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公开(公告)号：CN102648862B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210048313.5
申请日：2012-02-28
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: A61B17/00
CPC classification number: A61B17/320036 , A61B17/2202 , A61B2017/00526 , H01L41/081 , H01L41/25 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 提供了一种可以达到高振动速度的共振换能器、制造共振换能器的方法和包括所述共振换能器的超声处置工具。具体地，提供了一种共振换能器，其包括：振动板；以及压电元件，该压电元件包括层压在振动板上的压电膜和上电极，其中，压电膜被施加有压缩应力，并且提供了一种制造共振换能器的方法和包括共振换能器的超声处置工具。优选地，施加至压电膜的内应力为等于大于100MPa的压缩应力。
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公开(公告)号：CN100547442C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200680025185.5
申请日：2006-07-07
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 藤井隆满
IPC: G02B5/30 , G02F1/13363
CPC classification number: G02B5/3083 , G02F1/13363 , G02F2203/66 , G02F2413/02 , G02F2413/07 , G02F2413/10 , G02F2413/11
Abstract: 一种相位差补偿元件包括至少一个双折射层压体，该双折射层压体包含透光基底材料和a个在倾斜入射真空蒸镀方向上有变化并被层压在透光基底材料表面上的无机倾斜入射真空淀积膜，其中a≥2。所述双折射层压体满足由公式(i)和公式(ii)所表示的条件：Re(1)＜Re(a) ...(i)；Re(b-1)≤Re(b) ...(ii)。其中b为满足条件2≤b≤a的任意整数，其中Re(i)分别表示在形成所述“a”个无机倾斜入射真空淀积膜的诸阶段中在第i个膜形成阶段形成的无机倾斜入射真空淀积膜的延迟值d·Δn，其中1≤i≤a，d表示膜厚，且Δn表示双折射指数。
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公开(公告)号：CN101218524A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200680025185.5
申请日：2006-07-07
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 藤井隆满
IPC: G02B5/30 , G02F1/13363
CPC classification number: G02B5/3083 , G02F1/13363 , G02F2203/66 , G02F2413/02 , G02F2413/07 , G02F2413/10 , G02F2413/11
Abstract: 一种相位差补偿元件包括至少一个双折射层压体，该双折射层压体包含透光基底材料和a个在倾斜入射真空蒸镀方向上有变化并被层压在透光基底材料表面上的无机倾斜入射真空淀积膜，其中a≥2。所述双折射层压体满足由公式(i)和公式(ii)所表示的条件：Re(1)＜Re(a) (i)；Re(b－1)≤Re(b) (ii)；其中b为满足条件2≤b≤a的任意整数其中Re(i)分别表示在形成所述“a”个无机倾斜入射真空淀积膜的诸阶段中在第i个膜形成阶段形成的无机倾斜入射真空淀积膜的延迟值d·Δn，其中1≤i≤a，d表示膜厚，且Δn表示双折射指数。
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公开(公告)号：CN1462374A
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN02801658.0
申请日：2002-05-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02B5/20 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133305 , G02F1/133514 , G02F2001/133638
Abstract: 本发明的液晶显示装置，特别是便携使用的液晶显示装置，该显示装置轻便，具有易弯曲性、很少出现破裂并且呈现了优良的彩色重现和老化稳定性，该显示装置包括置于两个衬底之间的液晶层，这两个衬底每一个都具有电极，其中，对于两个衬底，至少显示面侧的衬底是具有光学各向异性的塑料衬底。
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公开(公告)号：CN103035835B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201210448662.6
申请日：2012-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/083 , H01L41/27 , H01L41/253 , B41J2/045 , B41J2/135
CPC classification number: H01L41/0533 , B41J2/045 , B41J2/14233 , H01L41/0471 , H01L41/0477 , H01L41/0973 , H01L41/257 , H01L41/29 , H01L41/297 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 一种压电器件，包括：基板；层积在基板上方的第一电极；层积在第一电极上方的第一压电膜；层积在第一压电膜上方的金属氧化物膜；层积在金属氧化物膜上方的金属膜；层积在金属膜上方的第二压电膜；以及层积在第二压电膜上方的第二电极，其中第一压电膜的极化方向和第二压电膜的极化方向彼此不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101373810B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810130877.7
申请日：2008-08-21
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种压电元件，其通过使用等离子体的气相成长法在基板上经由电极将压电膜进行成膜。压电膜为一种或多种钙钛矿型氧化物(也可以含有不可避免的杂质)，由向相对于基板面为非平行方向延伸的多个柱状结晶体构成的柱状构造膜构成。在柱状构造膜的表面被观测的多个柱状结晶体的端面的最小的外接圆的直径具有横跨100nm以下500nm以上分布的大小，且外接圆的直径为含有100nm以下的直径20％以上、500nm以上的直径5％以上的直径，柱状构造膜的算术平均表面粗糙度Ra为10nm以下。
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公开(公告)号：CN101424765A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810169061.5
申请日：2005-12-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/13363 , G03B21/00
Abstract: 本发明涉及相位差补偿器、光调制系统、液晶显示器和液晶投影仪，尤其是一种在正交尼科耳配置中的偏振元件对之间使用的相位差补偿器，包括：透明衬底，透明衬底和垂直于偏振元件对的光轴相垂直；第一相位差补偿层，由透明衬底支撑，第一相位差补偿层的光轴与透明衬底相垂直；以及第二相位差补偿层，包括三层或更多层堆叠膜，其中每层堆叠膜都具有倾斜于透明衬底法线的光轴，正交投影到透明衬底上的、堆叠膜中两个堆叠膜的光轴方向相互之间隔开大约180°。
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公开(公告)号：CN101381101A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810214857.8
申请日：2008-09-03
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C01G29/00 , C01G25/00 , C04B35/491 , C04B35/472
CPC classification number: C04B35/491 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1646 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3298 , C04B2235/72 , C04B2235/764 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , C23C14/088 , H01G4/1245 , H01G7/06 , H01L21/31691 , H01L28/55 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 本发明提供钙钛矿型氧化物、铁电体膜及其制备方法、铁电体器件和液体排出装置。在PZT类的钙钛矿型氧化物中，能够在不掺杂烧结助剂或受体离子的情况下，在A位以至少5摩尔％的掺杂浓度掺杂给体离子。所述钙钛矿型氧化物由式(P)：(Pb1－x+δMx)(ZryTi1－y)Oz表示，其中M表示选自Bi和镧系元素中的至少一种元素，0.05≤x≤0.4，并且0＜y≤0.7，标准组成是使得δ＝0和z＝3这样的组成，条件是在能够获得所述钙钛矿结构的范围内，δ值和z值分别可以偏离0和3的标准值。
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公开(公告)号：CN101376965A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810214955.1
申请日：2008-08-29
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/203
CPC classification number: H01J37/34 , B41J2/161 , B41J2/1646 , C23C14/088 , H01J37/3444 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种溅射方法及溅射装置，其以简单的构成、简单的控制可实现防止了反溅射的膜的高品质化、组成不一致的控制及成膜再现性的提高，从而能够成膜无膜质的变化的高品质的压电膜、绝缘膜或电介质膜等薄膜。具有在真空容器内保持靶材的溅射电极、及和溅射电极对向且离开地配置且保持基板的基板支架，还包括用于调节基板支架的阻抗的可调节的阻抗电路，通过调节阻抗电路的阻抗，来调节基板支架的阻抗，从而调节基板的电位，由此来解决上述课题。
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公开(公告)号：CN101373810A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810130877.7
申请日：2008-08-21
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种压电元件，其通过使用等离子体的气相成长法在基板上经由电极将压电膜进行成膜。压电膜为一种或多种钙钛矿型氧化物(也可以含有不可避免的杂质)，由向相对于基板面为非平行方向延伸的多个柱状结晶体构成的柱状构造膜构成。在柱状构造膜的表面被观测的多个柱状结晶体的端面的最小的外接圆的直径具有横跨100nm以下500nm以上分布的大小，且外接圆的直径为含有100nm以下的直径20％以上、500nm以上的直径5％以上的直径，柱状构造膜的算术平均表面粗糙度Ra为10nm以下。
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