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公开(公告)号：CN116334717A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202111587199.9
申请日：2021-12-23
IPC分类号： C25D11/30
摘要： 一种含LPSO相镁合金微弧氧化处理方法，采用偏铝酸盐、硅酸盐和磷酸盐三种盐混合的电解液体系，结合两步微弧氧化处理，控制氧化膜层结构中陶瓷相的生成，并使大量裸露出的LPSO相嵌入微弧氧化膜中，所得的微弧氧化膜孔隙率、孔径较小、表面平整、无微裂纹，孔隙率≤9％，微弧氧化膜孔径为140～1100nm，平均孔径≤1μm，显著提高了镁合金的耐腐蚀性能，镁合金自腐蚀电流密度较微弧氧化处理前降低三个数量级，自腐蚀电流密度≤3.588×10‑8A cm‑2，耐腐蚀效率≥1208％。
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公开(公告)号：CN115233059B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210974558.4
申请日：2022-08-15
申请人： 重庆大学
IPC分类号： C22C23/00 , C22C23/06 , C22C1/03 , C22F1/06 , G10K11/162
摘要： 本发明公开了一种高阻尼Mg‑Sn‑Y合金，该合金由Mg‑Sn‑Y三种元素组成，其各组成重量百分比含量值为：Sn＝0.5‑10％，Y＝0.5‑10％，余量为镁和不可避免的杂质。本发明还公开了该高阻尼Mg‑Sn‑Y合金的制备方法。本发明所提供的高阻尼Mg‑Sn‑Y合金，通过适当的合金元素组合和成分优化配比，进一步叠加高温热处理程序。使得Sn和Y组合添加使基体具有较小的平衡固溶度，高温热处理工艺使基体中溶质原子析出使合金具有高位错阻尼；然后形成的弥散Mg‑Sn‑Y化合物使合金形成大量亚晶界，使合金具有高界面阻尼。本发明所得到的高阻尼Mg‑Sn‑Y合金在整个测试应变范围内都是高阻尼状态(Q‑1＞0.01)，且相较于其他镁合金对比，其在应变为0.01％，0.1％时，阻尼值分别达到0.086和0.21。
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公开(公告)号：CN113355717B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110624044.1
申请日：2021-06-04
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明涉及一种镁合金表面微弧氧化膜‑ZIF‑8‑GO/LDHs复合膜的制备方法，该方法无需引入外来的金属阳离子，在纯的氧化石墨烯溶液中可形成GO/LDHs的复合膜层，并利金属有机框架ZIF‑8修饰GO/LDHs涂层的表面，形成即为致密的ZIF‑8‑GO/LDHs复合膜。而且添加了GO促使LDHs向任意方向生长，呈现出褶皱的边缘，ZIF‑8的原位生长填充了GO/LDHs本身存在的间隙，极大地提高了涂层的曲折度和致密性。通过原位生长的方式制备出来的具有有效封闭微弧氧化膜孔洞的ZIF‑8‑GO/LDHs防护膜，提高了防护膜层厚度，原位生长的方法得到的薄膜既耐蚀膜，又均匀致密，提高了耐腐蚀性。所以本发明的制备方法所用试剂简单，容易获得，对环境也没有污染，整体工艺简单且绿色环保。
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公开(公告)号：CN113488648B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110825476.9
申请日：2021-07-21
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H01M4/58 , H01M10/054 , C01G3/12
摘要： 本发明属于电池技术领域，具体涉及一种用作镁离子电池正极材料的硫化亚铜的制备方法，其以三水合硝酸铜和聚乙烯吡咯烷酮为原料合成氧化亚铜，随后与硫脲在少量氧气存在下进行反应。本发明的硫化亚铜用作镁离子电池正极材料，电池循环性能优异，电池比容量高。
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公开(公告)号：CN109680317A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910168650.X
申请日：2019-03-06
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明涉及一种镁合金表面微弧氧化膜-LDHs复合膜的制备方法，该方法脱离传统方法中用到的高温高压反应釜，直接以简单温和的反应条件即可生成。极大提高了其工业实用性，为工业化生产摆脱了工艺瓶颈。而且以微弧氧化膜上的氧化镁为镁源，进一步调节所配置溶液的pH值，控制反应时间、反应温度通过原位生长的方式制备出来的具有有效封闭微弧氧化膜孔洞的Mg-Al LDHs防护膜。双重的复合膜层，提高了防护膜层厚度，用原位生长的方法得到的膜层均匀致密，提高了耐腐蚀性。所以本发明的制备方法所用试剂简单，容易获得，对环境也没有污染，整体工艺简单且绿色环保。
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公开(公告)号：CN118800861A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410957915.5
申请日：2024-07-17
摘要： 本发明公开了一种可充镁电池金属镁负极表面原位生长SEI膜的方法，包括如下步骤：1)将锡盐、锑盐溶解后混合均匀，然后滴加电解溶剂，搅拌混合均匀，得到电解液；2)将金属镁作为负极，步骤1)配制的电解液组装可充镁电池，所述可充镁电池在搁置、以及充放电过程中，电解液在金属镁表面原位生成SnSb基的SEI膜。本发明通过采用含有锡和锑的电解液，该电解液与金属镁发生还原氧化反应，在金属镁负极表面生长了SnSb基的人工SEI膜，同时Sb和Sn具有良好的亲镁性，提升了电解液与电极界面之间的Mg2+的传输和扩散。该SEI膜可以缓解镁金属和电解液的直接接触、降低镁沉积的成核电位和溶出势垒，抑制镁枝晶树突状的生长，提高电池的整体性能。
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公开(公告)号：CN116364901A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310362776.7
申请日：2023-04-07
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明公开了一种In‑Sn‑Bi三元共晶合金负极材料，所述三元共晶合金负极材料包括In、Sn和Bi三种元素，且所述In、Sn的摩尔比为(1‑2)：1，Bi含量大于25％。本发明还公开了In‑Sn‑Bi三元共晶合金负极材料的制备方法和应用。本发明所提供的In‑Sn‑Bi三元共晶合金负极材料，其通过采用特定摩尔比的In元素与Sn元素组合，同时与具有良好动力学但容易衰减的Bi组合，三者在球磨合金化过程中形成了细小的纳米结构的共晶组织，显著增加活性物质的比表面积和结构的稳定性，形成的六方晶系的Bi相、正方晶系的Sn相和四方晶系的InBi相提高了镁电池的比容量，并具有优秀的循环稳定性。含有该In‑Sn‑Bi三元共晶合金负极材料所制得的合金负极材料在80圈循环之后筛减极小，容量保持率高达98％。
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公开(公告)号：CN113564573B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202110834632.8
申请日：2021-07-22
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明涉及镁合金表面SLIPS/LDHs复合膜层的制备方法，先在镁合金基体上原位生长三元MgAlLa‑LDHs膜层，进一步利用LDHs独特的离子交换性能，进行阴离子苯甲酸根的负载，然后采用含氟硅烷对LDHs进行低表面能改性，从而可以实现在其表面进行二甲基硅油的灌注，制备出SLIPS/LDHs复合膜层。复合膜层良好的疏水性可有效隔绝外界腐蚀性离子对镁合金基体的侵蚀。具有缓蚀作用的La离子、苯甲酸根离子及物理流动作用的润滑液，可在镁合金表面三重自修复一体化设计。制备方法简单、成本低，极大提高工业实用性和效率。且复合膜层可显著改善镁合金基体的耐腐蚀性能，从而促进镁合金在航空航天、汽车、电子等领域的广泛应用。
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公开(公告)号：CN114318096A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210042717.7
申请日：2022-01-14
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明公开了一种耐腐蚀镁合金，以质量分数计，其化学元素组成包括：钪0.3％、钙0.1‑0.5％，其余为镁和不可避免的杂质，杂质总含量不大于0.01％。本发明还公开了该耐腐蚀镁合金的制备方法。本发明所提供的耐腐蚀镁合金，通过加入析氢过电位较高的Sc元素，形成具有优良耐蚀性能的Mg‑Sc合金；再通过采用微合金化技术，在Mg‑Sc单相合金的基础上，加入微量Ca元素，微量Ca元素的加入能够有效细化合金的晶粒组织、改善第二相的成分和结构；抑制阴极动力学，改善其电化学性能；改善镁合金腐蚀产物膜的成分和结构，生成更加稳定的金属氧化物，形成更加致密的腐蚀产物膜等提高镁合金的耐蚀性能。
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公开(公告)号：CN113549913A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110840941.6
申请日：2021-07-22
申请人： 重庆大学
IPC分类号： C23C22/60
摘要： 本发明涉及一种镁合金表面三元MgAlLa‑LDHs膜层的制备方法，该方法采用传统方法中用到的反应釜，直接生成三元的LDHs膜层。极大提高了其工业实用性，为工业化生产提供了新的技术路线。而且以镁合金AZ31为镁源，进一步调节所配置溶液的pH值，优化反应液浓度，反应时间、反应温度，可通过原位生长的方式一步直接制备具有自修复‑高耐蚀的Mg‑Al‑La LDHs防护膜层。原位生长的方法得到的三元的LDHs薄膜均匀致密，提供了优于普通二元膜层的耐蚀性，也提高了基体的耐腐蚀性。所以本发明的制备方法所用试剂简单，容易获得，对环境也没有污染，整体工艺简单且绿色环保。
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