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公开(公告)号：CN111834888B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202010229206.7
申请日：2020-03-27
Applicant: 富士胶片商业创新有限公司 , 国立大学法人东京工业大学
Abstract: 提供半导体光放大器、光输出装置及距离计测装置。半导体光放大器具备：光源部，其形成在基板上；以及光放大部，其具有从所述光源部沿着所述基板的基板面并沿预先决定的方向延伸而形成的导电区域、以及形成在所述导电区域的周围的非导电区域，该光放大部将从所述光源部沿所述预先决定的方向传播的传播光放大，并将放大后的所述传播光朝向与所述基板面交叉的出射方向射出。所述导电区域在从与所述基板面垂直的方向观察的情况下，具有第1区域和第2区域，该第1区域从所述光源部以预先决定的宽度延伸，该第2区域与所述第1区域连续，并且该第2区域被扩宽了所述预先决定的宽度，使所述传播光在与所述预先决定的方向交叉的方向上扩展。
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公开(公告)号：CN111641105B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202010126964.6
申请日：2020-02-28
Applicant: 富士胶片商业创新有限公司 , 国立大学法人东京工业大学
Abstract: 半导体光放大元件及放大器、光输出装置及距离计测装置。半导体光放大元件具有：光源部，其形成在基板上；以及光放大部，其具有从所述光源部沿着所述基板的基板表面向预定的方向延伸而形成的导电区域以及在所述导电区域的周围形成的非导电区域，对从所述光源部向所述预定的方向进行慢光传播的传播光进行放大，并向与所述基板表面交叉的射出方向射出放大后的所述传播光。所述传播光的最大光输出大于垂直振荡模式的最大光输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111641105A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010126964.6
申请日：2020-02-28
Applicant: 富士施乐株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
Abstract: 半导体光放大元件及放大器、光输出装置及距离计测装置。半导体光放大元件具有：光源部，其形成在基板上；以及光放大部，其具有从所述光源部沿着所述基板的基板表面向预定的方向延伸而形成的导电区域以及在所述导电区域的周围形成的非导电区域，对从所述光源部向所述预定的方向进行慢光传播的传播光进行放大，并向与所述基板表面交叉的射出方向射出放大后的所述传播光。所述传播光的最大光输出大于垂直振荡模式的最大光输出。
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公开(公告)号：CN111834888A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010229206.7
申请日：2020-03-27
Applicant: 富士施乐株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
Abstract: 提供半导体光放大器、光输出装置及距离计测装置。半导体光放大器具备：光源部，其形成在基板上；以及光放大部，其具有从所述光源部沿着所述基板的基板面并沿预先决定的方向延伸而形成的导电区域、以及形成在所述导电区域的周围的非导电区域，该光放大部将从所述光源部沿所述预先决定的方向传播的传播光放大，并将放大后的所述传播光朝向与所述基板面交叉的出射方向射出。所述导电区域在从与所述基板面垂直的方向观察的情况下，具有第1区域和第2区域，该第1区域从所述光源部以预先决定的宽度延伸，该第2区域与所述第1区域连续，并且该第2区域被扩宽了所述预先决定的宽度，使所述传播光在与所述预先决定的方向交叉的方向上扩展。
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公开(公告)号：CN108700790A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780012569.1
申请日：2017-01-11
Applicant: 国立大学法人横浜国立大学 , 国立大学法人东京工业大学
Abstract: 本发明的光偏转器为具备折射率的周期结构的硅光子器件，其兼具具备高的光束品质及偏转大的角度范围的光束、及与基于硅光子的光集成技术的整合性，且(1)用在硅上形成的精细结构来构成传播光的光传播部，(2)用生成慢光的周期结构、和发射光的周期结构这两个周期结构来构成构成光传播部的精细结构。基于在硅上形成的精细结构，利用硅光子的光集成技术可以形成光偏转器，基于生成慢光的周期结构和发射光的周期结构这两个周期结构，可以形成具备高的光束品质和偏转大的角度范围的光束。
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