公开(公告)号：CN106663692A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201680002154.1

申请日：2016-02-03

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 阿部和 ,  宫田大嗣 ,  高桥英纪 ,  野口晴司 ,  岛田直也

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

摘要： 实现IGBT或进行与IGBT类似的动作的半导体装置的闩锁耐量的提高以及低导通电压化。半导体装置(1A)具备：第一导电型的漂移层(3)；在漂移层(3)上被彼此相邻的沟槽(4)夹着的台面区(5)；栅极电极(8)，其隔着栅极绝缘膜(6)设置于各沟槽(4)的内部；第二导电型的基极区(9)，其设置于台面区(5)；第一导电型的发射极区(11)，其在基极区(9)的表层部沿着沟槽(4)的长边方向周期性地配置有多个；以及第二导电型的接触区(12)，其以夹着各发射极区(11)的方式沿着长边方向与发射极区交替地配置，形成为比发射极区(11)深，且蔓延到发射极区(11)的正下方并相互分离。

公开(公告)号：CN106663692B

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201680002154.1

申请日：2016-02-03

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 阿部和 ,  宫田大嗣 ,  高桥英纪 ,  野口晴司 ,  岛田直也

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

摘要： 实现IGBT或进行与IGBT类似的动作的半导体装置的闩锁耐量的提高以及低导通电压化。半导体装置(1A)具备：第一导电型的漂移层(3)；在漂移层(3)上被彼此相邻的沟槽(4)夹着的台面区(5)；栅极电极(8)，其隔着栅极绝缘膜(6)设置于各沟槽(4)的内部；第二导电型的基极区(9)，其设置于台面区(5)；第一导电型的发射极区(11)，其在基极区(9)的表层部沿着沟槽(4)的长边方向周期性地配置有多个；以及第二导电型的接触区(12)，其以夹着各发射极区(11)的方式沿着长边方向与发射极区交替地配置，形成为比发射极区(11)深，且蔓延到发射极区(11)的正下方并相互分离。