-
公开(公告)号：CN101308871B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200810096516.5
申请日：2008-05-12
Applicant: 富士电机系统株式会社
Inventor： 小野泽勇一
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0834 , H01L29/66348
Abstract: 在根据本发明的沟槽型绝缘栅半导体器件中，该器件包括具有沟槽栅结构并且均匀分布在器件整个有源区的格子单元，在夹在n+型发射区(107)和p型基区(105)之间并平行于硅衬底(100)的主表面的部分中，夹在n+型发射区(107)和n型漂移层(100)之间并且经由栅绝缘膜(103)与沟槽(102)中形成的栅电极接触的这部分p型基区(105)的杂质浓度是最低的。根据本发明的沟槽型绝缘栅半导体器件可以将栅阈值电压的变化减到最小。
Search Results
1
records
(took 0.017 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
