公开(公告)号：CN115642191A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210638682.3

申请日：2022-06-08

Applicant: 富士通光器件株式会社

Inventor： 下山峰史

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/109 ,  H01L27/144

Abstract: 本申请涉及半导体光电检测器、接收器和集成光器件。所公开的半导体光电检测器包括：第一半导体层，其具有第一折射率和第一带隙；第二半导体层，其形成在第一半导体层上，第二半导体层具有第二折射率和第二带隙；第一电极；以及第二电极。第二折射率大于第一折射率，以及第二带隙小于第一带隙。第一半导体层包括：p型第一区域、n型第二区域、以及位于第一区域和第二区域之间的非导电第三区域。第二半导体层包括：与第一电极欧姆接触的p型第四区域、与第二电极欧姆接触的n型第五区域、以及位于第四区域和第五区域之间的非导电第六区域。

公开(公告)号：CN115832079A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211100026.4

申请日：2022-09-09

Applicant: 富士通光器件株式会社

Inventor： 下山峰史

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/105 ,  H01L27/144 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请涉及光检测器和光集成器件。一种光检测器具有：基板；光输入层，在基板上方由第一半导体形成，该第一半导体对于正被使用的波长是透明的；以及光吸收层，其在光输入层上由第二半导体形成，该第二半导体的能带隙小于第一半导体的能带隙。该光吸收层具有掺杂有第一导电类型杂质的第一区域、掺杂有不同于第一导电类型杂质的第二导电类型杂质的第二区域、以及处于第一区域与第二区域之间的未掺杂区域。第一区域、未掺杂区域和第二区域沿平行于基板的方向布置。该光吸收层具有这样的区域，该区域的有效折射率高于该光吸收层的处于第一区域与第二区域之间的其余部分的有效折射率。