公开(公告)号：CN114150263B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202111491280.7

申请日：2021-12-08

申请人： 安徽工业大学 ,  安徽赛福电子有限公司

发明人： 杨英 ,  王芳 ,  刘永康 ,  王启民 ,  郑军 ,  王金兵 ,  黄河 ,  黄毅

IPC分类号： C23C14/02 ,  C23C14/20 ,  C23C14/35

摘要： 本发明涉及表面处理技术领域，具体涉及一种提高有机基体上金属化薄膜形核均匀性的方法，包括步骤如下：(1)选用厚度和粗糙度合适的聚合物作为基材；(2)对基膜依次采用无水乙醇和去离子水超声波清洗，时间均为1～3min，吹干备用；(3)对基膜进行等离子体预处理，使用空气作为反应气体，气压为10～20Pa，离子源功率为20～45W，处理时间为1～15min；(4)在预处理后的基膜上继续沉积金属膜。该方法可显著提升沉积粒子的形核密度，有利于形成均匀致密的金属化薄膜。

公开(公告)号：CN114150263A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111491280.7

申请日：2021-12-08

申请人： 安徽工业大学 ,  安徽赛福电子有限公司

发明人： 杨英 ,  王芳 ,  刘永康 ,  王启民 ,  郑军 ,  王金兵 ,  黄河 ,  黄毅

IPC分类号： C23C14/02 ,  C23C14/20 ,  C23C14/35

摘要： 本发明涉及表面处理技术领域，具体涉及一种提高有机基体上金属化薄膜形核均匀性的方法，包括步骤如下：(1)选用厚度和粗糙度合适的聚合物作为基材；(2)对基膜依次采用无水乙醇和去离子水超声波清洗，时间均为1～3min，吹干备用；(3)对基膜进行等离子体预处理，使用空气作为反应气体，气压为10～20Pa，离子源功率为20～45W，处理时间为1～15min；(4)在预处理后的基膜上继续沉积金属膜。该方法可显著提升沉积粒子的形核密度，有利于形成均匀致密的金属化薄膜。

公开(公告)号：CN114242457A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111628431.9

申请日：2021-12-28

申请人： 安徽工业大学

发明人： 杨英 ,  王启民 ,  郑军 ,  冒爱琴 ,  王金兵 ,  王芳 ,  刘永康 ,  黄河 ,  黄毅

IPC分类号： H01G4/33 ,  H01G13/02 ,  C23C14/02 ,  C23C14/20 ,  C23C14/24 ,  C23C14/58

摘要： 本发明涉及电容器技术领域，具体涉及一种提高电容器用ZnAl金属化薄膜环境适应性和耐压稳定性的方法，利用辉光放电等离子体技术对PP介质膜进行预处理，然后再进行真空蒸镀金属化薄膜，通过采取辉光等离子体放电技术对电容器用双向拉伸聚丙烯(BOPP)基膜进行预处理，显著提高了ZnAl金属化薄膜的致密度，进而增强了金属化薄膜的环境适应性和耐压稳定性。

公开(公告)号：CN118835196A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410879839.0

申请日：2024-07-02

申请人： 安徽工业大学

发明人： 张世宏 ,  刘永康 ,  杨英 ,  郑军 ,  张腾飞 ,  张林 ,  蔡飞

IPC分类号： C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/16

摘要： 本发明涉及PVD涂层生产工艺技术领域，具体涉及一种离子刻蚀工艺控制PVD沉积涂层缺陷的方法，该方法采用柱弧(Ti靶材)，在辅助阳极的作用下对试样进行离子刻蚀，惰性气体(氩气)作为反应气体，产生的等离子体达到离子刻蚀的作用，减少涂层沉积缺陷。使用表征设备对离子刻蚀前后的微观组织进行分析，并对不同涂层在3.5wt.％NaCl溶液条件下的腐蚀行为进行深入的分析。通过引入离子刻蚀的方法有效降低了缺陷的数量，同时改善涂层的电化学性能。