测速度快、精准度高、可靠性高的优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.026 seconds)
