公开(公告)号：CN100594424C

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200480001762.8

申请日：2004-05-26

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 大泽森美 ,  八尾辉芳 ,  有本宏 ,  浅井了

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70941 ,  G03F1/44 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70591 ,  G03F7/70625

Abstract: 以第一算出装置(12)，基于与眩光产生图形的开口率之间的关系，分别计算出使用试验用光掩模(11)而转印的各评价用图形的各转印图形的宽度值，以第二算出装置(13)将计算出的各转印图形的宽度值的分布进行线性近似，计算出其倾斜度。进一步，基于定义了各转印图形的宽度值的倾斜度(尺寸变化量)，以校正装置(14)按每个图形改变校正量。由此，能够更加准确的计算出局部眩光造成的尺寸变化量，能够高精度的进行相对于局部眩光的图形尺寸校正。

公开(公告)号：CN100543582C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN03817041.8

申请日：2003-04-11

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 青山肇 ,  大泽森美 ,  八尾辉芳 ,  荻野宏三

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/36 ,  G03F1/44

Abstract: 校正装置的构成包括：具有测试图形的试验用光掩模(1)；利用该试验用光掩模(1)，作为距离的函数并按与开口率的关系定量化测试图形上的上述尺寸变动的定量化机构(2)；将具有多个实际器件图形的曝光区域分割为多个校正区域，按每一个校正区域算出开口率的开口率算出机构(3)；用开口率算出机构算出的开口率输入到用试验用光掩模(1)定量化的结果中，按每一个校正区域算出实际器件图形的尺寸变动，据此校正实际器件图形的设计数据的数据校正机构(4)；校正邻近效应的邻近效应校正机构(5)。借助于该校正装置，定量地估计在蚀刻中所曝光的图形上发生的尺寸变动，据此能够容易且正确地校正图形尺寸。

公开(公告)号：CN100514184C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN03814634.7

申请日：2003-02-19

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 八尾辉芳 ,  浅井了

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70941 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70591

Abstract: 在假想区域(2)及(3)上，作为副图形形成有虚拟图形。其中，在只形成有假想区域(2)及(3)的主图形的情况下的开口率，分别为60%、90%。假想区域(2)中的虚拟图形，是一边的长度为0.15μm的正方形遮光图形，假想区域(3)中的虚拟图形，是一边的长度为0.20μm的正方形遮光图形。同时，假想区域(2)及(3)的开口率，均设定在30%。如果进行使用这样的光掩模的曝光，则在感光体的曝光用的光照射到的范围内，在任何一点上，由局部光斑产生的光的量基本上是均匀的。其结果，即使产生线宽的变化，其程度在整个光掩模上也是均匀的。

公开(公告)号：CN1720483B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN03825736.X

申请日：2003-05-30

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 八尾辉芳 ,  浅井了

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70941 ,  G03F1/44 ,  G03F1/70

Abstract: 在校正制造半导体器件之际的曝光时产生的局部眩光时，按曝光对象的各区域的每一个，计算出相对于该各区域的图形的实质性开口率之后，根据上述各区域的上述实质性开口率以及曝光条件，校正该各区域的上述图形的上述眩光的校正量。由此，对应于各曝光条件定量地校正相对于照相平版印刷中曝光的图形的局部眩光的影响，可以容易且正确的形成所期望的图形。