-
公开(公告)号：CN115125486B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202210893289.9
申请日：2022-07-27
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明涉及硬质涂层制备技术领域，具体涉及一种含有多层结构的高强韧纳米复合涂层及其制备方法，使用高功率脉冲磁控溅射技术在金属基体上制备具有多层结构的纳米复合AlTiSiN涂层，由下至上依次包括沉积在金属基体表面的AlTiN粘结层，多层AlTiN/TiSiN支撑层和TiSiN工作层，支撑层中TiSiN涂层Si含量为3～7％，工作层TiSiN中Si含量为8～15％。采用低负偏压AlTiN粘结层改善涂层结合力，采用多层支撑层降低涂层内应力，提高涂层韧性，同时引入多层界面结构，降低涂层缺陷，提高涂层致密度；通过控制氮气流量和占空比调节工作层TiSiN中Si含量，提高纳米复合涂层的硬度和耐磨性，制备的多层结构纳米复合涂层工艺简单，膜层光滑致密，具有较高的硬度和膜基结合力，良好的抗磨损性能。
-
公开(公告)号：CN115233164A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210867294.2
申请日：2022-07-22
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明涉及电弧离子镀技术领域，具体涉及一种金刚石增强复合材料的电弧离子镀方法，包括下列步骤：(1)衬底准备：衬底是作为复合材料依附其上，完成生长的支撑；(2)金刚石颗粒的准备；(3)抽真空；(4)加热；(5)通入工艺气体；(6)膜层沉积；(7)衬底表面布置金刚石颗粒；(8)重复步骤(6)至(7)；(9)热处理，本发明利用电弧离子镀技术制备金刚石增强复合材料的基体，使基体材料种类从金属扩展至氮化物、碳化物等陶瓷材料，提高了金刚石增强复合材料的性能。
-
公开(公告)号：CN113265641B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110322329.X
申请日：2021-03-25
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明涉及碳膜制备技术领域，具体涉及一种基于低温辉光等离子体的疏水减摩自润滑碳膜及其制备方法，对材料进行抛光处理，将材料置于等离子体渗氮炉中，抽真空至10～50Pa，接通电压，电压保持在600～800V，占空比30％～80％；通入碳源气体和氢气/氩气，调节炉内温度和气压，开始制备疏水减摩自润滑的碳膜，保持稳定的温度和气压等参数一段时间，接着试样随炉冷却至室温，取出试样；这种基于低温辉光等离子体的疏水减摩自润滑碳膜及其制备方法，解决了如何在低温下采用低成本制备兼具疏水和减摩自润滑特性的碳膜的问题。
-
公开(公告)号：CN113957380A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111255505.9
申请日：2021-10-27
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明涉及等离子体渗氮技术领域，具体涉及一种低电流辉光和高电流弧光等离子体组合渗氮方法：对试样抛光至镜面并清洗、烘干后装载入炉内，打开真空泵，抽真空至5.0×10‑2Pa；电阻加热开启，炉温升温至渗氮所需温度400～550℃；通入氩气，加电压700‑800V，电离氩气形成辉光等离子体清洗试样表面，去除材料表面的氧化物等杂质，激活材料表面；接着利用柱弧源产生的弧光等离子体中的电子流电离氩气，进行二次激活，柱弧靶电流为100～200A；通入氮气，柱弧靶电流维持在100～200A，气压维持在1～3Pa，工件接负偏压300‑500V，形成的氮离子进行渗氮，渗氮速率远高于辉光等离子体渗氮，渗氮层表面粗糙度低，表面质量高，力学性能和摩擦磨损性能优于传统辉光等离子体渗氮术。
-
公开(公告)号：CN113265641A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110322329.X
申请日：2021-03-25
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明涉及碳膜制备技术领域，具体涉及一种基于低温辉光等离子体的疏水减摩自润滑碳膜及其制备方法，对材料进行抛光处理，将材料置于等离子体渗氮炉中，抽真空至10～50Pa，接通电压，电压保持在600～800V，占空比30％～80％；通入碳源气体和氢气/氩气，调节炉内温度和气压，开始制备疏水减摩自润滑的碳膜，保持稳定的温度和气压等参数一段时间，接着试样随炉冷却至室温，取出试样；这种基于低温辉光等离子体的疏水减摩自润滑碳膜及其制备方法，解决了如何在低温下采用低成本制备兼具疏水和减摩自润滑特性的碳膜的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112962053A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110139073.9
申请日：2021-02-01
Applicant: 广东振华科技股份有限公司 , 安徽工业大学
Abstract: 本发明涉及表面涂层技术领域，具体涉及一种自润滑防粘铝复合涂层、制备方法及其应用，这种自润滑防粘铝复合涂层，模具基体到表面依次包括离子渗氮层、CrN打底层、CrVN中间层、CrVCN工作层，所述模具基体为热作模具钢，述离子渗氮层的厚度为50～100μm，组织结构主要包含面向立方结构γ‑Fe4N硬质相，CrN打底层的厚度为0.5～1μm，CrVN中间层的厚度为2～3μm，组织结构为粗大柱状晶，CrVCN工作层的厚度为2～5μm，由细小的纳米晶镶嵌在非晶基体中构成纳米复合结构；这种自润滑防粘铝复合涂层的制备方法，提升复合涂层的抗粘铝性能，解决如何实现多元复合涂层的自润滑以及抗粘铝性能的问题。
-
公开(公告)号：CN112877667A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110031442.2
申请日：2021-01-11
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开一种真空镀膜中样品翻转装置，包括旋转轴、固定架、转盘、翻转栅条、被动齿轮、主动齿轮和固定转动部，所述旋转轴通过所述固定架与所述转盘固定连接，所述旋转轴的轴线穿过所述转盘中心，所述旋转轴带动所述转盘绕自身轴线旋转，所述翻转栅条设置在所述转盘上，且所述翻转栅条可绕自身轴线转动，一所述翻转栅条的一端固定设置有所述主动齿轮，其余所述翻转栅条的一端固定设置有所述固定齿轮，所述固定转动部可与所述主动齿轮传动连接，所述主动齿轮和相邻的所述固定齿轮啮合连接，相邻所述固定齿轮之间啮合连接；本发明的有益效果是样品在翻转时不需要额外的真空室空间，也不会对有效镀膜面积造成浪费。
-
公开(公告)号：CN109666904B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201811615661.X
申请日：2018-12-27
Applicant: 安徽多晶涂层科技有限公司 , 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了一种低应力高耐磨抗冲蚀涂层、制备方法及应用，低应力高耐磨抗冲蚀涂层包括基体、粘结层、工作层，粘结层为铬层，工作层为Cr/Cr2N/CrN纳米多层结构，粘结层位于基体与工作层之间；粘结层厚度为0.15～2μm，工作层厚度为2～3μm；低应力高耐磨抗冲蚀涂层的制备方法，包括如下步骤：对基体进行研磨抛光，然后用碱性溶液超声清洗后用去离子水冲洗并烘干，再用酸性溶液超声清洗后用去离子水冲洗并烘干；将清洗后的基体放入多弧离子镀膜室内，用辉光放电清洁表面；用多弧离子镀沉积粘结层；用多弧离子镀沉积工作层；该涂层具有很好的韧性、硬度和抗腐蚀性，各界面结合良好，相互匹配，增加了钛合金材料的硬度、耐磨性和抗冲蚀性。
-
公开(公告)号：CN114959575B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202210589861.2
申请日：2022-05-26
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明涉及表面涂层技术领域，具体涉及一种薄膜传感器用绝缘耐磨防护涂层及其制备方法，该涂层由下而上依次包括金属衬底、CrN过渡层、AlCrN支撑层、AlCrSiON功能层，在氩离子刻蚀清洗后的金属衬底表面，采用电弧离子镀技术首先沉积0.2μm厚的CrN过渡层，然后沉积0.7μm厚的AlCrN支撑层，最后沉积0.5～3μm厚的AlCrSiON功能层厚度，所述AlCrSiON功能层主要由fcc‑(Al,Cr)N和fcc‑(Al,Cr)2O3混合相组成，通过实验证明，通过上述方案得到的绝缘耐磨涂层不仅具有优异的界面结合性能和耐磨损性能，而且具有较高的电阻值和电阻率，适用于薄膜传感器的表面防护。
-
公开(公告)号：CN115125486A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210893289.9
申请日：2022-07-27
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明涉及硬质涂层制备技术领域，具体涉及一种含有多层结构的高强韧纳米复合涂层及其制备方法，使用高功率脉冲磁控溅射技术在金属基体上制备具有多层结构的纳米复合AlTiSiN涂层，由下至上依次包括沉积在金属基体表面的AlTiN粘结层，多层AlTiN/TiSiN支撑层和TiSiN工作层，支撑层中TiSiN涂层Si含量为3～7％，工作层TiSiN中Si含量为8～15％。采用低负偏压AlTiN粘结层改善涂层结合力，采用多层支撑层降低涂层内应力，提高涂层韧性，同时引入多层界面结构，降低涂层缺陷，提高涂层致密度；通过控制氮气流量和占空比调节工作层TiSiN中Si含量，提高纳米复合涂层的硬度和耐磨性，制备的多层结构纳米复合涂层工艺简单，膜层光滑致密，具有较高的硬度和膜基结合力，良好的抗磨损性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.024 seconds)
