公开(公告)号：CN100481377C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510118486.X

申请日：2005-10-28

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 小浦由美子 ,  北田秀树 ,  小泽清

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L23/522 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及具有铜或铜合金制成的插塞与布线的改进的防铜扩散功能的半导体器件及其制造方法，其中该方法包括下述步骤：(a)在形成于半导体衬底上的含氧绝缘体的表面上形成铜合金膜，该铜合金膜包含除铜之外的至少两种金属元素。(b)在该铜合金膜上形成由纯铜或铜合金制成的金属膜。(c)在步骤(a)或(b)之后，通过该绝缘体中的氧与该铜合金膜中的金属元素之间的反应在该绝缘体的表面上形成金属氧化膜的条件下，执行热处理。其中：步骤(a)形成由包含至少三种元素的铜合金制成的该铜合金膜，所述至少三种元素包括除铜之外的至少两种金属元素。利用本发明，可以改进半导体器件的防扩散功能。

公开(公告)号：CN101504932A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910128521.4

申请日：2005-10-28

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 小浦由美子 ,  北田秀树 ,  小泽清

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L23/522 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及具有铜或铜合金制成的插塞与布线的改进的防铜扩散功能的半导体器件及其制造方法，其中该方法包括下述步骤：(a)在形成于半导体衬底上的含氧绝缘体的表面上形成阻挡金属层，该阻挡金属层由难熔金属、含难熔金属元素的合金或难熔金属元素的氮化物制成；(b)在该阻挡金属层上形成铜合金膜；以及(c)于在该阻挡金属层的部分表面区域上，该铜合金膜中的铜以及合金元素与该绝缘体中的氧相互扩散的条件下，执行热处理，以形成金属氧化膜。利用本发明，可以改进半导体器件的防扩散功能。