公开(公告)号：CN117153889A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310728245.5

申请日：2023-06-20

Applicant: 宜宾吉林大学研究院

Inventor： 李柳暗 ,  林旺 ,  王启亮 ,  成绍恒 ,  李红东 ,  吕宪义

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/167 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L21/337 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明的一种雪崩调制的异质结栅场效应晶体管及其制备方法属于半导体器件技术领域。所述的场效应晶体管，结构包括：异质外延衬底(1)、沟道层(2)、电阻缓冲层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、n型氧化锌(6)、栅电极(7)、凹槽(8)等。制备方法包括生长异质外延衬底(1)、掺杂沟道层(2)、掺杂电阻缓冲层(3)等步骤。本发明制备的场效应晶体管具有高阈值电压、低导通电阻以及低栅极漏电等高性能。

公开(公告)号：CN221080025U

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202321568094.3

申请日：2023-06-20

Applicant: 宜宾吉林大学研究院

Inventor： 李柳暗 ,  林旺 ,  王启亮 ,  成绍恒 ,  李红东 ,  吕宪义

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/167 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L21/337 ,  H01L21/28

Abstract: 本实用新型的一种雪崩调制的异质结栅场效应晶体管属于半导体器件技术领域，结构包括：异质外延衬底(1)、沟道层(2)、电阻缓冲层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、n型氧化锌(6)、栅电极(7)、凹槽(8)等。本实用新型提供的场效应晶体管具有高阈值电压、低导通电阻以及低栅极漏电等高性能。