公开(公告)号：CN100485962C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200510096571.0

申请日：2005-08-25

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 迫田恒久 ,  山口正臣 ,  南方浩志 ,  杉田义博 ,  池田和人

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。氮化硅膜(16)的防透膜被插置于硅衬底(10)与高k栅极绝缘膜(18)之间，由此防止高k栅极绝缘膜(18)被脱氧，同时在已经形成栅电极层(20)之后进行氧退火，由此补充氧。作为防透膜的氮化硅膜(16)变成氮氧化硅膜(17)而膜厚不变，由此能够防止由于氧损失引起的高k栅极绝缘膜(18)的特性退化，同时不会降低晶体管的特性。即使半导体器件的栅极绝缘膜是由高介电常数材料制成，其阈值电压也不会偏移。