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公开(公告)号：CN114019239A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111177699.5
申请日：2021-10-09
Applicant: 宜昌南玻硅材料有限公司 , 中国南玻集团股份有限公司
IPC: G01R27/02
Abstract: 一种基于红外透射快速检测硅锭电阻率的方法，步骤为：将硅锭放置在可转动的基台上，由下而上在硅锭上等间距地取N个测量点；将红外线光源架设在硅锭旁，硅锭另一侧对应设置红外线拍摄设备，红外线拍摄设备用于捕获从硅锭透射出来的透射红外光；将红外线光源从硅锭下端向上端进行扫描，同时红外线拍摄设备随着红外线光源同步移动，并形成了一张硅锭透射红外光灰度图；利用硅锭透射红外光灰度图总结度值与硅锭电阻率的函数表达式。本发明基于红外快速成像原理，建立红外透射率与硅锭电阻率的关系，通过红外图像快速获得整个硅锭的面电阻率分布，进行硅锭红外检测的同时，测试硅锭的电阻率，极大提高生产效率。
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公开(公告)号：CN111307814A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911212551.3
申请日：2019-11-29
Applicant: 宜昌南玻硅材料有限公司 , 中国南玻集团股份有限公司
Abstract: 一种基于图像处理的硅块杂质检测方法，它包括以下步骤：步骤1)图像采集：使用光源对硅块进行照射，并采集穿透过的光线，获得硅块内部图像；步骤2)查找灰斑：对采集的图像进行处理，找到灰斑；步骤3)鉴别灰斑：对找到的灰斑进行鉴别，剔除不是杂质原因形成的灰斑；由步骤1)、步骤2)、步骤3)最终获得硅块内部图像中杂质点的数量、坐标和大小信息；步骤4)结果处理：进一步统计得出杂质密度，杂质点分布，杂质点总面积，确定该硅块的处理方式。本发明是为了提高硅块杂质检测的准确性、客观性、高效性而提供的一种基于图像处理的硅块杂质检测方法。
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公开(公告)号：CN114019239B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202111177699.5
申请日：2021-10-09
Applicant: 宜昌南玻硅材料有限公司 , 中国南玻集团股份有限公司
IPC: G01R27/02
Abstract: 一种基于红外透射快速检测硅锭电阻率的方法，步骤为：将硅锭放置在可转动的基台上，由下而上在硅锭上等间距地取N个测量点；将红外线光源架设在硅锭旁，硅锭另一侧对应设置红外线拍摄设备，红外线拍摄设备用于捕获从硅锭透射出来的透射红外光；将红外线光源从硅锭下端向上端进行扫描，同时红外线拍摄设备随着红外线光源同步移动，并形成了一张硅锭透射红外光灰度图；利用硅锭透射红外光灰度图总结度值与硅锭电阻率的函数表达式。本发明基于红外快速成像原理，建立红外透射率与硅锭电阻率的关系，通过红外图像快速获得整个硅锭的面电阻率分布，进行硅锭红外检测的同时，测试硅锭的电阻率，极大提高生产效率。
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公开(公告)号：CN115326883A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210886693.3
申请日：2022-07-26
Applicant: 宜昌南玻硅材料有限公司 , 中国南玻集团股份有限公司
Abstract: 一种用于光伏硅片生产过程中的硅棒质量分析方法，步骤为：对硅棒进行电阻率测试，得到电阻率值；对硅棒进行少子寿命测试，少子寿命值；计算少子寿命与电阻率两值之比，得到比值称之为相对少子寿命；对一组硅棒样品进行相对少子寿命值的计算，得到相对少子寿命；根据相对少子寿命的数值大小进行分组，对m组样品分别进行切片；计算得到m组样品每组对应的平均相对少子寿命值；对m组硅片样品分别进行电池效率评估，得率m组电池转换效率数据；将m组电池转换效率数据与m组平均相对少子寿命值进行相关性分析，验证两组数据的相关性。本发明提出利用相对少子寿命评估硅棒质量的方法，可以消除掺杂电阻率对少子寿命的影响。
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公开(公告)号：CN112144103A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011033536.5
申请日：2020-09-27
Applicant: 宜昌南玻硅材料有限公司 , 中国南玻集团股份有限公司
IPC: C30B11/14
Abstract: 一种铸造单晶籽晶制备方法，将直拉单晶棒的头部和尾部去除；将直拉单晶棒头部的切割面定义为头面，直拉单晶棒尾部的切割面定义为尾面；用金刚笔在所述的头面上刻“T”字形标识，“T”字的上下左右四个棱线分别为a、b、c和d；从正视于头面角度看，a、b、c和d构成了正方形，正方形以头面圆心为基准旋转X角度，去皮操作后得到单晶方棒；单晶方棒的四个侧面分别定义为一号面、二号面、三号面和四号面，使用金刚笔在一号面的左侧或右侧上刻画一条竖线作为标记线，将单晶方棒从头面向尾面横向切割成若干个等高的单晶籽晶，最后对X单晶籽晶进行清洗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107045996B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710384704.7
申请日：2017-05-26
Applicant: 宜昌南玻硅材料有限公司 , 中国南玻集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于光致发光评估多晶硅锭的晶体质量的方法，涉及多晶硅生产领域，包括以下步骤：建立光致发光硅片检测系统；以光致发光硅片检测系统检测多晶硅片；获取多晶硅片的少子寿命、位错、晶界信息和杂质含量的影响因子；将多晶硅片制备成电池片，测试电池片的电性能参数；根据各个影响因子对电池片的电性能影响程度，获取Q值；根据Q值评估多晶硅片的质量。通过采用以上的方案，能够构建表征多晶硅片和硅锭晶体质量的特征值，通过在线应用检测，评估多晶硅片的晶体质量，同时以此评估整个硅锭的晶体质量，提供热场结构改进和铸锭工艺优化的方向。
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公开(公告)号：CN112144103B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202011033536.5
申请日：2020-09-27
Applicant: 宜昌南玻硅材料有限公司 , 中国南玻集团股份有限公司
IPC: C30B11/14
Abstract: 一种铸造单晶籽晶制备方法，将直拉单晶棒的头部和尾部去除；将直拉单晶棒头部的切割面定义为头面，直拉单晶棒尾部的切割面定义为尾面；用金刚笔在所述的头面上刻“T”字形标识，“T”字的上下左右四个棱线分别为a、b、c和d；从正视于头面角度看，a、b、c和d构成了正方形，正方形以头面圆心为基准旋转X角度，去皮操作后得到单晶方棒；单晶方棒的四个侧面分别定义为一号面、二号面、三号面和四号面，使用金刚笔在一号面的左侧或右侧上刻画一条竖线作为标记线，将单晶方棒从头面向尾面横向切割成若干个等高的单晶籽晶，最后对X单晶籽晶进行清洗。
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公开(公告)号：CN113334596A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110720652.2
申请日：2021-06-28
Applicant: 宜昌南玻硅材料有限公司 , 中国南玻集团股份有限公司
Abstract: 一种返线累加式切割硅锭的方法，步骤为：硅锭切割完毕后，由“自动模式”转为“手动模式”；冷却液流量设置为F1,持续时间为T1，将设备张力降低至P1，关闭“冷却流量”，设定设备运作速度为S1；记录下放线室金刚线剩余长度数量，将设备运作方式由放线室到收线室改为由收线室到放线室，依照放线室的线轮返线复绕的情况调整放线线室的限位边距，设定返线长度后，将设备运作速度逐步提高至S2；返线复绕过程中，确保观察各线轮的运作是否正常，发现非正常圆周运作的及时停机进行纠正或更换，使得复绕过程中无断线；返线达到设定长度后，将设备速度降至S3。解决了返线长度无法累加的问题，提高金刚线返线的利用率。
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公开(公告)号：CN111307814B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201911212551.3
申请日：2019-11-29
Applicant: 宜昌南玻硅材料有限公司 , 中国南玻集团股份有限公司
Abstract: 一种基于图像处理的硅块杂质检测方法，它包括以下步骤：步骤1)图像采集：使用光源对硅块进行照射，并采集穿透过的光线，获得硅块内部图像；步骤2)查找灰斑：对采集的图像进行处理，找到灰斑；步骤3)鉴别灰斑：对找到的灰斑进行鉴别，剔除不是杂质原因形成的灰斑；由步骤1)、步骤2)、步骤3)最终获得硅块内部图像中杂质点的数量、坐标和大小信息；步骤4)结果处理：进一步统计得出杂质密度，杂质点分布，杂质点总面积，确定该硅块的处理方式。本发明是为了提高硅块杂质检测的准确性、客观性、高效性而提供的一种基于图像处理的硅块杂质检测方法。
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公开(公告)号：CN113733379A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110976627.0
申请日：2021-08-24
Applicant: 宜昌南玻硅材料有限公司 , 中国南玻集团股份有限公司
Abstract: 一种多晶硅锭开方尺寸可调节式锭台及使用方法，包括有调节底板、晶体调节底座和边料防护板，调节底板上开设有安装孔，晶体调节底座安设在安装孔内，边料防护板安设在晶体调节底座的外围处，本装置使用时包括以下步骤，在调节底板上均匀开设安装孔，将晶体调节底座安设在安装孔内并呈矩阵排列，将边料防护板安插在晶体调节底座的外围，将待切割的多晶硅锭放置在边料防护板的内侧和晶体调节底座的上端并用金刚线切割；本发明将固定的晶锭台改成网格化结构，解决了传统的开方机锭台只能加工单一尺寸的硅块缺陷，装置还可有效降低人工清除硅粉的频率和难度，在提高工作效率的同时也提高了晶体硅的切割质量。
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