公开(公告)号：CN117721530A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311034762.9

申请日：2023-08-16

Applicant: 宜宾吉林大学研究院

Inventor： 李柳暗 ,  朱盈 ,  王启亮 ,  成绍恒 ,  李红东 ,  吕宪义

IPC: C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明的一种金刚石SiV色心规则阵列结构的制作方法属于量子材料技术领域，结合电子束光刻技术在金刚石衬底表面形成纳米尺度的图形化二氧化硅/铱掩膜，对二氧化硅掩模层的厚度进行调整，控制硅离子渗透的位置和深度，并通过控制二次生长的条件及生长时间调控具有空位中心的外延层厚度，从而调控探测精度。本发明通过提出的金刚石硅色心规则阵列制备方法，采用二氧化硅/铱混合掩膜结构，通过控制镀膜厚度，对掺杂深度满足设定的需求，制备了具有规则阵列的金刚石SiV色心结构。

公开(公告)号：CN117153889A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310728245.5

申请日：2023-06-20

Applicant: 宜宾吉林大学研究院

Inventor： 李柳暗 ,  林旺 ,  王启亮 ,  成绍恒 ,  李红东 ,  吕宪义

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/167 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L21/337 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明的一种雪崩调制的异质结栅场效应晶体管及其制备方法属于半导体器件技术领域。所述的场效应晶体管，结构包括：异质外延衬底(1)、沟道层(2)、电阻缓冲层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、n型氧化锌(6)、栅电极(7)、凹槽(8)等。制备方法包括生长异质外延衬底(1)、掺杂沟道层(2)、掺杂电阻缓冲层(3)等步骤。本发明制备的场效应晶体管具有高阈值电压、低导通电阻以及低栅极漏电等高性能。

公开(公告)号：CN221080025U

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202321568094.3

申请日：2023-06-20

Applicant: 宜宾吉林大学研究院

Inventor： 李柳暗 ,  林旺 ,  王启亮 ,  成绍恒 ,  李红东 ,  吕宪义

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/167 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L21/337 ,  H01L21/28

Abstract: 本实用新型的一种雪崩调制的异质结栅场效应晶体管属于半导体器件技术领域，结构包括：异质外延衬底(1)、沟道层(2)、电阻缓冲层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、n型氧化锌(6)、栅电极(7)、凹槽(8)等。本实用新型提供的场效应晶体管具有高阈值电压、低导通电阻以及低栅极漏电等高性能。

公开(公告)号：CN221238399U

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202322209711.7

申请日：2023-08-16

Applicant: 宜宾吉林大学研究院

Inventor： 李柳暗 ,  朱盈 ,  王启亮 ,  成绍恒 ,  李红东 ,  吕宪义

IPC: G01D5/26

Abstract: 本实用新型的一种基于硅空位色心传感器属于量子材料技术领域，结构包括：电路板(1)、电极(2)、音叉器件(3)、转接梁(4)、金刚石基片(5)、金刚石纳米柱波导阵列(6)。本实用新型提供的金刚石硅色心传感器设置有金刚石纳米柱波导阵列，形成多个含有硅空位色心的探头，提高了硅空位色心传感器的效率和使用寿命。且实现了多组微小尺寸传感器的集成，提升所探测外界磁场、温场、微波场位置、距离、强度、方向等信息精度。