公开(公告)号：CN103021982B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201210357184.8

申请日：2012-09-21

申请人： 德州仪器公司

发明人： 伯纳多·加列戈斯 ,  艾布拉姆·卡斯特罗

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/76858 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/03436 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本文揭示集成电路和制造集成电路的方法。集成电路的一个实施例包含具有侧的裸片，其中导电螺柱相对于所述侧实质上垂直延伸。具有第一侧和第二侧的电介质层位于接近所述裸片的所述侧处，以使所述电介质层的第一侧邻近于所述裸片的所述侧。所述导电螺柱延伸进所述电介质层的第一侧。第一通孔在所述导电螺柱与所述电介质层的第二侧之间延伸。具有第一侧和第二侧的导电层位于邻近于所述电介质层的第二侧处，其中所述导电层的第一侧位于邻近于所述电介质层的第二侧处。所述导电层的至少一部分电性连接到所述第一通孔。

公开(公告)号：CN104658904B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201510087713.0

申请日：2010-07-27

申请人： 诺发系统有限公司

发明人： 史蒂文·T·迈尔 ,  埃里克·韦布 ,  戴维·W·波特

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/28

CPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  C23F1/34 ,  C23F3/04 ,  C25D5/48 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/288 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及用于半导体处理中的铜移除及平面化的湿蚀刻方法。可通过pH介于约5与12之间的湿蚀刻溶液蚀刻半导体衬底上的经暴露铜区域，所述湿蚀刻溶液包括：(i)选自由二齿、三齿及四齿络合剂组成的群组的一种或一种以上络合剂；及(ii)氧化剂。在许多实施例中，所述蚀刻为大致各向同性的且在铜的表面上不形成可见不溶物质的情况下发生。所述蚀刻用于半导体制作中的若干个过程中，包含用于部分地或完全地移除铜覆盖物、用于平面化铜表面及用于在填充有铜的镶嵌特征中形成凹入部。适合蚀刻溶液的实例包含包括分别作为二齿及三齿络合剂的二胺(例如，乙二胺)及/或三胺(例如，二亚乙基三胺)以及作为氧化剂的过氧化氢的溶液。在一些实施例中，所述蚀刻溶液进一步包含pH调整剂，例如硫酸、氨基酸及羧酸。

公开(公告)号：CN105006467B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201410316858.9

申请日：2014-07-04

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林瑀宏 ,  林圣轩 ,  张志维 ,  周友华

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76883 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包含位于衬底上方的硅化物层、位于由衬底上方的介电层形成的开口中的金属插塞、位于金属插塞和介电层之间及金属插塞和硅化物层之间的第一金属层、位于第一金属层上方的第二金属层以及位于第一金属层和第二金属层之间的非晶层。本发明还公开了金属接触结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN106298730A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610365247.2

申请日：2016-05-27

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·施内甘斯 ,  F·黑林 ,  H-J·舒尔策 ,  B·魏德甘斯

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76858 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L24/03 ,  H01L29/407 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01074 ,  H01L23/49816 ,  H01L21/4889 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49894

摘要： 本发明的各个实施例涉及具有电连接至导电结构的金属结构的半导体器件。半导体器件(900)包括导电结构(150)。金属结构(350)电连接至导电结构(150)并且包含第一金属。辅助层堆叠(320)夹设在导电结构(150)与金属结构(350)之间，并且包括粘附层(325)，该粘附层(325)包括第二金属。辅助层堆叠(320)进一步包括金属扩散阻挡层(321)，该金属扩散阻挡层(321)在粘附层(325)与导电结构(150)之间。粘附层(325)包含该第一金属和第二金属。(500)包括半导体裸片(900)，该半导体裸片

公开(公告)号：CN103779269A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201210414645.0

申请日：2012-10-26

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 平延磊 ,  鲍宇

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/7685 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76885

摘要： 本发明公开了一种互连中铜表面处理的方法，循环的执行通过选择性铝沉积在铜互连线表面形成铝盖层和在还原性气体氛围下使用等离子束处理铝盖层两个步骤，将铝原子逐步溶入铜互连线表面以在铜互连线表面形成铜铝合金盖层，由于铜铝合金盖层的迁移率小于铝盖层，因此在防止铜原子扩散的同时也抑制了互连线电迁移导致的半导体器件失效问题。

公开(公告)号：CN101154646B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200710146018.2

申请日：2007-09-05

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 崔容寿 ,  金奎显

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53223 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种在半导体器件中的金属线包括：绝缘层，其具有形成于其中的沟槽；在所述绝缘层和所述沟槽上的形成的阻挡金属层；在所述阻挡金属层上形成的金属层，其中所述金属层填充所述沟槽；以及在所述金属层和所述阻挡金属层之间的界面上形成的抗电蚀层。

公开(公告)号：CN101714521B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200910204481.7

申请日：2009-09-29

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 黑川哲也 ,  户原诚人

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在绝缘膜中形成的沟槽的侧面上和底部上形成金属阻挡膜，所述金属阻挡膜包含添加元素；在所述金属阻挡膜上方形成籽晶膜；使用籽晶膜作为籽晶形成镀层，即Cu膜，以用金属膜填充沟槽；对所述金属阻挡膜和所述金属膜进行退火，由此在其间形成合金层，所述合金层包含构成所述金属阻挡膜的金属、所述添加元素和构成所述金属膜的金属，并且由此使得所述添加元素能够扩散到所述金属膜中。

公开(公告)号：CN101911266A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200980101621.6

申请日：2009-02-20

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 佐藤浩 ,  伊藤仁 ,  松本贤治

IPC分类号： H01L21/3205 ,  C23C14/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/67207 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，含有如下工序：在形成于基板表面的层间绝缘膜，形成用于嵌入与下层侧导电路电连接的以铜作为主成分的上层侧导电路的凹部的工序；供给含有锰的有机化合物的气体，以覆盖层间绝缘膜的露出面的方式，形成用于抑制铜向所述层间绝缘膜扩散的由锰化合物构成的屏蔽层的工序；在形成所述屏蔽层后，为了提高构成屏蔽层的锰化合物中的锰的比率而向该屏蔽层供给有机酸的工序；在有机酸供给工序之后，在所述屏蔽层的表面形成以铜作为主成分的种子层的工序；在种子层形成工序之后，为了使屏蔽层的表面或层中的锰向种子层的表面析出而将所述基板加热处理的工序；为了除去因加热而在种子层的表面析出的锰而向该种子层供给清洗液的工序；在清洗液供给工序之后，在所述凹部内形成以铜作为主成分的上层侧导电路的工序。

公开(公告)号：CN101615608A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910141124.0

申请日：2009-05-22

申请人： 富士通株式会社

发明人： 羽根田雅希 ,  清水纪嘉 ,  大塚信幸 ,  中尾嘉幸 ,  砂山理江 ,  田平贵裕

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括：含有氧的绝缘膜，形成在半导体衬底上；凹部，形成在所述绝缘膜中；难熔金属膜，形成在所述凹部的内壁上；含有铜、锰以及镍的金属膜，形成在所述难熔金属膜上；以及铜膜，形成在所述金属膜上，以填充所述凹部。本发明能够降低锰从金属膜扩散进入填充于凹部中的铜膜，从而能够降低铜膜的阻抗增加。

公开(公告)号：CN100477158C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610073921.6

申请日：2006-01-23

申请人： 株式会社东芝

发明人： 坂田敦子 ,  和田纯一 ,  尾本诚一 ,  羽多野正亮 ,  山下创一 ,  东和幸 ,  中村直文 ,  山田雅基 ,  木下和哉 ,  坚田富夫 ,  莲沼正彦

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/31616 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/482 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件及其制造方法。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。