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公开(公告)号：CN1711285A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200380103409.6
申请日：2003-11-14
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明公开了一种生产用于850nm波长光学构件的可聚合组合物，其包含：可聚合单体组分，和折射率不同于所述的可聚合单体组分的化合物，其结构具有被Hammett值不大于0.04的一个取代基取代或被Hammett值平均值不大于0.04的多个取代基取代的苯环。另外，本发明还公开了一种生产光学构件的可聚合组合物，其包含：可聚合单体组分，和折射率不同于所述的可聚合单体组分且溶解度参数不大于10.9的化合物，其中所述可聚合单体组分包含至少一种选自C7－20脂环族的(甲基)丙烯酸酯的物质，所述化合物的结构具有被如上定义的一个取代基或多个取代基取代的苯环。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101295762B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN200810092398.0
申请日：2008-04-28
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 一种压电体(13)，含有铁电物质相，所述铁电物质相的特征为，在从没有施加电场时增加外加电场的情况下，所述铁电物质相向不同晶系的铁电物质相的相变至少发生两次。优选地，所述压电体(13)应在使得最小外加电场Emin和最大外加电场Emax满足公式(1)的条件下被驱动：Emin＜E1＜Emax (1)其中电场E1表示所述铁电物质相的第一次相变开始时的电场。
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公开(公告)号：CN101295762A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810092398.0
申请日：2008-04-28
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 一种压电体(13)，含有铁电物质相，所述铁电物质相的特征为，在从没有施加电场时增加外加电场的情况下，所述铁电物质相向不同晶系的铁电物质相的相变至少发生两次。优选地，所述压电体(13)应在使得最小外加电场Emin和最大外加电场Emax满足公式(1)的条件下被驱动，Emin＜E1＜Emax (1)，其中电场E1表示所述铁电物质相的第一次相变开始时的电场。
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公开(公告)号：CN100368826C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200380103409.6
申请日：2003-11-14
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明公开了一种生产用于850nm波长光学构件的可聚合组合物，其包含：可聚合单体组分，和折射率不同于所述的可聚合单体组分的化合物，其结构具有被Hammett值不大于0.04的一个取代基取代或被Hammett值平均值不大于0.04的多个取代基取代的苯环。另外，本发明还公开了一种生产光学构件的可聚合组合物，其包含：可聚合单体组分，和折射率不同于所述的可聚合单体组分且溶解度参数不大于10.9的化合物，其中所述可聚合单体组分包含至少一种选自C7-20脂环族的(甲基)丙烯酸酯的物质，所述化合物的结构具有被如上定义的一个取代基或多个取代基取代的苯环。
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公开(公告)号：CN102113144B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200980129916.4
申请日：2009-07-27
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/316 , B41J2/045 , B41J2/055 , B41J2/16 , C04B35/49
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1646 , C04B35/49 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 提供一种具有含Pb的压电膜的压电器件，该压电膜的耐久性得到改善并且没有降低压电性质。压电器件(1)在基板(11)上以下列顺序具有下部电极(12)；压电膜(13)，其包含由下面的通式(P)表示的含Pb的钙钛矿氧化物；以及上部电极(14)，其中烧绿石氧化物层(13p)的平均层厚度Th不大于20nm。通式(P)：AaBbO3，其中，A：至少一种类型的包含Pb作为主要组分的A位元素，B：至少一种类型的B位元素，所述B位元素选自由Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Sc、Co、Cu、In、Sn、Ga、Zn、Cd、Fe和Ni组成的组，以及O：氧元素。
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公开(公告)号：CN102113144A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980129916.4
申请日：2009-07-27
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1646 , C04B35/49 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 提供一种具有含Pb的压电膜的压电器件，该压电膜的耐久性得到改善并且没有降低压电性质。压电器件(1)在基板(11)上以下列顺序具有下部电极(12)；压电膜(13)，其包含由下面的通式(P)表示的含Pb的钙钛矿氧化物；以及上部电极(14)，其中烧绿石氧化物层(13p)的平均层厚度Th不大于20nm。通式(P)：AaBbO3，其中，A：至少一种类型的包含Pb作为主要组分的A位元素，B：至少一种类型的B位元素，所述B位元素选自由Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Sc、Co、Cu、In、Sn、Ga、Zn、Cd、Fe和Ni组成的组，以及O：氧元素。
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