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公开(公告)号：CN112382315A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011284552.1
申请日：2018-01-29
申请人： 富士电机株式会社
摘要： 提供一种将平均粒径和粒径分散降低的磁记录介质。提供一种具有可适用作磁记录介质的磁特性(磁各向异性能)的磁记录介质。该磁记录介质以一层配置在另一层之上的方式依次包含基板、粒径控制层、第1种晶层、第2种晶层、以及包含有序合金的磁记录层；所述第2种晶层由(i)晶粒和(ii)晶界材料构成；所述晶粒以TiN作为主成分，所述晶界材料以选自金属氧化物和碳中的至少一种以上的材料作为主成分。
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公开(公告)号：CN109643556A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201880003388.7
申请日：2018-01-29
申请人： 富士电机株式会社
摘要： 提供一种将平均粒径和粒径分散降低的磁记录介质。提供一种具有可适用作磁记录介质的磁特性(磁各向异性能)的磁记录介质。该磁记录介质依次包含基板、粒径控制层、第1种晶层、第2种晶层、以及包含有序合金的磁记录层；所述第2种晶层由晶粒和晶界材料构成；所述晶粒以TiN作为主成分，所述晶界材料以选自金属氧化物和碳中的至少一种以上作为主成分。
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公开(公告)号：CN107836022A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201780002234.1
申请日：2017-01-06
申请人： 富士电机株式会社
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
摘要： 使用种子层提供具有包含适合于垂直磁记录的有序合金的磁记录层的垂直磁记录介质。或者，在确保必要的热稳定性的同时提高记录密度。或者，兼顾磁性层的增厚和粒径的微细化。是一种磁记录介质，其特征在于依次包括基板、第1种子层、含有ZnO的第2种子层、含有MgO的第3种子层、和含有有序合金的磁记录层，且所述第1种子层含有Ru、和选自由氧化物、碳化物及氮化物组成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN115700915A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210593444.5
申请日：2022-05-27
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H01L23/64 , H01L23/14 , H01L23/49 , H01L23/495 , H01L25/16
摘要： 本发明提供能够降低振荡现象的产生的半导体装置。半导体装置通过电阻芯片来减小从控制端子起控制电极为止的布线电阻以及电感的相对差。在导通(或关断)针对控制电极的控制电压时，能够抑制多个半导体芯片的上升时间(或下降时间)的差。由此，输出电极(源极)的电压不会紊乱。因此，能够向外部的控制装置输出稳定的电压。此外，半导体装置通过引线而使配置于不同的绝缘电路基板的半导体芯片的输出电极间的电位均匀化。由此，能够从输出电极(源极)向外部的控制装置稳定地输出电压。因此，半导体装置能够抑制振荡现象以及由其引起的误动作的产生，并且能够抑制可靠性的降低。
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公开(公告)号：CN107836022B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201780002234.1
申请日：2017-01-06
申请人： 富士电机株式会社
摘要： 使用种子层提供具有包含适合于垂直磁记录的有序合金的磁记录层的垂直磁记录介质。或者，在确保必要的热稳定性的同时提高记录密度。或者，兼顾磁性层的增厚和粒径的微细化。是一种磁记录介质，其特征在于依次包括基板、第1种子层、含有ZnO的第2种子层、含有MgO的第3种子层、和含有有序合金的磁记录层，且所述第1种子层含有Ru、和选自由氧化物、碳化物及氮化物组成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN103098134A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201280002810.X
申请日：2012-05-01
申请人： 富士电机株式会社
CPC分类号： G11B5/66 , G11B5/73 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/85 , G11B5/851
摘要： 本发明提供一种进一步低噪声化并提高了SN比等性能，能够实现高密度磁记录的垂直磁记录介质。在垂直磁记录介质中，在非磁性基板上依次至少叠层有第一非磁性中间层、第二非磁性中间层和磁记录层，上述第一非磁性中间层由CoCrRuW合金形成，并且上述第二非磁性中间层由Ru基合金形成。
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公开(公告)号：CN116438636A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202280007073.6
申请日：2022-03-07
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H01L21/52
摘要： 提供一种组装容易、具有高可靠性和耐腐蚀性的半导体装置。具备：安装构件(1)，其具有以铜为主成分的布线层(1b)；第1覆盖层(2)，其含有镍，且以布线层(1b)上表面的一部分在开口部(8)露出的方式覆盖布线层(1b)；接合层(3)，其在开口部(8)与布线层(1b)金属性接合；第2覆盖层(6)，其含有镍，且在接合层(3)的上表面与接合层(3)金属性接合；以及半导体芯片(7)，其下表面被第2覆盖层(6)覆盖。接合层(3)具有与布线层(1b)接触的下层(5a)、与第2覆盖层(6)接触的上层(5b)、以及在下层(5a)与上层(5b)之间的中间层(4)，下层(5a)和上层(5b)包含含有锡、铜以及镍的金属间化合物作为主成分，中间层(4)是以锡为主成分且不含铅的合金。
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公开(公告)号：CN109643556B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201880003388.7
申请日：2018-01-29
申请人： 富士电机株式会社
摘要： 提供一种将平均粒径和粒径分散降低的磁记录介质。提供一种具有可适用作磁记录介质的磁特性(磁各向异性能)的磁记录介质。该磁记录介质以一层配置在另一层之上的方式依次包含基板、粒径控制层、第1种晶层、第2种晶层、以及包含有序合金的磁记录层；所述第2种晶层由(i)晶粒和(ii)晶界材料构成；所述晶粒以TiN作为主成分，所述晶界材料以选自金属氧化物和碳中的至少一种以上的材料作为主成分。
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公开(公告)号：CN103098134B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201280002810.X
申请日：2012-05-01
申请人： 富士电机株式会社
CPC分类号： G11B5/66 , G11B5/73 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/85 , G11B5/851
摘要： 本发明提供一种进一步低噪声化并提高了SN比等性能，能够实现高密度磁记录的垂直磁记录介质。在垂直磁记录介质中，在非磁性基板上依次至少叠层有第一非磁性中间层、第二非磁性中间层和磁记录层，上述第一非磁性中间层由CoCrRuW合金形成，并且上述第二非磁性中间层由Ru基合金形成。
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