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公开(公告)号：CN118444122A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410903381.8
申请日：2024-07-08
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET栅氧老化状态在线监测电路与方法，通过漏源电压检测单元和信号判定单元实时监测栅极电压和漏源电压的变化，得到关于栅极电压变化的第二比较信号和关于漏源电压变化的第一比较信号，并将两个比较信号进行逻辑运算，根据逻辑运算结果的高电平持续时间得出两个能够体现SiC MOSFET栅氧层状况的参数，准确评估SiC MOSFET栅氧层的健康状况，有效提高SiC MOSFET的可靠性和使用寿命。且仅需一个电路即可实现两个时间参数的检测，具备电路结构简单，制备成本低的优点。
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公开(公告)号：CN118275850A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410704907.X
申请日：2024-06-03
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种消除负载干扰的功率半导体器件结温监测模型建立方法，该方法采用多元线性回归与矩阵运算相结合的方式，建立一个仅反映温敏电参数与结温之间映射关系的数学模型，消除了负载条件对结温测量的影响，避免了传统方法中因负载变化带来的测量误差。此外，本发明提供的结温模型结合了多个温敏电参数实现对于结温的监测，多个参数综合反应了功率半导体器件在不同工作条件下的热特性，进一步提高了结温监测的准确性。
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公开(公告)号：CN117849569B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410251482.1
申请日：2024-03-06
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明揭示了一种纳秒量级延时的功率器件测试电路及方法，所述纳秒量级延时的功率器件测试电路包括双脉冲测试电路，应力时长控制电路和接口控制电路；应力时长控制电路用于控制待测晶体管的漏极电压应力时长，并在时长内实现双脉冲测试电路产生既定的电流；双脉冲测试电路用于在待测晶体管导通时向待测晶体管施加电流，测试待测晶体管的特性；接口控制电路用于控制待测晶体管漏极的连接位置。本发明能够在任意设定的待测晶体管的漏极电压应力时长内产生既定的电流，从而进行测试时无需等待额外的充电时间，并且能够在任意漏极电压应力时长、漏极电压应力和负载电流下迅速检测待测晶体管的开关特性和导通电阻等状态。
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公开(公告)号：CN117572288B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410050334.3
申请日：2024-01-15
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/52
Abstract: 本发明提供一种短路故障检测电路与检测方法，检测电路包括：差分信号采集单元，对栅极电阻上的电压信号进行差分采样；短路状态判断单元，其输入端与差分信号采集单元的输出端相连接，用于将检测信号与参考电压进行比较，超过设定阈值时输出故障信号；短路信号保持单元，其输入端与短路状态判断单元的输出端相连，用于对故障信号的保持并传输短路信号给短路处理单元；短路处理单元，其输入端与所述故障保持单元的输出端相连，用于故障信号的处理，判定短路工况。本发明解决了传统SiC MOSFET在高压端口采集故障信号导致的噪声干扰、信号失真以及绝缘耐压和安全等问题，具有检测速度快、精准度高、可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN117849569A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410251482.1
申请日：2024-03-06
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明揭示了一种纳秒量级延时的功率器件测试电路及方法，所述纳秒量级延时的功率器件测试电路包括双脉冲测试电路，应力时长控制电路和接口控制电路；应力时长控制电路用于控制待测晶体管的漏极电压应力时长，并在时长内实现双脉冲测试电路产生既定的电流；双脉冲测试电路用于在待测晶体管导通时向待测晶体管施加电流，测试待测晶体管的特性；接口控制电路用于控制待测晶体管漏极的连接位置。本发明能够在任意设定的待测晶体管的漏极电压应力时长内产生既定的电流，从而进行测试时无需等待额外的充电时间，并且能够在任意漏极电压应力时长、漏极电压应力和负载电流下迅速检测待测晶体管的开关特性和导通电阻等状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119051457A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411216193.4
申请日：2024-09-02
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种双向CLLC谐振变换拓扑集成电感‑变压器及设计方法，属于电力电子变换器技术领域。在CLLC谐振变换器中，通过将电感和变压器集成在一起，以最大限度的降低绕组损耗和磁芯损耗。通过磁芯的特殊设计，使得电感磁通与变压器磁通互不耦合，准确计算激磁电感值和谐振电感值，有利于工业自动化生产。为减少谐振电感匝数以降低绕组损耗，通过变压器绕组不均衡设计分担谐振电感的感值。进一步的通过谐振电感绕组的部分交错设计，降低谐振电感的磁动势以减少电流的不均衡度。该磁芯结构能够满足CLLC双向运行的需求，具有高效率、高功率密度和高可靠性等优势。
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公开(公告)号：CN118444122B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410903381.8
申请日：2024-07-08
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET栅氧老化状态在线监测电路与方法，通过漏源电压检测单元和信号判定单元实时监测栅极电压和漏源电压的变化，得到关于栅极电压变化的第二比较信号和关于漏源电压变化的第一比较信号，并将两个比较信号进行逻辑运算，根据逻辑运算结果的高电平持续时间得出两个能够体现SiC MOSFET栅氧层状况的参数，准确评估SiC MOSFET栅氧层的健康状况，有效提高SiC MOSFET的可靠性和使用寿命。且仅需一个电路即可实现两个时间参数的检测，具备电路结构简单，制备成本低的优点。
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公开(公告)号：CN118444121B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410881384.6
申请日：2024-07-03
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26 , G05B19/042
Abstract: 本发明涉及功率半导体器件结温检测技术领域，特别涉及一种基于开关延时的功率器件结温检测方法及电路。本发明的基于开关延时的功率器件结温检测方法，构建了分别基于功率器件的开通延时和关断延时的两个线性结温估算模型；计算多种工况下两个线性结温估算模型的估算结温与实际结温之间的平均绝对误差，并建立误差查找表；检测功率器件的实时数据，根据误差查找表选择平均绝对误差较小的模型估算出实时的结温。本发明通过基于开通延时和关断延时的检测数据分别构建了两个线性结温估算模型，利用平均绝对误差动态选择最佳测温参数，能够提高测温精度，另通过动态模型选择策略，有效避免不同负载条件下单一模型的误差过大问题，确保实时、准确估算功率器件的结温。
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公开(公告)号：CN118444121A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410881384.6
申请日：2024-07-03
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26 , G05B19/042
Abstract: 本发明涉及功率半导体器件结温检测技术领域，特别涉及一种基于开关延时的功率器件结温检测方法及电路。本发明的基于开关延时的功率器件结温检测方法，构建了分别基于功率器件的开通延时和关断延时的两个线性结温估算模型；计算多种工况下两个线性结温估算模型的估算结温与实际结温之间的平均绝对误差，并建立误差查找表；检测功率器件的实时数据，根据误差查找表选择平均绝对误差较小的模型估算出实时的结温。本发明通过基于开通延时和关断延时的检测数据分别构建了两个线性结温估算模型，利用平均绝对误差动态选择最佳测温参数，能够提高测温精度，另通过动态模型选择策略，有效避免不同负载条件下单一模型的误差过大问题，确保实时、准确估算功率器件的结温。
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公开(公告)号：CN115001249A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210664596.X
申请日：2022-06-14
Applicant: 安徽大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明涉及一种数字化可变电流源功率开关器件门极驱动器，其包括核心控制器、开通电流源阵列和关断电流源阵列；所述开通电流源阵列的电流输出端与所述功率开关器件的门极相连接，所述关断电流源阵列的电流输入端与所述功率开关器件的门极相连接；所述开通电流源阵列和关断电流源阵列均包括若干个电流源子单元，所述核心控制器对其输入高电平信号或低电平信号以控制该电流源子单元的激活或非激活状态，激活状态下的电流源子单元流过预设的电流，非激活状态下的电流源子单元不流过电流。本发明可以使驱动器的输出电流动态可调，结合灵活的控制策略，可以提高功率开关器件的开关速度、降低开关损耗的同时，保证功率开关器件工作在其安全工作区内，提高系统的可靠性。
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