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公开(公告)号：CN104752594A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310728541.1
申请日：2013-12-25
申请人： 宝钢金属有限公司
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066
摘要： 一种用于AC-LED芯片结构倒装焊金属层的制作方法，该金属层包括与AC-LED芯片结构中整流电路的正、负电极相对应连接的上下导电区域及上下导电区域之间非导电的散热区；上下导电区域的宽度不小于50微米；上下导电区域上蒸镀有Cr、In、Ag、Au、Sn中至少两种金属，每层膜厚10～5000nm，形成多层金属结构。本发明能保障AC-LED芯片结构金属层与基板紧紧键合在一起，避免芯片与基板键合不牢靠、接触不充分、倒装焊时出现虚焊等问题，且，能够保证基板与芯片在一个相对低的温度环境下进行倒装焊，保证芯片与基板的电路及结构不受损害，保障倒装焊芯片稳定工作及倒装焊的成功率、AC-LED成品率；另外，还提高AC-LED芯片的出光效率、散热性能，提高了AC-LED的电性能和光性能。
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公开(公告)号：CN104752594B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201310728541.1
申请日：2013-12-25
申请人： 宝钢金属有限公司
IPC分类号： H01L33/62
摘要： 一种用于AC‑LED芯片结构倒装焊金属层的制作方法，该金属层包括与AC‑LED芯片结构中整流电路的正、负电极相对应连接的上下导电区域及上下导电区域之间非导电的散热区；上下导电区域的宽度不小于50微米；上下导电区域上蒸镀有Cr、In、Ag、Au、Sn中至少两种金属，每层膜厚10～5000nm，形成多层金属结构。本发明能保障AC‑LED芯片结构金属层与基板紧紧键合在一起，避免芯片与基板键合不牢靠、接触不充分、倒装焊时出现虚焊等问题，且，能够保证基板与芯片在一个相对低的温度环境下进行倒装焊，保证芯片与基板的电路及结构不受损害，保障倒装焊芯片稳定工作及倒装焊的成功率、AC‑LED成品率；另外，还提高AC‑LED芯片的出光效率、散热性能，提高了AC‑LED的电性能和光性能。
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公开(公告)号：CN104752578A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310727247.9
申请日：2013-12-25
申请人： 宝钢金属有限公司
摘要： 一种用于AC-LED芯片结构倒装焊金属层结构，该金属层包括与AC-LED芯片结构中整流电路的正、负电极相对应连接的上下导电区域及上下导电区域之间非导电的散热区；上下导电区域的宽度不小于50微米；上下导电区域上蒸镀有Cr、In、Ag、Au、Sn中至少两种金属，每层膜厚10～5000nm，形成多层金属结构。本发明能够保障AC-LED芯片结构金属层与基板紧紧键合在一起，避免芯片与基板键合不牢靠、接触不充分、倒装焊时出现虚焊等问题，还能够保证基板与芯片是在一个相对低的温度环境下进行倒装焊，保证芯片与基板的电路及结构不受损害，保障倒装焊芯片的稳定工作及倒装焊的成功率、AC-LED的成品率；另外，还能提高AC-LED芯片的出光效率、散热性能等，提高AC-LED的电性能和光性能。
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