公开(公告)号：CN116135948A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202111371138.9

申请日：2021-11-18

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 夏德勇 ,  刘兵 ,  张维棚

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/311

摘要： 本发明提供一种化学蚀刻组合物，包括磷酸、硅基有机酸化合物和去离子水。本发明高选择性蚀刻组合物，相对于氧化物膜选择性地蚀刻氮化物膜，且操作窗口大，在化学蚀刻领域具有广阔的使用前景。

公开(公告)号：CN116144363A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202111392141.9

申请日：2021-11-19

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 夏德勇 ,  刘兵 ,  张维棚

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/311

摘要： 本发明提供了一种化学蚀刻组合物及其应用方法，所述化学蚀刻组合物含有磷酸、复合硅烷化合物和去离子水。所述化学蚀刻组合物能够选择性去除氮化硅并使得氧化硅蚀刻速率最小化，避免氧化硅再生长，同时避免在基底形成颗粒，操作窗口较大，在半导体高温蚀刻工艺中具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN114621769A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011443394.X

申请日：2020-12-11

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 夏德勇 ,  刘兵 ,  彭洪修 ,  张维棚

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/02

摘要： 本发明提供了一种蚀刻组合物及其应用。其包括：磷酸、硅烷化合物、硅基磷酸酯类化合物和去离子水。本发明的蚀刻组合物可以选择性地蚀刻氮化硅同时最小化地蚀刻氧化硅，解决了氧化硅再生长的问题，同时避免了在基底形成颗粒，操作窗口较大，在半导体高温蚀刻工艺中具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN115584263A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202110757253.3

申请日：2021-07-05

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 夏德勇 ,  刘兵 ,  张维棚

IPC分类号： C09K13/06 ,  C09K13/10 ,  H01L21/306

摘要： 本发明提供了一种化学蚀刻组合物及其应用。所述化学蚀刻组合物包括磷酸、硅烷化合物和去离子水。采用本发明的蚀刻组合物，能够有效提高氮化硅/氧化硅的蚀刻选择比，同时避免在基底上形成颗粒，操作窗口较大，在半导体高温蚀刻工艺中具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN115584262A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202110756761.X

申请日：2021-07-05

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 夏德勇 ,  刘兵 ,  张维棚

IPC分类号： C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  C09K13/10 ,  H01L21/306

摘要： 本发明提供一种化学蚀刻组合物，包括磷酸、硅烷化合物和去离子水。本发明中的蚀刻组合物，能够相对于氧化物膜选择性地蚀刻氮化物膜，操作窗口大，在蚀刻过程中能够保持稳定的蚀刻速率，在化学蚀刻领域具有广阔的使用前景。