-
公开(公告)号：CN112382315A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011284552.1
申请日：2018-01-29
申请人： 富士电机株式会社
摘要： 提供一种将平均粒径和粒径分散降低的磁记录介质。提供一种具有可适用作磁记录介质的磁特性(磁各向异性能)的磁记录介质。该磁记录介质以一层配置在另一层之上的方式依次包含基板、粒径控制层、第1种晶层、第2种晶层、以及包含有序合金的磁记录层；所述第2种晶层由(i)晶粒和(ii)晶界材料构成；所述晶粒以TiN作为主成分，所述晶界材料以选自金属氧化物和碳中的至少一种以上的材料作为主成分。
-
公开(公告)号：CN107430872B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201680019575.5
申请日：2016-06-02
申请人： 富士电机株式会社
CPC分类号： G11B5/8404 , C23C14/022 , C23C14/024 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/185 , C23C14/35 , G11B5/73 , G11B5/7379 , G11B5/851
摘要： 本发明的目的是提供一种具有含有(Mg1－xTix)O的种子层和含有L10型有序合金的磁记录层的层叠结构、且具有提高了的特性的磁记录介质。本发明的磁记录介质的制造方法包含(1)准备基板的工序；(2)在基板上形成含有(Mg1－xTix)O的种子层的工序；(3)在含有稀有气体的气氛中将种子层等离子蚀刻的工序；(4)在实施了工序(3)的种子层上形成含有有序合金的磁记录层的工序。
-
-
公开(公告)号：CN105874536B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201580002549.7
申请日：2015-08-10
申请人： 富士电机株式会社
摘要： 本发明的目的在于，提供具有更优异的磁特性的磁记录介质，其具有含有L10系有序合金的磁记录层。就磁记录介质的一个构成而言，按顺序包含：基板、含有ZnO的第1籽晶层、含有MgO的第2籽晶层、以及含有有序合金的磁记录层。
-
公开(公告)号：CN107735835A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201780002195.5
申请日：2017-01-05
申请人： 富士电机株式会社
摘要： 本发明的目的在于提供垂直磁记录介质，所述垂直磁记录介质使用了具有(002)取向的hcp结构的Ru种晶层，并具有包含适于垂直磁记录的(001)取向的L10型有序合金的磁记录层。本发明的磁记录介质依次包含基板、含Ru的第1种晶层、含ZnO的第2种晶层、含MgO的第3种晶层、含有序合金的磁记录层，第1种晶层具有(002)取向的六方最密堆积结构。
-
公开(公告)号：CN105874536A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201580002549.7
申请日：2015-08-10
申请人： 富士电机株式会社
摘要： 本发明的目的在于，提供具有更优异的磁特性的磁记录介质，其具有含有L10系有序合金的磁记录层。就磁记录介质的一个构成而言，按顺序包含：基板、含有ZnO的第1籽晶层、含有MgO的第2籽晶层、以及含有有序合金的磁记录层。
-
公开(公告)号：CN115241268A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210206026.6
申请日：2022-02-28
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H01L29/06
摘要： 本发明提供一种制作(制造)简单且可靠性高的半导体装置。在边缘终端区2设置有FLR结构20作为耐压结构。FLR结构20由以同心状包围有源区2的周围的多个FLR 101～118构成。FLR 101～118的杂质浓度为小于1×1018/cm3的范围内，优选为3×1017/cm3以上且9×1017/cm3以下的范围内。FLR101～118的厚度t10为0.7μm以上且1.1μm以下。最靠内侧的FLR 101与外周p+型区62a之间的第1间隔w1为1.2μm以下左右的范围内。
-
公开(公告)号：CN107836022B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201780002234.1
申请日：2017-01-06
申请人： 富士电机株式会社
摘要： 使用种子层提供具有包含适合于垂直磁记录的有序合金的磁记录层的垂直磁记录介质。或者，在确保必要的热稳定性的同时提高记录密度。或者，兼顾磁性层的增厚和粒径的微细化。是一种磁记录介质，其特征在于依次包括基板、第1种子层、含有ZnO的第2种子层、含有MgO的第3种子层、和含有有序合金的磁记录层，且所述第1种子层含有Ru、和选自由氧化物、碳化物及氮化物组成的组中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN105637585B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201580002204.1
申请日：2015-03-13
申请人： 富士电机株式会社
摘要： 本发明的目的在于，提供一种磁记录层及具有该磁记录层的磁记录介质，该磁记录层具有高磁各向异性常数Ku及低居里温度Tc。本发明所述磁记录介质的特征在于，包含非磁性基板和磁记录层，磁记录层含有有序合金，该有序合金包含选自由Fe和Ni所组成的群中的至少1种元素、选自由Pt、Pd、Au、Rh和Ir所组成的群中的至少1种元素、以及Ru。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
23 条记录 (耗时 0.029 秒)
