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公开(公告)号：CN101127246B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200710142014.7
申请日：2007-08-13
申请人： 富士通半导体股份有限公司
发明人： 山口秀策
CPC分类号： G11C17/16 , G11C17/18 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/00
摘要： 一种电熔丝电路被提供，其具有形成电熔丝的电容器；通过响应一个写入信号施加一个电压到所述电容器端子而击穿所述电容器绝缘膜的写入电路；以及至少两个晶体管，包括第一晶体管和第二晶体管，在电容器和写入电路之间串联连接。
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公开(公告)号：CN101206916B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200710135818.4
申请日：2007-07-13
申请人： 富士通半导体股份有限公司
发明人： 川久保智广 , 山口秀策 , 池田仁史 , 内田敏也 , 小林广之 , 神田达哉 , 山本喜史 , 白川晓 , 宫本哲生 , 大塚龙志 , 高桥秀长 , 栗田昌德 , 镰田心之介 , 佐藤绫子
IPC分类号： G11C11/406 , G11C8/12
CPC分类号： G11C11/4087 , G09G5/393 , G09G5/395 , G11C8/12
摘要： 本发明提供了存储器设备、存储器控制器和存储器系统。一种响应于来自存储器控制器的命令而被操作的存储器设备具有多个存储体，该多个存储体分别具有包括存储器单元阵列和解码器的存储器核心并且被存储体地址选择；以及控制电路，该控制电路响应于后台刷新命令，致使由存储器控制器设置的刷新目标存储体内的存储器核心相继执行刷新操作多次，次数对应于由存储器控制器设置的刷新突发长度，并且在由刷新目标存储体内的存储器核心执行的刷新操作期间，该控制电路响应于正常操作命令，还致使除刷新目标存储体之外的被存储体地址选择的存储体内的存储器核心执行与正常操作命令相对应的正常存储器操作。
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公开(公告)号：CN101794620B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201010141756.X
申请日：2007-08-13
申请人： 富士通半导体股份有限公司
发明人： 山口秀策
CPC分类号： G11C17/16 , G11C17/18 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/00
摘要： 提供了一种电熔丝电路和电子元件。一种电熔丝电路被提供，其具有形成电熔丝的电容器；通过响应一个写入信号施加一个电压到所述电容器端子而击穿所述电容器绝缘膜的写入电路；以及至少两个晶体管，包括第一晶体管和第二晶体管，在电容器和写入电路之间串联连接。
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公开(公告)号：CN1697078B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200510072601.4
申请日：2002-03-29
申请人： 富士通半导体股份有限公司
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/409
CPC分类号： G11C7/1006 , G11C8/12 , G11C11/406 , G11C11/40603 , G11C11/40615 , G11C11/40618 , G11C11/4087 , G11C2211/4061 , G11C2211/4062
摘要： 一种半导体存储器，包括：存储器芯，包括多个用于分配和存储分别对应于相同地址的多个位数据的存储器块；和控制电路，用于以各不相同的定时对所述多个存储器块执行刷新操作。从而提供了用户友好的半导体存储器，且能实现对读命令的高速响应和高速数据传输速率。
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