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公开(公告)号：CN100487877C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200480000922.7
申请日：2004-04-28
Applicant: 富士通微电子株式会社
Inventor： 堀充明
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/28202 , H01L29/518
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，能够抑制离子注入到栅电极中的硼穿透栅绝缘膜，并能够抑制沟道区的迁移率的下降。半导体器件的制造方法包括：在半导体基板的有源区上形成栅绝缘层的工序；利用活性氮从上述栅绝缘层表面侧导入氮的工序；在NO气体环境中实施退火处理的工序，以确保已导入氮的栅绝缘层内的氮浓度分布在表面侧高、且在与半导体基板的界面处低。
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