公开(公告)号：CN100543582C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN03817041.8

申请日：2003-04-11

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 青山肇 ,  大泽森美 ,  八尾辉芳 ,  荻野宏三

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/36 ,  G03F1/44

Abstract: 校正装置的构成包括：具有测试图形的试验用光掩模(1)；利用该试验用光掩模(1)，作为距离的函数并按与开口率的关系定量化测试图形上的上述尺寸变动的定量化机构(2)；将具有多个实际器件图形的曝光区域分割为多个校正区域，按每一个校正区域算出开口率的开口率算出机构(3)；用开口率算出机构算出的开口率输入到用试验用光掩模(1)定量化的结果中，按每一个校正区域算出实际器件图形的尺寸变动，据此校正实际器件图形的设计数据的数据校正机构(4)；校正邻近效应的邻近效应校正机构(5)。借助于该校正装置，定量地估计在蚀刻中所曝光的图形上发生的尺寸变动，据此能够容易且正确地校正图形尺寸。