公开(公告)号：CN101877529A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010150674.1

申请日：2010-03-16

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 上野胜典

IPC: H02M1/08 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/7815 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7813 ,  H02M7/003 ,  Y02B70/1483

Abstract: 本发明的目的是通过将WBG半导体用作逆变器电路的开关元件来获得具有高可靠性和高负载短路耐受能力同时保持低导通电阻的半导体器件。在应用于逆变器电路的开关元件的半导体器件中，半导体材料的带隙比硅的带隙宽，设置了在主晶体管短路时限制电流的电路，而且主要用于让电流通过的主晶体管、并联连接至主晶体管并检测与流过主晶体管的电流成比例的微电流的感测晶体管、以及基于感测晶体管的输出来控制主晶体管的栅极的横向MOSFET形成在同一半导体上。

公开(公告)号：CN102184918A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201010576099.1

申请日：2010-11-25

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 上野胜典

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834

Abstract: 为了提供尽可能低成本的内燃机点火器半导体器件，同时确保能量耐受性和反向浪涌耐受能力。一种IGBT包括在集电电极和栅电极之间的钳位二极管，该IGBT在IGBT的p+衬底和n型基极层之间具有不同杂质浓度的两个n型缓冲层，其中该双层缓冲层的总厚度为50μm或更小，而总杂质量为20x1013cm-2或更小。