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公开(公告)号：CN1900146B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200510027990.9
申请日：2005-07-21
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/3212
摘要： 本发明公开了一种化学机械抛光液，包括至少一种研磨颗粒、一种化学添加剂和一种载体；其中，该化学添加剂为聚羧酸类化合物和/或其盐。本发明可以明显降低缺陷率，提高金属表面平坦化水平，显著降低金属的抛光速率，优化电介质的抛光速率，扩大工艺参数窗口。
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公开(公告)号：CN102117023A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910247660.9
申请日：2009-12-30
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明公开了一种光刻胶清洗剂，含有：季铵氢氧化物，水，烷基二醇芳基醚，二甲基亚砜，聚丙烯酸类缓蚀剂，极性有机共溶剂以及pH调节剂。这种光刻胶清洗剂可以除去金属、金属合金或电介质等基材上的光刻胶(尤其是厚膜负性光刻胶)和其它刻蚀残留物，同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料具有极弱的腐蚀性，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102115637A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910247666.6
申请日：2009-12-30
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： C09G1/02
摘要： 本发明公开了一种化学机械抛光液，含有：磨料、双氧水、pH调节剂、水和下述络合剂中的一种或多种：三氮唑、碳原子上含有给电子取代基的三唑化合物、嘧啶、嘧啶衍生物、哌嗪和哌嗪衍生物，所述磨料的颗粒粒径为10～30nm。本发明的化学机械抛光液对Cu的去除速率对其所含的双氧水的浓度变化的敏感度较高。采用本发明的抛光液抛光后，铜表面比较光滑，表面形貌较好。
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公开(公告)号：CN102115634A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910247663.2
申请日：2009-12-30
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： C09G1/02
摘要： 本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有二氧化硅溶胶颗粒、有机羧酸和/或有机膦酸类化合物、硝酸钾和水，所述的二氧化硅溶胶颗粒的粒径为20～45nm。本发明为满足用于抛光氧化物介电质的化学机械抛光液的要求，提供了一种氧化物介电质去除速率高的化学机械抛光液。
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公开(公告)号：CN101095216A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200580036187.X
申请日：2005-10-19
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/461 , C09G1/02 , C09K3/14
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C23F3/04 , H01L21/3212 , H01L23/53242 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明揭示了采用CMP法在一衬底上制备银或银合金膜及膜图案的方法、研磨液的配方以及抛光机制。此方法与研磨液能使银或银合金膜具有高平坦化，低不平整度，高反射率与低缺陷性。
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公开(公告)号：CN101077961A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200610026938.6
申请日：2006-05-26
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： C09G1/02
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要： 本发明公开了一种用于精细表面平整处理的抛光液及其使用方法，本发明的用于精细表面平整处理的抛光液包括磨料和水，其特征在于：所述的磨料是溶胶型掺铝二氧化硅磨料，该溶胶型掺铝二氧化硅磨料为掺铝二氧化硅的水分散液。本发明的用于精细表面平整处理的抛光液在进行化学机械抛光时，向下压力为0.5～3psi。本发明的含溶胶型掺铝二氧化硅磨料的抛光液可以有效去除Ta、TaN、TEOS、FSG、BD或其它低介电材料等各种材料，并且对低介电材料的除去速率可提高2倍以上，并可获得优异的平坦效果。
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公开(公告)号：CN1900363A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200510027989.6
申请日：2005-07-21
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： C23G1/26 , H01L21/302
CPC分类号： C11D11/0029 , C11D3/0073 , C11D3/3757
摘要： 本发明公开了一种清洗液，其包括至少一种载体，其中还包括一种金属防腐抑制剂；本发明还公开了所述的清洗液在清洗金属衬底中的用途。与典型的清洗液相比，本发明提供的清洗液大大降低了金属材料的腐蚀程度，从而具有如下优点：(1)使得金属表面的缺陷率明显下降；(2)大大改善金属表面的平坦度；(3)提高产品质量，增加收益率，(4)提高清洗效率。
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公开(公告)号：CN1862391B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200510025821.1
申请日：2005-05-13
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C09G1/02 , G03F7/423 , G03F7/425 , H01L21/02063
摘要： 本发明公开了一种除光阻层的组合物及其使用方法，该组合物包括化学部分，该化学部分包括溶解或软化光阻层的化学成分和水；还包括机械部分，该机械部分为研磨颗粒。使用本发明的组合物和采用本发明的使用方法可以将已有的光阻层去除清洁工艺从两步减至一步，工艺得到简化、清洁工艺时间得到缩短、成本得到降低；本发明的组合物中化学成分的毒性小、可燃性小、使用量小，其与环境更加友善，并且减少化学废物处理的费用。
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公开(公告)号：CN102834476A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201080045173.5
申请日：2010-11-08
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： C09G1/02
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/3212
摘要： 本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有水，研磨剂，氧化剂和两种或两种以上的非铁过渡元素金属盐。本发明的化学机械抛光液可显著提高钨的抛光速度。
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