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发明公开
表面形状传感器及其制造方法失效

公开(公告)号：CN101663558A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200780052462.6

申请日：2007-04-05

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 山形高广 , 永井孝一

IPC: G01B7/28

CPC classification number: G06K9/0002

Abstract: 提供一种能够维持机械强度且能够提高灵敏度的表面形状传感器及其制造方法。表面形状传感器具有：层间绝缘膜(40)，其形成在半导体衬底(10)的上方，具有平坦的上表面；检测电极膜(42a)，其形成在层间绝缘膜(40)上；上部绝缘膜(110)，其形成在检测电极膜(42a)和层间绝缘膜(40)上，在上部绝缘膜(110)的表面上露出有氮化硅膜；保护绝缘膜(54)，其堆积在上部绝缘膜(110)上，由在检测电极膜(42a)上形成有窗(54a)的四面体非晶碳(ta-C)膜构成。

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